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セミコンポータルによる分析

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NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと組み、計算機リソで2nmノードを突破へ

NvidiaがASML、TSMC、Synopsysと組み、計算機リソで2nmノードを突破へ

プロセスノード2nm以降の次世代半導体チップ製造に欠かせない、計算機リソグラフィ(Computational Lithography)のエコシステムをTSMCとNvidia、ASML、Synopsysが設立した。3nmノードの実チップ上での最小寸法が13nm台までやってきて、波長13.5nmのEUVリソでもOPC(光近接効果補正)の導入が欠かせなくなってきた。計算機リソはそのための技術である。 [→続きを読む]

配線金属膜をどのような基板にも付けられるi-SB技術を岩手大が事業化へ

配線金属膜をどのような基板にも付けられるi-SB技術を岩手大が事業化へ

プリント基板だけではなく、テフロンなどの基板にも密着性の良い配線を形成できる技術を岩手大学が開発、高周波特性の優れた回路を容易に形成できるようになる。岩手大のi-SBと呼ばれる技術は、分子接合材を用いる異種材料接合技術である。産業界もすでに着目し始め、実用化に向けたエコシステムの構築中だ。この技術を普及させるためのプラットフォームを今秋には構築する計画で進めている。 [→続きを読む]

Samsungが20年間で31兆円投資、三菱電機は8インチのSiCラインに投資

Samsungが20年間で31兆円投資、三菱電機は8インチのSiCラインに投資

Samsungが韓国内に今後20年間で300兆ウォン(約31兆円)を投じ、新たな半導体生産工場を設立すると表明した。また、日本では韓国との懸案事項であった半導体材料3品目の輸出管理を緩和すると経済産業省が発表した。また、三菱電機は熊本のパワー半導体工場において1000億円を投資、SiCのための新棟を建設する。Infineonが車載マイコンでUMCと長期契約した。 [→続きを読む]

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工程の評価手法を開発

Imec、脱炭素のためのリソとエッチング工程の評価手法を開発

半導体工場の脱炭素化が求められるようになってきたが、ベルギーの研究開発会社であるimecは、リソグラフィとエッチング工程における環境負荷を定量的に評価するシミュレーションを発表した。半導体プロセスの環境評価によりCO2削減への対策を打つことができる。まずはリソとエッチング工程でEUVの優位性が示された。 [→続きを読む]

半導体の人材育成、プログラムを創設する経産省、レゾナックは新人事制度

半導体の人材育成、プログラムを創設する経産省、レゾナックは新人事制度

半導体産業がかつてないほど盛り上がりを見せているが、問題となっている人材育成に関して経済産業省から新しいプログラムを創設するという計画が発表された。旧昭和電工は日立化成を買収してレゾナックと社名を改め、半導体を念頭に置いた人事制度を刷新する。北海道もラピダス支援の新組織を作る。米国はインドと半導体で協力するという覚書を交わした。 [→続きを読む]

2023年はDRAMの主用途がモバイルからサーバー向けに大きく転換する年に

2023年はDRAMの主用途がモバイルからサーバー向けに大きく転換する年に

サーバー用のDRAMが2023年中にモバイルDRAMを記憶容量のビット数で超えるという見込みをTrendForceが発表した。DRAMの総ビット出荷量は、サーバー向けが37.6%になるのに対してモバイル向けは36.8%に留まると予想した。つまりこれまで、DRAMのビット出荷量全体をけん引していたモバイル向けがとって代わられることになる。 [→続きを読む]

2月に最もよく読まれた記事は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2月に最もよく読まれた記事は「1200VのパワーGaNベンチャー」

2023年2月に最もよく読まれた記事は、「GaNの常識を覆す1200Vの技術でEV市場を狙うパワー半導体ベンチャー」であった。GaNは650Vまで、SiCは1200V以上も可、というこれまでの常識を覆すGaN HEMT構造を見直した結果、横型HEMTでも1200V、20A程度のパワートランジスタを作れることを実証した。ソニー出身のエンジニアが設立したGaNのベンチャー「パウデック」を紹介した記事だ。GaNでも縦型にすれば1200Vは可能だと言われているが、作りやすく安価な可能性のある横型で高耐圧を実現した。 [→続きを読む]

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