セミコンポータル: セミコンポータルによる分析

MEMSの2012年トップ20社ランキング、IHSグローバルが発表

2013年6月18日｜市場分析

米市場調査会社のIHSグローバル（旧アイサプライ）は、ファウンドリを除くMEMS企業のトップ20社2012年ランキングを発表した(表1)。これによると、トップはドイツのBoschとスイスのSTMicroelectronicsで、いずれも7億9300万ドルと同額。MEMS産業は世界全体で、前年比4.8%増の83億4200万ドル規模に成長した。 [→続きを読む]

10nmプロセスでIBMと協業するUMC、微細化で製造競争力を強化

2013年6月14日｜産業分析

UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの技術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス技術を開発する。 [→続きを読む]

2013年の世界の半導体設備投資は2%増だが、14年は23%増以上、SEMI予測

2013年6月14日｜市場分析

2013年の半導体設備投資総額は対前年比2%増の325億ドルになりそうだ、という予測をSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導体LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も対象としている。 [→続きを読む]

パソコンのCPUもアプリケーションプロセッサになった

2013年6月13日｜技術分析（半導体製品）

Intel、AMDは、モバイルからデスクトップパソコンまでの用途に向けた新しいマイクロプロセッサを発表した。Intelが発表したのは第4世代のCore i3/i5/i7マイクロプロセッサ、AMDはJaguarクアッドコアを採用したA4、A6、A8、A10という一連のマイクロプロセッサ。 [→続きを読む]

LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認

2013年6月12日｜技術分析（デバイス設計& FPD）

NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）とLEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→続きを読む]

UMC、日本のIDMにはカスタマイズで対応

2013年6月11日｜経営者に聞く

P. W. Yen氏、台湾UMC社 CEO 台湾第2位のファウンドリ企業であるUMC。2012年の世界のファウンドリ企業においてはそれまでの第2位から4位に退いた。今年は巻き返しを図る。来日したCEO（最高経営責任者）のP. W. Yen氏にその狙いを聞いた。 [→続きを読む]

英Toumazのヘルスケア半導体チップ、米国の病院で効果を実証

2013年6月 5日｜産業分析

患者の心拍数、呼吸、体温を常に測定するヘルスケアチップが米国の病院で早期治療や早期退院などに効果を上げている。英国のファブレス半導体のToumaz社が開発した低消費電力のヘルスケアチップSensiumVitalsを病院で使い、その有効性を実証したとToumazが発表した。 [→続きを読む]

強烈な円安の影響で、2013年の世界半導体市場は2.1%増に下方修正

2013年6月 4日｜市場分析

世界半導体市場統計（WSTS）が2013年の半導体市場見通しを、前回(2012年11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下方修正した。この最大の理由は、円安によってドル換算での日本の市場規模が大きく押し下げられたためである。もし、為替レートが全く変わらなかったと仮定するなら、今回の予測は計算上4.0%増になる。 [→続きを読む]

Bluetooth Smart規格がスマホのアクセサリ市場を牽引する

2013年6月 4日｜技術分析（半導体応用）

Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも搭載されることが決まった。Bluetooth Smartは、低消費電力版であるBluetooth Low Energy（BLE）の発展版として生まれた。今、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという規格が注目されている。この新規格Bluetooth Smartとは何か。BLEとの違いを含めて、これらを整理してみる。 [→続きを読む]

EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（3）～レジスト

2013年5月31日｜会議報告（プレビュー）

フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]

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