Ethernetが企業内LANを超えて、携帯基地局、通信バックボーンにも拡大
Ethernetが高速のデータ通信プロトコルとして優れていることがCuワイヤ、光ファイバを問わず実証されて以来、1Gbit/秒(1Gbps)以上のいわゆるギガビットイーサが伸びている。通信基地局やデータセンターだけではなく、都市内のメトロネットワークにまで使われ始めている。Gbpsイーサコントローラ（Vitesse）と100GbpsのOTN（PMC）を紹介する。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
ARM、低消費電力化の基本を守り、製品ポートフォリオを拡大
プロセッサIPベンダートップのARMが製品ポートフォリオを広げている。「一つのプロセッサでは全ての応用を最適化できない」（同社Embedded Processors担当バイスプレジデントのKeith Clarke氏）からだ。マイコン応用のCortex-Mシリーズに加え、携帯機器のアプリケーションプロセッサに向けたbig.LITTLEアーキテクチャ、サーバなどのハイエンドプロセッサCortex-A50シリーズなどへと拡張し続けている(図1)。 [→続きを読む]
アドバンテスト、プラットフォーム戦略でモジュール製品など続々開発
アドバンテストは、T2000半導体テスタープラットフォームをベースにしたモジュールをセミコンジャパン2012で続々発表した。CMOSのイメージセンサを64個並列にテストできるモジュール、8Gbpsのテスト速度でSoCの各種インターフェースをテストするモジュール、フラッシュ内蔵マイコンやスマートカードICなど最大256個同時にテストできるテスターなどである。 [→続きを読む]
LEAPの低消費電力・不揮発性メモリはノイズマージン広げ、高集積化目指す
経済産業省・NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）が支援する「低炭素社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト」の成果報告会が行われ、低電圧技術の進展が発表された。原子レベルの微細化に近づくにつれ、不純物原子の影響が顕著に表れるようになってきている。動作電圧を下げ、原子レベルに挑戦する試みがこのプロジェクトである。IEDM2012でも発表された技術も含めいくつか紹介する。 [→続きを読む]
日本製半導体製造装置は受注額伸び緩く、FPD製造装置は要注意へ向かう
SEAJ（日本半導体製造装置協会）が12月19日に発表した、11月の半導体製造装置とFPD製造装置のB/Bレシオ（販売額に対する受注額の比）は、それぞれ0.89、1.37であった。数字だけ見ると、半導体は0.19ポイント上昇、FPDは0.41ポイント下降だが、半導体は警戒をまだ解くことはできない。FPDも要注意にやってきた。 [→続きを読む]
フラッシュがDRAMの市場を今年初めて抜く、とICインサイツが見通し発表
フラッシュメモリ市場がDRAM市場を初めて抜きそうだ。米市場調査会社のICインサイツ（Insights）は、NANDとNORを含めたフラッシュメモリ全体の市場が2%増の304億ドルになり、280億ドルのDRAMを抜きそうだと発表した。 [→続きを読む]
セミコンジャパンの視点を変えてみよう〜部材に価値を見出す展示会へ
セミコンジャパン2012は、例年通り幕張メッセで開かれた。出展社数は昨年の831社に対して855社と増えたが、小間数は昨年比12%減の1935小間となった。国内の半導体メーカーが製造を軽くする方向に向かっており、製造装置の国内展示会としては厳しい現実を突きつけられる格好となった。 [→続きを読む]
フリースケールがカーレースのメインスポンサになった理由（わけ）
フリースケール･セミコンダクタ･ジャパンはカーレーシングチーム「OGT! Racing」のメインスポンサである(図1)。今年度からカーレース「ポルシェカレラカップジャパン（PCCJ）」にも参戦してきた。優勝経験もある。なぜフリースケールという半導体メーカーがカーレースに力を入れるのか。 [→続きを読む]
nmスケールになってきた今こそ、コラボの時代−セマテックの呼びかけ
米国を拠点とするセマテック（SEMATECH）は、共同開発のコンソーシアムだが、ナノメータスケールの今こそ、その必要性を説いている。装置・部材メーカーにとって研究開発投資があまりにも増大したからだ。セミコンジャパン初日の基調講演でもインテルジャパンの吉田和正社長は1社で開発するのではなくみんなでコラボする時代になったと述べた。 [→続きを読む]
フェアチャイルドがSiCバイポーラTrを来年前半発売、IGBT可能性も浮上
半導体産業の老舗、フェアチャイルドセミコンダクター（Fairchild Semiconductor）がSiCのバイポーラトランジスタを来年前半に製品化する。日本メーカーのMOSFET、ドイツインフィニオンのJFETに替わるSiC第3のトランジスタとしてのバイポーラも登場という位置付けになる。 [→続きを読む]
<<前のページ 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 次のページ »
