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技術分析(半導体製品)

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Intel、ゲーム用デスクトップPC向け5.8GHzのCPUで巻き返しなるか

Intel、ゲーム用デスクトップPC向け5.8GHzのCPUで巻き返しなるか

Intelが第13世代と呼ぶ新型CoreプロセッサRaptor Lakeを9月中旬のInnovation Dayで発表したが、このほど国内でもその詳細を明らかにした。プロセス的にはIntel7とSuperfin技術を使い、昨年発表した第12世代Core CPUと比べ電力効率を大幅に上げ、同じ性能なら消費電力を1/4に削減、同じ電力なら性能を37%上げた。 [→続きを読む]

Arm、DPUのロードマップを公開

Arm、DPUのロードマップを公開

Armは、クラウドサービス企業向けのデータセンターやスーパーコンピュータなど大量のCPUやGPUを使うコンピューティングのインフラに向けたネットワークプロセッサDPUを今後伸ばしていくことを明らかにした。データを移動・処理するためのDPUプロセッサであるNeoverseのロードマップを描き、性能優先、消費電力優先、中間のミッドレンジへと拡大していく(図1)。 [→続きを読む]

Infineon、Cypress買収で旧富士通系も融合させた新マイコンを開発中

Infineon、Cypress買収で旧富士通系も融合させた新マイコンを開発中

Infineonは7月マイコンセミナーを開催、従来のXMCマイコンに加え、買収したCypressのpSoC、それ以前の旧富士通系のFMシリーズマイコンを融合・拡張性を持つ新マイコンを開発していることを明らかにした。全てArm Cortex-MシリーズのCPUコアを備えているため、比較的融合させやすく、3社の特長を集積したものになりそうだ。 [→続きを読む]

クルマは走るデータセンターに、仮想化技術を駆使

クルマは走るデータセンターに、仮想化技術を駆使

自動車用プロセッサにもデータセンターと同様、仮想化の時代がやってきた。車載コンピュータを仮想化して複数のOSやアプリケーションで動かすことができる。NXP Semiconductorが先日発表したドメインプロセッサS32ZとS32Eは、リアルタイム処理と制御処理を仮想化して1チップ上で実行できる。新しいドメインアーキテクチャを象徴している。 [→続きを読む]

動画可能な4DイメージングレーダーをイスラエルのVayyarが日本市場にきた

動画可能な4DイメージングレーダーをイスラエルのVayyarが日本市場にきた

ミリ波レーダーによる人々の安心・安全を見守る、という市場を開拓しているイスラエルを拠点とするVayyar社が日本での活動を本格化させた。1月に法人登録を済ませ、4月には元日本テキサスインスツルメンツ社社長を務めた田口倫彰氏が代表に就任した。製品は5〜10フレーム/秒程度の動画も作成できる4Dイメージングレーダーである。 [→続きを読む]

Lattice、システムの「レゴ」化に向けた新FPGA製品とO-RAN応用スタック

Lattice、システムの「レゴ」化に向けた新FPGA製品とO-RAN応用スタック

5Gの新しい基地局技術O-RANに見られるようにシステムを分割するディスアグリゲーションが進んでいる。これまでは何でもかんでも全て統合化する傾向にあったが、それらを分割し、汎用性を持たせて顧客が専用機を作れるようにする「レゴ」のような発想だ。それに向けたFPGA製品をLatticeがリリース、O-RANソリューションスタックも用意した。 [→続きを読む]

Valens、最大8Gbpsの信号を最大40メートル伝送できるSerDesチップ

Valens、最大8Gbpsの信号を最大40メートル伝送できるSerDesチップ

今後車載カメラが十数個搭載されるようになると、カメラからのデータをクルマ内のドメインコントローラやECUなどカーコンピュータユニットに送られる配線は極めて複雑になる。複数の配線を1本にまとめるSerDesチップは欠かせなくなる。この市場を狙ったイスラエルのValens Semiconductorが日本の自動車市場にやってきた。 [→続きを読む]

Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0導入を早められるマイコン、NXPが開発

Industry 4.0は、そう簡単には進まない。世界各地の工場はそれぞれ独自のネットワーク規格やプロトコルで動いているからだ。独自規格をIndustry 4.0を実現するTSN(Time Sensitive Network)規格に変換しながら下位互換性を持たせる作業を工場ごとにしなければならない。NXPはTSN規格と主要な複数の産業用ネットワークを切り替えられるマイコン「i.MX RT1180」を製品化した。 [→続きを読む]

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV急速充電/再エネ需要加速

1200Vや2000V耐圧のSiC MOSFET発表相次ぐ、EV急速充電/再エネ需要加速

EV(電気自動車)の急速充電や再生可能エネルギーのDC-ACコンバータなどの用途に向け、1200Vあるいは2000VのパワーSiC MOSFETでオン抵抗を減らした製品が競い合っている。UnitedSiCを買収したQorvoが1200V耐圧でオン抵抗23mΩ(図1)、SiCデバイス販売額トップのSTMicroelectronicsを追いかけるInfineonが2000V耐圧でオン抵抗20mΩ程度のSiC MOSFETを発表した。 [→続きを読む]

オン抵抗7mΩまで削減した1200V のSiC MOSFETをInfineonが開発

オン抵抗7mΩまで削減した1200V のSiC MOSFETをInfineonが開発

耐圧1200Vと高く、しかもオン抵抗7mΩと損失の小さなSiCパワーMOSFETをInfineon Technologiesが出荷し始めた。このCoolSiC MOSFET 1200V M1Hファミリには、標準のTO247パッケージの単体トランジスタに加え、インバータなどに適したパワーモジュールEasy 3Bパッケージも提供する。 [→続きを読む]

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