2026年3月31日
|技術分析(半導体応用)
本当の意味でのスマートグリッドが始まっている。賢い(smart)電力網では、電力会社の大型の発電システムだけではなく、家庭のソーラーシステムやEV(電気自動車)のバッテリシステムも小規模な分散電源となる。もしこれらの分散電源の一つが分断されていることにグリッドの制御センターが気づかないと、逆潮流などの事故防止のための長時間停電につながりかねない。Keysight Technologyは分断された状態を自動的に検出するテストシステム(図1)を開発した。
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2026年3月30日
|週間ニュース分析
デンソーのローム(図1)への買収提案に端を発した、パワー半導体連合の行方がますます混とんとしてきた。先週末になり三菱電機も加わってきたからだ。元々ロームは東芝デバイス&ストレージ社との協力提携で話を進めてきたという経緯がある。ここにデンソーからロームへの買収提案がなされ、さらに三菱も加わるとどうなるのだろうか。
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2025年10月 3日
|産業分析
SiCパワーデバイスの基板やデバイスを提供していたWolfspeedが再起動する。2025年6月に日本の民事再生法に相当する米連邦破産法第11条(通称チャプター11)の適用を申請、以来再建の道を歩んできたが、このほど財務の再構築を成功裏に終えた。フリーキャッシュフローの自己資金を元にSiCの200mm垂直統合ラインを活用していくという。
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2025年8月14日
|技術分析(半導体製品)
STMicroelectronicsがパワー半導体のシグナルチェーンにおいて、SiP(システムインパッケージ)手法を用いて、モータドライブ用の半導体開発に活かしている。パワー半導体がシリコンのMOSFETからGaN HEMTやSiC MOSFETなどに変わっても、このシステムは変わらない。SiPは、小型、インテリジェント、高性能、低コストなどメリットは多い。
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2025年7月29日
|産業分析
パワー半導体の新しい市場としてAIデータセンターの電源に注目が集まっている。Infineon Technologies、ルネサスエレクトロニクス、ST MicroelectronicsなどがAIデータセンターの電源を根本的に見直し始めた。AIデータセンターは大量の電力を消費することから電源システム全体を見直そうという訳だ。少しでも無駄な消費電力を減らす。
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2025年4月 9日
|技術分析(半導体製品)
Texas Instrumentsは、並列接続により最大6kWまでの電力を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電力を消費するデータセンターの電源を確保できるようになる。一般のeFuseをただ単に並列にしても、MOSFETのオン抵抗や配線パターンの抵抗やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い部分に電流集中が起こりやすくなる。しかしこれを防いだ。
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2025年1月20日
|週間ニュース分析
2025年もAIデータセンター需要が活発になることを多くのアナリストが指摘しているように、TSMCが史上最高の900億ドル(13.5兆円)を売り上げたのをはじめ台湾のAI向けビジネスは好調だ。長期的にEV需要に応えるため、Infineonがタイに後工場を設立、ルネサスは新型パワーMOSFETを発売し、SCREENはパワー半導体需要の200mm製造装置の新工場を設立する。
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2024年12月25日
|技術分析(製造・検査装置)
アドバンテストは、ダイシングフィルム上でパワー半導体をテストできるシステムを開発した。数百V、数十Aという高電圧・大電流を扱うパワー半導体では、安全性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスター装置の経験豊かなイタリアCREA(Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.)社を2022年8月に買収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導体のテスターに進出した。
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2024年11月29日
|技術分析(半導体製品)
インテリジェントパワーと、インテリジェントセンサを標榜するonsemiは、それらの中間に位置するアナログプラットフォームを一新、センサからパワーまでのシグナルチェーンを完成させた。自動運転車やロボット、ドローンなど自律的に動作するシステムではセンサからアクチュエータまで動かせる。来日した同社CEOのHassane El-Khoury氏がその戦略を語った。
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2024年11月 1日
|産業分析
パワー半導体技術が活発になっている。Texas Instrumentsは、テキサス州ダラス工場に加え、日本の会津工場でもGaNパワー半導体の工場を稼働させたことを発表した。ダラスのGaN第1工場だけでなく会津の第2工場がフル生産するようになると生産能力は4倍になるという。またInfineon Technologiesは厚さがわずか20µmのSi 300mmウェーハを使える生産を構築した。
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