スマホ・タブレットがけん引、光/近接センサは2017年まで19%で成長

光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル(旧アイサプライ)は見る(図1)。2017年までにCAGR(年平均成長率)19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]
光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル(旧アイサプライ)は見る(図1)。2017年までにCAGR(年平均成長率)19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]
Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm(トランスフォーム)社が提案した。 [→続きを読む]
中国におけるIC生産をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという結果が米市場調査会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012年におけるIC生産額について調べたもの。中国におけるIC生産は2012年に89億ドルにとどまり、ICを使う市場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→続きを読む]
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンが市販車のカーレース、Super GTに参戦する。ADAS(Advanced Driver Assist System:次世代ドライバー支援システム)を実際のレースでテストしてみるのがその目的だ。速度やエンジン回転数などの車両情報、クルマの前後左右の周辺情報、そしてドライバーの生体情報を、同期をとりながら取得していく。 [→続きを読む]
MOSトランジスタのゲートしきい電圧Vthのバラつきを本質的に減らす技術企業のSuVolta(スボルタ)社。このほど、ARMコアで高性能・低消費電力を実証、さらにUMCと28nmプロセスを共同開発することを発表した。この技術は、Vthバラつきを小さくできるため、電源電圧を下げ、消費電力を削減できる。 [→続きを読む]
パワー半導体に力を入れているInfineon Technologiesは、そのプロセス工場で300mmウェーハの生産を始めたが、パッケージに関しても新しいコンセプトを次々と打ち出している。例えば、ボンディングワイヤーを使わずにCuピラーを用いて、パワートランジスタとドライバトランジスタの回路を接続するというマルチチップパワーパッケージ技術を、7月17〜19日東京で開催されたTechno Frontier2013で公開した。 [→続きを読む]
DRAMの平均単価ASP(average selling price)が2010年第4四半期レベルにまで戻った。2013年第1四半期の1.97ドルが第2四半期には2.42ドルになり、以降の第3四半期、第4四半期はそれぞれ2.53ドル、2.52ドルと市場調査会社のIC Insightsは予測している。 [→続きを読む]
スマートフォンやタブレットに使われるアプリケーションプロセッサの世界市場シェア(金額ベース)を、米国市場調査会社のStrategy Analytics(ストラテジーアナリティクス)社が発表した。それによると、スマホのトップ企業は昨年よりもシェアを広げたQualcommで、49%だった。だが、タブレットではQualcommはトップ5社には入っていない。 [→続きを読む]
スウェーデンの通信機器メーカーであるエリクソンが2018年までのモバイルネットワークの世界動向をこのほど明らかにした。これによると、モバイルデータトラフィックは2012年から2018年の間に12倍に増加するとしている。直近の2013年第1四半期のデータ量は前年同期比2倍に増えたという。 [→続きを読む]
Xilinxは、20nmルールのLSIを早くもテープアウトした。デザインルールが20nmと微細化すると、集積できる回路が膨大になるため、アーキテクチャを根本的に見直し、UltraScaleと名付けた(図1)。CLB(Configurable Logic Block)周りの配線や、DSPブロック、クロック分配などを最適化した。 [→続きを読む]
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