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Micron Technologyがメモリ容量24GB（ギガバイト）で、転送レート（バンド幅）1.2TB/sという巨大なHBM（High Bandwidth Memory）メモリを開発、サンプル出荷を開始した。このHBM3 Gen2を開発した理由は、生成AIの学習に向け、学習時間の短縮を狙ったためだ、と同社コンピュート&ネットワーキング事業部門 VP 兼 ゼネラル・マネージャーのPraveen Vaidyanathan氏は言う。 [→続きを読む]
Nvidiaが半導体メーカーの中で唯一、時価総額1兆ドルを超えた。同社の2024年度第1四半期（2023年2〜4月期）の売上額はまだ前年の金額にも達しなかったにもかかわらず、次の四半期売上額を前四半期比53%増の110億ドルとの見通しを発表したためだ。その原動力は生成AI向けのGPUだ。特に最高性能のH100というGPUの供給が足りないため、生成AI業者はチップを製造するTSMCから順番待ちを強いられている。 [→続きを読む]
Armが次世代スマートフォン向けの最新版64ビットIPコアセット「Arm Total Compute 2023 (TCS23)」（図1）を発表した。スマホに重要な最新のCPUコアとGPUコアをまとめただけではなく、様々なCPUと共有キャッシュメモリを一致させる（コヒーレントな）システムコアDSU-120も一緒にしたパッケージである。 [→続きを読む]
バッテリ動作が可能な低消費電力ながら、Bluetooth LE（Low Energy）やWi-Fi、さらにメッシュネットワーク仕様のThreadにも対応し、全ての規格に対応できるMatterプロトコルを持ち、IoTセキュリティ規格PSA認証で最も高いレベル3にも対応する近距離無線チップ「nRF54H20」をノルウェーのNordic Semiconductorが日本へ顔見せした。 [→続きを読む]
Texas Instruments（TI）が開発したSiCパワートランジスタ向けのゲートドライバIC製品「UCC5880-Q1」は、SiCパワーMOSFETの欠点を解消したドライバICだ（図1）。SiCはIGBTと比べ、少数キャリアの蓄積時間がない分、高速にスイッチできる。しかし、オーバーシュートやリンギングなどのノイズを発生しがちになる。TIのチップはこの欠点を解消した。 [→続きを読む]
クロックの立ち上がりと降下でトリガーをかけるLPDDR（Low Power Double Data Rate）技術は、これまでDRAMの高速化技術であった。これを高速アクセスに使ったNORフラッシュメモリをInfineon Technologiesが開発、サンプル出荷を開始した。狙いは車載コンピュータのリアルタイム動作である。LPDDR4のDRAMと比べ読み出しアクセス時間が10nsと5倍速いという。 [→続きを読む]
車載向け半導体の日本市場で苦戦しているTexas Instruments（TI）だが、EV（電気自動車）のパワートレインとなるLiイオンバッテリシステムBMSのIC製品ポートフォリオの拡充を図り始めた。セルのモニターICだけではなく、バッテリシステム監視IC、さらにBMS全体を管理するマイコンと周辺回路ICにも注力する。今回は上の2製品をリリースした。 [→続きを読む]
クルマ用レーダーのインテリジェント版でRF回路と信号処理演算用のCMOS回路をモノリシックに集積した1チップレーダー（図1）をオランダNXP Semiconductorが開発した。これまでの2チップから1チップソリューションになったことでシステムコストが下がり、リアやコーナーにも搭載可能になる。これまで車載レーダーは前方の200m〜300m先などを検出していた。 [→続きを読む]
Intelがようやくコード名「Sapphire Rapids」のCPUを第4世代のXeonスケーラブルプロセッサとして量産にこぎつけた。4個のCPUダイをEMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）で接続したXeonスケーラブルCPUに加え、ICパッケージ内にHBMメモリを集積したXeon CPU MAXシリーズとGPU MAXシリーズ（コード名Ponte Vecchio）も同時に発表した。 [→続きを読む]
米Micron Technologyが1β nmプロセスノードで製造した64GビットのDDR5x-DRAMのサンプル出荷を開始した。Micronが述べる1β nmプロセスノードは、13nm以下のプロセスノードだという。12〜13nmとの見方もある。リソグラフィパターニングの実現には、液浸マルチパターンニングを用いており、EUVは用いていない。製造はまず東広島工場で行う。 [→続きを読む]
