MEMSマイクを敢えて2チップ構成にして成長分野へ応用広げるAkustica
米東部のMEMS専門メーカーであるAkustica社は、音声認識、テレビ会議などへの応用を強く意識したアナログ出力のMEMSマイク、AKU340を開発した。音声に混入するノイズを低減する機能（ノイズキャンセラ）はスマホでは欠かせなくなってくる。そのためには複数個のMEMSマイクが必要。なぜか。電話インタビューでその狙いを聞いた。 [→続きを読む]
技術分析
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インテリジェント化するLED照明、蛍光灯ではできなかった調光機能を無線で
東京ビッグサイトで開かれたLED Next Stage 2012では、LEDならではの応用として調光を無線で行うというデモが各社から示された。照明の明るさを連続的に変える調光は白熱灯ではできたが蛍光灯ではできなかった。白熱灯では調光器のダイヤルを壁に備え付け、明るさを調整することが一般的だった。LEDは無線で調光するようになる。 [→続きを読む]
三菱電機、SiCインバータを一体化したモータ試作、インホイールEV射程内に
三菱電機の先端技術総合研究所は、SiCトランジスタを使ったインバータ（プリント基板）とモータの軸とを一体化、別々の場合よりも体積で50%削減することに成功した。SiCインバータ一体型モータ技術は、将来のインホイールモータ利用の電気自動車を視野に入れることができる。 [→続きを読む]
インテルの22nmFINFETプロセスをファウンドリとして使うTabula社
インテル社の22nm、FINFETプロセスをファウンドリとして利用する契約を、新興FPGAメーカーのタブラ（Tabula）社が締結した。タブラ社は、ロジックを時分割にリコンフィギュア(再構成)することで、これまでのハイエンドFPGAよりも小さな面積でFPGAを実現できる3D Space Timeアーキテクチャを特長としてきたベンチャーだ。 [→続きを読む]
カメレオンのように変身、進化を続けるインターシル、成長の10分野に特化
Wi-FiのIEEE802.11bという最初の無線LANチップを出荷したインターシル（Intersil）。このチップがコモディティとなるとすぐさま手放し、アナログに特化する。アナログ＆ミクストシグナルと、パワーマネジメントに特化することを宣言して4年たった。このほど、半導体チップの機能ではなく民生市場に向けた部門を設けた。 [→続きを読む]
システムと一体化する第2世代のセンサ技術(2)−オリンピックに生かす英国
2012年7月12日からロンドンオリンピックが始まる。オリンピックで勝つためにアスリートはどのようなトレーニングを行い、どのような身体に仕上げる必要があるのか。ボディセンサネットワークと信号処理、アルゴリズムの開発などICT技術を駆使して、理想的な身体特性を追求するセンサシステムの研究が英国インペリアルカレッジで行われている。 [→続きを読む]
システムと一体化する第2世代のセンサ技術(1)−海に囲まれた英国に見る
センサ技術が第2世代を迎えている。従来のセンサ技術動向では、物理量を電気量(電圧や電流)に変換するデバイス単体に焦点が当たっていた。第2世代では、センサがシステムと一体になってシステムをより便利に使え、より詳細に解析でき、より正確に制御できるようにエコシステムを構築する。第2世代センサシステムに取り組む英国スコットランドの状況を紹介する。 [→続きを読む]
リチウムイオン電池を10倍長持ちさせられる負極材料を英ベンチャーが量産へ
シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採用することで、電流容量を数倍から10倍に上げようという試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を克服できる技術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル寿命は従来並みを確保、電流容量は業界トップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを得ている。 [→続きを読む]
「技術で何ができるかが重要」というジョブズ氏の言葉を反映したクアルコム
ファブレス半導体メーカーのクアルコム（Qualcomm）が、民生エレクトロニクスの展示会であるCES（Consumer Electronics Show）で存在感を見せつけた。スティーブ・ジョブズ氏の「技術が重要なのではなく、技術で何ができるかが重要なのだ」を反映している。半導体チップのSnapdragon S4についてはあまり触れず、チップを使ってできる機能を見せた。 [→続きを読む]
6インチのGaN on Siウェーハで1 mm2のパワーLEDチップの光出力が634mW
ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ上にGaN層を形成し、青色LEDおよび黄色い薄膜を被覆させた白色LEDを開発、試作量産ラインに流した。使われたシリコンウェーハは市販のものを用いた。 [→続きを読む]
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