今日の世界のNewsとして、1nm未満のプロセス開発に向けIBMとLam Researchが提携、AMATとMicronは次世代メモリ開発（HBM、NAND）でパートナーを組む、の2本を選択しました。いずれも日本の製造装置メーカーではなく米国の装置メーカーと半導体メーカーとのコラボです。IBMは今やファブレス半導体で、開発だけを担っています。

IBMとLamの提携は元々共同開発してきた実績がありますが、新材料開発からプロセス、高NAのEUVリソグラフィ技術を含めて今後5年間の共同プロジェクトを組みます。FinFETやGAAのような3Dトランジスタや配線技術を使った3Dスケーリング技術（微細化）から、ナノシートを使う1nm未満のプロセスノードでは高NA EUVやドライレジストなどの新プロセスが必要となってきます。

1nm未満のロジックプロセスに向けIBMとLam Researchが提携
全文：IBM and Lam Research Announce Collaboration to Advance Sub-1nm Logic Scaling, Semiconductor Digest

Applied Materials （AMAT）とMicronは、次世代のDRAMとHBM、NANDフラッシュを共同で開発します。元々AMATとMicronは互いにパートナーシップを組んでいましたが、将来のAIではメモリがカギを握るとの認識でパートナーシップをより深めた格好になるとしています。

AMATとMicron、次世代AIメモリ開発で提携
全文：Applied Materials and Micron Partner To Advance U.S. Innovation in Next-Generation AI Memory Solutions, Semiconductor Digest