» セミコンポータルによる分析 » 技術分析
磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今年末から一気に加速しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ部門と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018年末に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東北大学主催のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→続きを読む]
家庭内のWi-Fi機器が数十台もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに力を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON技術も開発した。 [→続きを読む]
クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの市場としてもカーエレクトロニクス市場は大きい。ヘッドランプ/テールランプ用LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも活躍する。パワー関係もいくつか拾ってみる。 [→続きを読む]
Infineon Technologiesがシンガポールにある同社の後工程工場のIndustry 4.0すなわちスマート工場化を進めていることを明らかにした。同社シンガポール工場長でバイスプレジデントを務めるLaurent Filipozzi氏は、スマート化とデジタル化を進めることによって生産効率を上げるだけではなく、市場への出荷期間が短くなり、管理もしやすくなったとしている。 [→続きを読む]
Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4種類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮遊ゲート型のメモリセル構造を持つ。東芝やSamsungがMNOS構造を採用したのとは対照的。SSDとしての工夫も多い。 [→続きを読む]
TSV（Through Silicon Via）を使い、シリコンチップを積み重ねて配線電極を貫通させる3次元ICは、TSV工程のコスト高が問題でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み重ねた3次元ICであるHBM（High Bandwidth Memory）は、ハイエンドのHPC（High Performance Computing）分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに降りてきた。 [→続きを読む]
フランスの半導体IPベンチャーのeVaderis社は、組み込みMRAMのIPを開発、それを集積したマイクロコントローラ（マイコン）をスロベニアのBeyond Semiconductorが設計、このほどテープアウトを終えた。IoTやウェアラブルのような低消費電力用途を狙う。 [→続きを読む]
Intelは、バンド幅が512Gバイト/秒と極めて広いHBM2（High Bandwidth Memory）を搭載したFPGA「Stratix 10 MX」の販売を開始した。HBMはTSV（Through Silicon Via）を使って、DRAMメモリアレイチップを縦に重ねた構造を持つ高密度メモリ。大量のデータを一気に流す用途に適している。 [→続きを読む]
米国に遅れること3年。日本でもAIスピーカーが登場してきた。Googleが「Google Home」、 Amazonは「Amazon Echo」、LINEは「Clova WAVE」などが日本語を理解する音声認識ソフトウエアを使ったAIスピーカーという名称で登場してきた。音声もビームフォーミングで指向性を調整することで認識率を高めることができる。これを可能にするチップを英ファブレスのXMOSが投入している。 [→続きを読む]
IoT向けのチップは、センサごとにアナログフロントエンド回路が異なるため、ウェアラブルや工業用IoTなど用途を決めて設計する必要がある。Maxim Integratedは、心拍数計測用チップMAX86140/86141と、心電図・生体インピーダンス計測用アナログフロントエンド（AFE）を集積したMAX30001を発表した。さらに複製できないセキュア認証用のチップDS28E38も追加発表した。 [→続きを読む]
<<前のページ 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 次のページ »
