2011年10月11日
|技術分析(プロセス)
白色LED照明の原材料となるサファイヤ基板結晶を製造する装置と、サファイヤ結晶インゴットを製造販売する米GT Advanced TechnologyがLED Japanで存在感を示した。大きな体積のサファイヤ基板の8インチ化を可能にし、しかもインゴット直径当たりの価格も下げられる見通しだ。サファイヤの市場は拡大成長すると見る。展示会での同社の標語はGrowth begins here(成長はここから始まる)であった。
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2011年9月30日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
米EDAベンダーであるメンターグラフィックスが組み込み系のソフトウエアに力を入れている。2010年11月に組み込みソフトウエア開発ツールベンダーのCodeSourcery社を買収して傘下に収めた。このほど富士通はCodeSourceryが持っていた開発ツールSourcery CodeBenchをFM3 Cortex-M3マイクロコントローラの組み込み開発に採用したことを発表した。
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2011年9月22日
|技術分析(半導体応用)
フリースケールが家庭用の電力マネジメントシステム、いわゆるHEMS(ホームエネルギー管理システム)に力を入れていることが明らかになった。9月中旬、東京港区で行われたFreescale Technology Forum(FTF)Japan 2011において、同社はOSベンダーなどのエコシステムを通してHEMSの展望について語りデモも見せた。
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2011年9月13日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
半導体デバイスの電気的特性を測る測定器は、その半導体の持つ特性よりもより高速、より高周波、より低ノイズ、より大電流、より高電圧、といった性能が要求される。大電力のパワーデバイスの測定器も同様だ。計測器メーカー大手の米テクトロニクス社が主催したセミナーでSiC MOSFETパワーデバイスの現状をロームが明らかにした。
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2011年9月 9日
|技術分析(製造・検査装置)
米テクトロニクス社は、周波数を横軸とするスペクトルアナライザ機能と、時間を横軸とするオシロスコープの機能を持たせた新型のオシロスコープMDO4000シリーズを発売する。最近の流行語であるコネクティビティとワイヤレスインターネットという言葉で代表されるモバイル機器にはRF回路は欠かせない。このオシロはRFからデジタルまで使える。
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2011年9月 7日
|技術分析(半導体製品)
オランダのNXP SemiconductorはNFC(near field communication)やRFID用半導体を100種類以上も展開しているが、自動認識展2011においても非接触のRFIDカードから、10m程度までの通信を可能にするUHF帯通信RFIDカード、そしてNFCなど新しい市場を狙ったIC製品群を発表した。
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2011年8月31日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
半導体ビジネスにソフトウエアの比率が高まってくるにつれ、ソフトウエアプログラムにつきもののバグが頭痛の種になる。これまでバグを退治するツールは見つけて除去するだけで、他にも潜んでいる可能性はあった。もし、バグがないことを証明してくれたら、SoCの設計時間がぐんと短くなる。この夢を実現してくれるソフトウエアツールが普及の兆しを見せている。
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2011年8月17日
|技術分析(プロセス)
Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。
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2011年8月17日
|技術分析(プロセス)
熱をよく逃がすが、電気は通さない、という放熱用の絶縁材料を、エポキシにフィラー粒子として混ぜることで熱伝導の優れた樹脂が使えるようになる日が近い。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、熱伝導率の高いエポキシ樹脂を研究している関西大学の原田研究室が、マイクロ・ナノファブリケーション研究会で顔を合わせた。
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2011年8月15日
|技術分析(プロセス)
米国のLED(発光ダイオード)専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ上にGaNの白色LEDを作り、色温度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、従来のサファイヤやSiC基板で作ったLED並みの明るさを実現した。クラックのないGaN結晶層を実現できたためで、2年後には商品化したいとしている。
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