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製造装置

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半導体製造装置は依然として好調さを維持

半導体製造装置は依然として好調さを維持

2013年12月における日本製半導体製造装置の受注額は1077億9900万円と前月より若干下がったが、販売額も同様な傾向で795億7800万円となったとSEAJ(日本半導体製造装置協会)が発表した。この結果B/Bレシオ(販売額に対する受注額の比)は1.35と依然高水準にある。 [→続きを読む]

UMCと新日本無線、プロセスの共同開発でローノイズアンプを製品化

UMCと新日本無線、プロセスの共同開発でローノイズアンプを製品化

台湾ファウンドリのUMCと国内アナログに強い新日本無線(NJR)が、ファブレスとファウンドリの関係を超えたコラボレーションを強めている(図1)。共同で製品プロセスのプラットフォーム化を進めると同時に、オペアンプ製品の消費電力を下げながらノイズ(1/fとホワイト)を抑えるプロセスを開発した。 [→続きを読む]

半導体生産能力の世界ランキング、Samsung、TSMCの次はMicron

半導体生産能力の世界ランキング、Samsung、TSMCの次はMicron

世界の半導体ファブ生産能力のトップテンランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると、1位はSamsung、2位TSMC、3位Micronという順である。トップ10社の生産能力は全世界の半導体メーカーの67%にも達し、2009年の54%から増加し、寡占化が進んでいることが判明した。 [→続きを読む]

次世代TFET、共鳴TFET、finFET対FDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

次世代TFET、共鳴TFET、finFET対FDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013

IEEE IEDM(International Electron Device Meeting)では、トンネルFET(TFET)をはじめとする次世代半導体の発表がさまざまな研究所、大学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流の傾斜を急峻にできるというメリットがあるため、各社はこれを生かし、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→続きを読む]

少電流・高速・1億回書き換え可能な相変化メモリをLEAPが開発

少電流・高速・1億回書き換え可能な相変化メモリをLEAPが開発

相変化メモリがRAMとして使える可能性が出てきた。超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、結晶Aと結晶Bの遷移だけで相転移できる原理を利用したメモリを開発し、1億回を超える書き換え回数を得た。これ以上の書き換えテストは時間がかかりすぎるため、中止したという。 [→続きを読む]

NANDフラッシュの市場がデジカメ・スマホからデータストレージにも拡大

NANDフラッシュの市場がデジカメ・スマホからデータストレージにも拡大

ビッグデータ、データセンター、ストレージ、NANDフラッシュ、複雑な高集積プロセス。一見関係のない言葉だが、半導体のプロセスがITデータセンターの技術と今、深く結びついている。AEC/APCレポート(参考資料1)で報告したように、ビッグデータの解析に使うHadoopソフトウエアが、複雑な半導体プロセスパラメータの解析にも使われるようになり、NANDフラッシュはHDDと置き換わる過渡期にある。 [→続きを読む]

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