セミコンポータル: 技術分析

144cm2の大面積で効率14.5%のペロブスカイト・ソーラーセル

2018年4月18日｜技術分析（プロセス）

オランダの太陽電池コンソーシアムSollianceは、144cm2の面積で変換効率が14.5%と高いペロブスカイト構造のソーラーモジュールを開発した（図1）。ペロブスカイト構造の太陽電池は、有機材料で構成する塗布型ソーラーセルであり、最近注目が急速に集まっている。2011年に小面積だが10%を超えるものが発表されて以来、その勢いがあまりにも急だからである。 [→続きを読む]

量産前夜のSiC パワーMOSFET、ロームが6インチの新工場を建設

2018年4月12日｜技術分析（半導体製品）

ロームはSiCパワー半導体に力を入れてきたが、SiC MOSFETのデータセンターの無停電電源やソーラー発電をはじめとして電源用を中心に出荷が増えている。2020年ごろからのEV（電気自動車）用途の拡大に向け、これまでの工場では間に合わなくなることから、九州の筑後工場（図1）にSiCデバイスの6インチラインを増設する。 [→続きを読む]

ルネサスの28nmフラッシュマイコン、自動運転向け制御へ

2018年3月28日｜技術分析（半導体製品）

ルネサスエレクトロニクスは、さらなる排ガス規制/低燃費に対応し、コネクテッドカー向けのセキュリティと大容量フラッシュメモリ容量、そして機能安全のASIL-Dに準拠し自動運転に向けた、マルチコアマイコン「RH850/E2xシリーズ」(図1)を開発、サンプル出荷を始めた。これは28nmプロセスで設計したフラッシュマイコン。 [→続きを読む]

磁気スピンの向きで1、0を判別するSTT-MRAMが今年末から一気に加速しそうだ。Samsung Electronicsのファウンドリ部門と、ファウンドリのGlobalFoundriesは2018年末に組み込みMRAM（eMRAM）のリスクプロダクションを開始すると東北大学主催のCIES（Center for Innovative Integrated Electronic Systems）Technology Forumで発表した。 [→続きを読む]

Qualcomm、家庭内機器をセキュアなWi-Fi Meshで何台でもつなぐ戦略

2018年2月 9日｜技術分析（半導体製品）

家庭内のWi-Fi機器が数十台もつなげられるようになる。QualcommがWi-Fiメッシュネットワークに力を入れ始めた。このほど、スマートホームのWi-Fiルータを作れるメッシュネットワークを構成するリファレンスデザインを日本でも提供する。さらにメッシュネットワーク信頼性を確保するためWi-Fi- SON技術も開発した。 [→続きを読む]

インテリジェントカーが事故を減らす－カーエレ展から(後編)

2018年2月 2日｜技術分析（半導体製品）

クルマをインテリジェントにする場合でも最終的には、アクチュエータを動かすモーターにつながる。そのためのパワートランジスタやICの市場としてもカーエレクトロニクス市場は大きい。ヘッドランプ/テールランプ用LEDドライバや電源IC、小型モータドライブIC、充電ICなどもパワーICも活躍する。パワー関係もいくつか拾ってみる。 [→続きを読む]

半導体後工程でのIndustry 4.0をシンガポールInfineonが明らかに

2018年2月 1日｜技術分析（製造・検査装置）

Infineon Technologiesがシンガポールにある同社の後工程工場のIndustry 4.0すなわちスマート工場化を進めていることを明らかにした。同社シンガポール工場長でバイスプレジデントを務めるLaurent Filipozzi氏は、スマート化とデジタル化を進めることによって生産効率を上げるだけではなく、市場への出荷期間が短くなり、管理もしやすくなったとしている。 [→続きを読む]

Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採用

2018年1月24日｜技術分析（半導体製品）

Micron Technologyは64層の3D-NANDフラッシュメモリを搭載したSSD「Crucial MX500」を発売した。ストレージ容量は250GBから2TBまで4種類(図1)。Micronの3D-NANDはIntelと共同開発した、浮遊ゲート型のメモリセル構造を持つ。東芝やSamsungがMNOS構造を採用したのとは対照的。SSDとしての工夫も多い。 [→続きを読む]

3D-ICがパソコンレベルにやってきた

2018年1月11日｜技術分析（半導体製品）

TSV（Through Silicon Via）を使い、シリコンチップを積み重ねて配線電極を貫通させる3次元ICは、TSV工程のコスト高が問題でなかなか普及しなかった。これまでDRAMセルアレイチップを積み重ねた3次元ICであるHBM（High Bandwidth Memory）は、ハイエンドのHPC（High Performance Computing）分野でしか使われなかった。それがパソコンレベルに降りてきた。 [→続きを読む]