本日の世界のNewsはこの3本を選びました。「Apple の次世代チップをIntelが製造へ」、「Siemens EDA、全プロセスノード評価ライブラリをAIで5倍以上高速に」、「Imec、AI向け高集積デバイスとして3D-CCDメモリを試作」、です。3本ともAIの普及とともに必要となる技術やその動きです。始まったばかりのAI技術で日本が遅れないように世界のニュースをしっかり伝えます。

最初の記事は、バンク・オブ・アメリカ（BofA）のレポートによるもので、この提携が次のiPhoneも含む話なら、ASMLのEUV装置とBE Semiconductorのハイブリッドボンディング装置の購入が必要となるとみています。またEUV装置15台分の46億ユーロが必要となるため、この提携は100置くユーロの価値があると見込んでいます。この提携が実現すると、Intelファウンドリは自社以外の大手顧客としてAppleが初めての顧客となります。

Apple の次世代チップをIntelが製造へ
全文：Apple-Intel Chip Deal Could Trigger €4.6 Billion Equipment Frenzy, With ASML Set to Cash In, Says BofA, WCCFTECH

Siemens EDAが発表したSolido Characterizerソフトウエアは、各プロセスノードに応じたライブラリの生成を7倍も高速化し、シリコンの要求案件を5倍の速さで特性評価します。このソフトはSolido Characterization Suiteの次世代版で、チップの速度や制度、効率への要求に沿ったチップ設計を加速します。同社は、AI技術を導入し、SPICEベースのライブラリファイル生成時間を大幅に短縮しようとしています。

Siemens EDA、全プロセスノード評価ライブラリをAIで5倍以上高速に
全文：Siemens unveils AI-powered library characterization to accelerate semiconductor design, Siemens EDA Press release

ベルギーの半導体研究所であるimecが3次元NANDのような構造の縦型CCDデバイスをメモリとして活用する技術を開発しました。AIの学習・推論向けのメモリはますます高集積化と高速化が要求されていることから、チャネル層にIGZO（InGaZnO）を使い、従来のDRAMやNANDとは別のCCD（電荷結合デバイス）構造のメモリを試作しました。電荷転送速度は4MHzです。高集積化でメモリコストを下げる狙いです。

Imec、AI向け高集積デバイスとして3D-CCDメモリを試作
全文：imec showcases 3D CCD memory breakthrough for AI applications, New Electronics