セミコンポータル: 技術分析

IDT、ファブレスで身軽になり画像改善IC・低電力タッチスクリーンICを発表

2009年10月 5日｜技術分析（半導体製品）

通信用ICや高速RAMなどに注力してきた米IDT（Integrated Device Technology）社が民生分野の強化に乗り出した。このほどテレビ映像を鮮明にするビデオICとタッチパネルコントローラを製品化した。 [→続きを読む]

ウォルフソン、Cortex-A9アプリプロセッサ狙いのパワーマネジメントICを製品化

2009年10月 1日｜技術分析（半導体製品）

英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOと制御回路を集積したパワーマネジメント（PM）IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出力するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か？ [→続きを読む]

ニューモニクス、満を持してPCメモリーをまもなく量産、90nmで128M品から

2009年9月29日｜技術分析（プロセス）

スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー（PCメモリー）を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]

MEMSとCMOSとの最適な集積化によりICの性能向上が明確に

2009年9月28日｜技術分析（プロセス）

さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]

三洋電機、開放電圧0.743V、変換効率22.8%の薄型結晶Si太陽電池セルを開発

2009年9月24日｜技術分析（プロセス）

三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]

メンター、Androidを携帯から組み込み機器へ展開し、ソフト開発を促進

2009年9月15日｜技術分析（デバイス設計& FPD）

「Androidの登場でアプリケーションソフト開発が楽になるはずだ」。こう見るのは米メンター・グラフィックス（Mentor Graphics）社Embedded Software Divisionのワールドワイドディレクタ、Daniel McGillivray氏。パソコンがMS-DOSからWindowsへ変わった時のようにLinux上にAndroidが載った今、Androidは携帯電話やスマートフォンだけではなく組み込み機器に載せるソフト開発の主役プラットフォームになるとみている。 [→続きを読む]