2013年の世界の半導体設備投資は2%増だが、14年は23%増以上、SEMI予測

2013年の半導体設備投資総額は対前年比2%増の325億ドルになりそうだ、という予測をSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導体LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も対象としている。 [→続きを読む]
2013年の半導体設備投資総額は対前年比2%増の325億ドルになりそうだ、という予測をSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導体LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も対象としている。 [→続きを読む]
台湾の鴻海精密工業が大阪に研究開発拠点を設立した、と6月1日付けの日本経済新聞が報じた。鴻海は液晶デバイスを開発することが狙いのようだ。スマートフォンやタブレット、テレビなどのタッチパネル液晶ディスプレイが今後も成長すると見ているのだろう。これらとリンクして半導体製造装置も回復しつつある。 [→続きを読む]
フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR(線幅の粗さ:line width roughness)1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]
EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター(EIDEC)が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
パソコンからモバイルへの動きが加速している。先週のニュースはこの動きを見事に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基板、モバイル通信インフラ、全てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→続きを読む]
日本製半導体・FPD製造装置が好調さを持続している。このほどSEAJ(日本半導体製造装置協会)が発表した、4月の受注額・販売額・B/Bレシオのデータでは、受注額が増え続け、先月予想した通り、B/Bレシオは共に1.00を超え好調を維持している。 [→続きを読む]
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
アベノミクス第3本目の矢に相当する、成長戦略の概要が安倍首相から発表された。2012年度の年間63兆円の設備投資額に対して、今後3年の間に70兆円を目指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジー展」が開かれることでカーエレ技術の半導体の発表が富士通、東芝からあった。半導体材料メーカーも相次いで成長戦略を発表した。 [→続きを読む]
半導体製造装置市場が持ち直してきた。日本製半導体製造装置の受注額は5カ月連続プラス成長しており、2013年3月には販売額が受注額を上回るほどに装置が売れた。この結果、B/Bレシオが1.00を割り0.96となったが、悲観するほどのレベルではないだろう。 [→続きを読む]
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