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人が話しかければ、言葉で答えてくれる。しかもインターネットにつなぐ必要もない。こんなエッジAIを実現するAIチップをスタートアップのSiMa.ai（シーマドットエイアイ）が開発した。LLM（大規模言語モデル）を使って受け答えだけではなく、映像データも分析する。4000FPS（フレーム/秒）という超高速度映像にも対応する。エッジAIだからこそクルマやドローン、ロボット、監視カメラなどでの広い応用が期待される。 [→続きを読む]
Intelはパソコン向けにIntel 18Aプロセスを使ったSoC「Panther Lake」を発表していたが、このほどその詳細を明らかにした（図1）。最近のCPUはCPUだけではなくGPU（グラフィックプロセッサ）やNPU（ニューラルプロセッサ）などを集積しており、CPUと呼ぶにはふさわしくないため、SoCと呼ぶ。Panther Lakeは3種類の製品シリーズがあるが、全て同じパッケージ、同じピン配置を採っている。 [→続きを読む]
電源と同様、デジタル回路では水晶振動子のような安定な振動子は欠かせない。しかし、MEMS振動子が水晶振動子を超えただけではなく（参考資料1）、超小型のMEMS振動子Titanを開発したSiTimeは、新市場を手に入れつつある。従来の水晶振動子で最も小さい製品の1/4しかないTitanは、SiPパッケージ内にも導入できるレベルにやってきた。 [→続きを読む]
IPベンダーのArmは、モバイルAI向けにCPUとGPUとAIアクセラレータを集積できる巨大なIP「arm lumex」を提供すると発表した。同社はこれをCSS（Compute Sub-Systems）プラットフォームのモバイル版と呼び、データセンター向けの「Arm Neoverse」、車載向けの「Arm Zena」に続く、シリーズの一つである。スマートフォンにも巨大なIPでAIワークロードを実行することになる。 [→続きを読む]
かつて超高速のデータレートを誇ったUWB（Ultra-Wide Band）通信が復活する兆しを見せている。UWBは中心周波数6GHzあるいは8GHzで周波数帯域が500MHzあるいは1.5GHzを利用し、480Mbpsの高速通信する技術だったが、Wi-Fiの高速化に押され姿を見なくなった。しかし、高周波・高データレートの通信用途ではなく、位置検出やレーダー応用（図1）として再登場しそうなのだ。 [→続きを読む]
STMicroelectronicsがパワー半導体のシグナルチェーンにおいて、SiP（システムインパッケージ）手法を用いて、モータドライブ用の半導体開発に活かしている。パワー半導体がシリコンのMOSFETからGaN HEMTやSiC MOSFETなどに変わっても、このシステムは変わらない。SiPは、小型、インテリジェント、高性能、低コストなどメリットは多い。 [→続きを読む]
Micron Technologyは、昨年7月に発表した第9世代（G9）のNANDフラッシュ技術を用いてAIデータパイプラインに沿ったストレージのあり方として、新型SSD（半導体ディスク）の「Micron 6600 ION」、「Micron 7600」、「Micron 9650」を発表した。それぞれAIの学習・推論の処理工程に使う。G9の最大の特長はIO速度であり、AI利用では層数争いではなく、スピード競争になりそうだ。 [→続きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、マイクロコントローラ（MCU）の微細化を進めるために従来のNORフラッシュに代えてMRAMで22nm以降に対応する。微細化するのは、高集積化のためだが、従来のマイコンCPUに加え、AI専用のNPU（ニューラルプロセッサ）コアも集積しているのが特長だ。このほど第1弾としてAIoT向けの次世代マイコン「RA8P1」をサンプル出荷している。 [→続きを読む]
Infineon TechnologiesがこれからのSD-V（ソフトウエア定義のクルマ）時代を迎え、CPUコアとしてRISC-Vを採用することを明らかにした（図1）。RISC-Vコアは米カリフォルニア大学バークレイ校の教授らが開発した、オープンソースのCPUコアであり、誰でも利用できる。とはいえ、非常にシンプルな命令セットなので自分で開発する場合には必要な命令セットやパイプライン構造、マルチコア対応などを作り込む必要がある。なぜInfineonはRISC-Vに力を入れるのか。 [→続きを読む]
Texas Instrumentsは、並列接続により最大6kWまでの電力を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電力を消費するデータセンターの電源を確保できるようになる。一般のeFuseをただ単に並列にしても、MOSFETのオン抵抗や配線パターンの抵抗やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い部分に電流集中が起こりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→続きを読む]
