セミコンポータル: セミコンポータルによる分析

サムスン、3次元NANDを64個搭載したSSDを量産開始

2013年8月15日｜産業分析

8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量産を開始するというニュースを発表したが(参考資料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを用いたSSD（ソリッドステートドライブ）を生産開始したと発表したのである。 [→続きを読む]

100億ユーロの欧州半導体産業計画の全貌が明らかに

2013年8月 9日｜産業分析

欧州が半導体産業（最近ではナノエレクトロニクス産業と表現することが多い）に100億ユーロ(約1兆3000億円)を投資するという計画（参考資料1）が明らかになった。この計画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn氏が450mmウェーハの実情を調査、そのレポートをベースに持ち上がった。来日したMalcolm Penn氏(図1)に、欧州計画について聞いた。 [→続きを読む]

2013年上半期の世界半導体メーカートップ20社ランキング、メモリ復活

2013年8月 6日｜市場分析

2013年上半期の世界の半導体メーカートップ20社ランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは前年同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→続きを読む]

TowerJazz、デザインセンターを社内に置きサポートの充実図る

2013年8月 2日｜技術分析（プロセス）

イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→続きを読む]

スマホ・タブレットがけん引、光/近接センサは2017年まで19%で成長

2013年7月31日｜市場分析

光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル（旧アイサプライ）は見る(図1)。2017年までにCAGR（年平均成長率）19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]

コスト的にもSiに勝てるメド、TransphormのGaNパワートランジスタ

2013年7月31日｜技術分析（半導体製品）

Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→続きを読む]

中国IC生産のトップ10ランキング、1位にIntelが躍り出る

2013年7月26日｜市場分析

中国におけるIC生産をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという結果が米市場調査会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012年におけるIC生産額について調べたもの。中国におけるIC生産は2012年に89億ドルにとどまり、ICを使う市場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→続きを読む]

フリースケール、次世代安全システムを実装、Super GTレースでテスト

2013年7月25日｜技術分析（半導体応用）

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが市販車のカーレース、Super GTに参戦する。ADAS（Advanced Driver Assist System：次世代ドライバー支援システム）を実際のレースでテストしてみるのがその目的だ。速度やエンジン回転数などの車両情報、クルマの前後左右の周辺情報、そしてドライバーの生体情報を、同期をとりながら取得していく。 [→続きを読む]

SuVolta社、富士通に続き、ARM、UMCとも契約、成長企業へ踏み出す

2013年7月23日｜技術分析（プロセス）

MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta（スボルタ）社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]

Infineonのパワー半導体、新パッケージ技術で差を付ける

2013年7月22日｜技術分析（デバイス設計& FPD）

パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17～19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]

セミコンポータルによる分析