セミコンポータル: セミコンポータルによる分析

銅の5倍の熱伝導性を持つ合成ダイヤ薄膜で、日本市場狙うElement Six社

2013年8月30日｜技術分析（プロセス）

英国の工業用ダイヤモンド材料メーカーであるElement Six Technologies社が日本での活動を本格化させている。これまで工業用のダイヤモンド砥粒やパウダーなど物理的に固いという特長を生かし機械的な作業の分野に注力していたが、エレクトロニクスにも力を入れ始めた。熱伝導の良さに注目している。 [→続きを読む]

Keithley、タッチパネル方式の複合DC測定器SMUを発売

2013年8月28日｜技術分析（製造・検査装置）

絶縁体や半導体pn接合の微小なリーク電流測定器で定評のあるKeithley Instrumentsが、使い勝手を格段に向上させ、計測時間を大幅に短縮した測定器SMU（Source Measurement Unit）を61万円で発売した。SMUは電圧源、電流源を内蔵しカーブトレーサやデジタルマルチメータの機能を持つDC測定器。同社がTektronixと経営統合し、シナジー効果を発揮した製品だ。 [→続きを読む]

景気ドライバがモバイルに移行、対照的になる半導体vs FPDの製造装置

2013年8月27日｜市場分析

日本半導体製造装置協会（SEAJ）が発表した、7月の日本製半導体製造装置のB/Bレシオは1.19と健全なレベルに来ている。6月は、B/Bレシオ1.40を記録したが、受注額が変わらないのに販売額が前月より22%も下落したためであり、この月が特に良かった訳ではない。7月は販売が15％増と持ち直した。FPD装置は受注が縮小している。 [→続きを読む]

グローバルファウンドリーズ、MEMS-ASICとカーエレで日本に攻勢

2013年8月22日｜産業分析

GlobalFoundriesの日本法人、グローバルファウンドリーズ・ジャパン（GFジャパン）が国内市場に向けて攻勢をかけている。特に、MEMS-ASICとカーエレクトロニクスは日本のメーカーが得意とするところ。これらの市場を攻めていく。 [→続きを読む]

サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量産開始

2013年8月15日｜産業分析

8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量産を開始するというニュースを発表したが(参考資料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを用いたSSD（ソリッドステートドライブ）を生産開始したと発表したのである。 [→続きを読む]

100億ユーロの欧州半導体産業計画の全貌が明らかに

2013年8月 9日｜産業分析

欧州が半導体産業（最近ではナノエレクトロニクス産業と表現することが多い）に100億ユーロ(約1兆3000億円)を投資するという計画（参考資料1）が明らかになった。この計画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn氏が450mmウェーハの実情を調査、そのレポートをベースに持ち上がった。来日したMalcolm Penn氏(図1)に、欧州計画について聞いた。 [→続きを読む]

2013年上半期の世界半導体メーカートップ20社ランキング、メモリ復活

2013年8月 6日｜市場分析

2013年上半期の世界の半導体メーカートップ20社ランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは前年同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→続きを読む]

TowerJazz、デザインセンターを社内に置きサポートの充実図る

2013年8月 2日｜技術分析（プロセス）

イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→続きを読む]

スマホ・タブレットがけん引、光/近接センサは2017年まで19%で成長

2013年7月31日｜市場分析

光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル（旧アイサプライ）は見る(図1)。2017年までにCAGR（年平均成長率）19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]

コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

2013年7月31日｜技術分析（半導体製品）

Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→続きを読む]

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