GaN-on-Siのベンチャー続出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも活発に投資

Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。 [→続きを読む]
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Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。 [→続きを読む]
熱をよく逃がすが、電気は通さない、という放熱用の絶縁材料を、エポキシにフィラー粒子として混ぜることで熱伝導の優れた樹脂が使えるようになる日が近い。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、熱伝導率の高いエポキシ樹脂を研究している関西大学の原田研究室が、マイクロ・ナノファブリケーション研究会で顔を合わせた。 [→続きを読む]
米国のLED(発光ダイオード)専門メーカーのBridgelux社は、8インチSiウェーハ上にGaNの白色LEDを作り、色温度4350Kのクールホワイトで160 lm/Wと、従来のサファイヤやSiC基板で作ったLED並みの明るさを実現した。クラックのないGaN結晶層を実現できたためで、2年後には商品化したいとしている。 [→続きを読む]
民生用半導体ファブレスの米トライデントマイクロシステムズ(Trident Microsystems)がテレビやセットトップボックス(STB)用の画質改善ICのロードマップを発表した。2次元画像から3次元画像を作り出したり、フレーム周波数を240Hzと4倍速にしたり、画面サイズ21:9というシネマスコープのアスペクト比に対応したりするなど次世代テレビ向け技術を満載している。 [→続きを読む]
米テクトロニクス(Tektronix)社は周波数帯域33GHz、2チャンネルでサンプリング周波数100Gサンプル/秒という超ハイエンドのリアルタイムオシロスコープを発売した。測定器は計測すべき試料の持つ特性をカバーしなければならないため、ただでさえ高性能が求められるがこのオシロの設計にはIBMの高速SiGeバイCMOS技術を使った。 [→続きを読む]
スマートフォンやタブレットなど携帯端末にも最大データレートが5GbpsのUSB3.0インターフェース規格が載るようになる日が近い。米サイプレスセミコンダクタ(Cypress Semiconductor)はUSB3.0インターフェースを載せたICを2機種発表、一つは携帯端末向け、もう一つは汎用向けである。 [→続きを読む]
米メンター・グラフィックス(Mentor Graphics)社は、アナログとミクストシグナル用の設計ツールであるPyxisを発表した。これは従来同社がICStationという名称で製品化していたアナログ設計ツールを改良、回路のカスタマイズを簡単にできるようにし直観的なGUIに替えたもの。 [→続きを読む]
三菱電機のパワーコンディショナは、ライバルが一目置くほどの性能を示しているが、SPIフォーラム「災害に強い電力網を目指して〜次世代グリッドの早期実現へ」(参考資料1)の中で、同社はその技術コンセプトを明らかにした。 [→続きを読む]
「アップルは2007年に最初のiPhoneを出した後2011年のiPhone5まで5機種しか出してこなかったのに対して、サムスンは16機種ものスマホを発表した。これほど多様な商品開発に対応するにはFPGAしかない」。こう語るのは米FPGAベンチャーのシリコンブルー(Silicon Blue)社ソリューションマーケティング担当VPのDenny Steele氏。 [→続きを読む]
LTE時代には、3GやHSPA(high speed packet access)、などさまざまな通信方式が共存することがはっきりしてきた。7月5日〜6日、パシフィコ横浜で開かれたWTP(Wireless Technology Park)では、KDDI研究所が方式の異なる無線通信の中から最適な方式を選ぶコグニティブ無線をさらに発展させ、データレートを改善する試みをはじめ、さまざまな通信方式や周波数帯が共存する環境での無線技術が新しいトレンドとなってきた。 [→続きを読む]
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