Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つ、クライエントSSD（半導体ディスク）「Micron 2500　NMVe」のサンプル出荷を開始した。このSSDには232層でQLC（Quad Level Cell）を持つNANDフラッシュ（図1）を搭載している。また、このNANDフラッシュを搭載した企業向けストレージ顧客向けの「Crucial SSD」は量産を開始した。

図1　Micron 2500 NVMeクライエントSSD　出典：Micron Technology

QLCは一つのメモリセルの信号レベルを16分割して、4ビット/セルと高密度化したセルである。前世代の176層のQLCと比べ、30%高密度で、3ビット/セルのTLC（Triple Level Cell）と比べ31%高密度化した。読み出し速度は、前世代の176層のQLC製品と比べ、24%高速読み出しと31%の高速書き込みが可能となっている。NANDフラッシュのI/O速度は2400MT/sと高速（MTはMega Transfersの略）。

「これまでは高密度化（低コスト化）と高性能（高速化）を両立させることはできなかったが、今回の232層のQLC方式のNANDフラッシュは、TLC並みの性能で高密度化を実現した」と同社VP兼クライエントストレージ部門担当General Manager のPrasad Alluri氏は語っている（図2)。DRAMメモリではLPCAMM（Low Power Compression Attached Memory Module）2やLPDDR（Low Power Double Data Rate）のように小型で低消費電力の製品が登場しているように、NANDフラッシュにも同様のエネルギー効率を求める方向が今回の製品だとしている。

図2　Micron Technology VP兼クライエントストレージ部門担当General Manager のPrasad Alluri氏

今回、高密度化と高速化を両立できたのは、フラッシュコントローラやファームウェアのアルゴリズムなどによるものだとAlluri氏は述べている。

クライエントPC向けの「Micron 2500 NVMe」SSDは、図1の写真に示すように、512GB（ギガバイト）、1TB（テラバイト）、2TBの容量を持ち、フォームファクタはM2.で、最も小さな22mm×30mmと22mm×42mm、22mm×80mmの三つのサイズがある（図3）。インターフェイスにはPCIe4.0とNVMe 1.4cがある。

図3　Micron 2500 SSDの機能・性能　出典：Micron Technology

4月23日にはSamsung ElectronicsもTLCで1Tビット製品を実現した第9世代のV-NANDフラッシュメモリの量産を開始したと発表している。この製品は、1TビットのTLCセルを使ったモデルだが、今年の後半にQLCセルの製品を生産する予定だ。