次世代リソグラフィEUV量産機がTSMCでトラブル
TSMCの試作ロットを流している時に、ASMLのEUVリソグラフィ装置が故障するというトラブルが発生した。この装置は、最初の量産機であるEUVスキャナーNXE:3300B。提携メディアのSemiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
半導体製造装置の受注額が3カ月連続で減少、B/Bレシオは1.1でも要注意
2014年1月における日本製半導体製造装置の受注額は1004億1800万円、その販売額が916億7500万円となり、販売額に対する受注額の比であるB/Bレシオは1.10となった。ただ、B/Bレシオが2013年10月をピークに下降線を辿っていることは要注意であろう。 [→続きを読む]
メモリ需給が緩み始め、クルマ技術が活発に動く
2013年の半導体市場はDRAMやフラッシュなどのメモリがけん引したが、メモリの需給が緩み始めている。また、クルマ向けのカーエレクトロニクスは依然として活発であり、ルネサスが28nmのフラッシュメモリIPを開発した。欧州での超小型EV（電気自動車）の実験にはトヨタが参加し、ホンダが参加を目指す。 [→続きを読む]
Spansion、333MB/sと高速のシリアルバスを提案、フラッシュNOR製品発売
Spansionが最大333MB/sと高速のデータレートで読み出せる新しいメモリインタフェースバスHyperBusを提案、このインタフェースを組み込んだ高速のNORフラッシュ製品HyperFlashの第1弾をリリースした。ピン数はわずか12ピンで読み出せるため、省スペースのクルマなどに向く。 [→続きを読む]
Qualcommの技術責任者、プロセス技術を大いに語る（後編）
ファブレス半導体世界トップのQualcomm社の技術責任者であるGeoffrey Yeap氏が語るプロセス技術について、Semiconductor Engineeringからの翻訳記事を前編(参考資料1)に続き掲載する。後編ではfinFET、Intelのファウンドリ、2.5D/3D ICについて語っている。 [→続きを読む]
新型相変化メモリをTRAMとLEAPが命名
LEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）が2013 IEDM（International Electron Devices Meeting）で発表した新しい相変化メモリ(参考資料1)は、TRAM（Topological switching RAM）と名付けることが決まった。GeTe/Sb2Te3超格子の中のGeの移動だけで低抵抗と高抵抗をスイッチングする。このカルコゲン材料による超格子を、トポロジカル絶縁体と物性物理学の世界で呼んでいる。 [→続きを読む]
キヤノンがMolecular Imprints社を買収、ナノインプリント技術を入手
キヤノンがナノインプリント技術のベンチャー企業である、米Molecular Imprints社を買収することで合意した。このニュースが日本経済新聞朝刊に載った2月14日に、キヤノンもニュースリリース（参考資料1）を流した。 [→続きを読む]
中国における外国半導体企業、Maximは売り上げ急増、TIは売上額最大
世界の半導体メーカーが中国市場で製品をどのくらい販売しているのか。市場調査会社のキャップインターナショナルは、このほど、アナログ/ディスクリート/マイコン/ロジックのベンダー16社の中国における売り上げ状況を応用分野と共に発表した。 [→続きを読む]
2013年のSiウェーハ、面積は変わらず金額は14%も減少
2013年シリコンウェーハの出荷面積は、前年比でほぼ横ばいといえる0.4%増の90億6700万平方インチとなったが、販売額は-14%の75億ドルと大きく減少した。これはSEMIのSMG（Silicon Manufacturing Group）がこのほど発表したもの。 [→続きを読む]
ルネサス、4四半期連続、営業黒字を拡大中
先週はエレクトロニクス、半導体などの企業の決算が続々発表された。ソニーやパナソニック、シャープなどは、リストラによって工場や人員を削減した効果が出てきている。この結果、黒字への転換を達成したものの、今後の成長に向けた施策は抽象的な段階からはまだ脱し切れていない。ルネサスは4四半期連続営業黒字の拡大を続けている。 [→続きを読む]
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