テクトロニクス、アナログ最大20GHzのミクストシグナルオシロを発売

日本テクトロニクスは、アナログの周波数帯域が最大20GHz、サンプリングレート50Gサンプル/秒で、デジタルのタイミング分解能80psと高速のミクストシグナルオシロスコープMSO70000シリーズを発売した。 [→続きを読む]
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日本テクトロニクスは、アナログの周波数帯域が最大20GHz、サンプリングレート50Gサンプル/秒で、デジタルのタイミング分解能80psと高速のミクストシグナルオシロスコープMSO70000シリーズを発売した。 [→続きを読む]
IMECが創立25周年を迎えた。これまでの売り上げはずっと右肩上がりでやってきた。2009年7月に新たにCEOに就任したリュック・バンデンホッフ氏にインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎に迫ってみた。 [→続きを読む]
サンケン電気、ローム、富士通研究所などがGaNやSiCなどの高温動作可能なパワーFETをCEATECで展示した。特に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET(いわゆるHEMT構造)とSiCのMOSFETの両方を展示した。ロームもSiCのMOSFETを展示し、従来よりもいっそう低いオン抵抗を実現するためトレンチ構造を使った。 [→続きを読む]
世界トップのリソグラフィメーカーであるオランダのASMLがいよいよ狭まってくるプロセスウィンドウを最適化し、歩留まりを確保できる統合的なリソグラフィ技術(Holistic Lithographyと呼ぶ)についてSEMICON Westで発表していたが、このほど日本の9メディアにも公開した。これは45nm、38nm、32nm、22nmと微細化が進むにつれ狭くなるプロセスウィンドウに対処し歩留まりを確保するための総合リソグラフィ技術である。 [→続きを読む]
通信用ICや高速RAMなどに注力してきた米IDT(Integrated Device Technology)社が民生分野の強化に乗り出した。このほどテレビ映像を鮮明にするビデオICとタッチパネルコントローラを製品化した。 [→続きを読む]
英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOと制御回路を集積したパワーマネジメント(PM)IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出力するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か? [→続きを読む]
スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー(PCメモリー)を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]
さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
三洋電機の研究開発本部は、開放電圧が0.743Vと高く、光電変換効率が22.8%と高い結晶型シリコン太陽電池セルを開発した。N型シリコン基板の厚みは98μmと従来の半分程度に薄い。省資源で高い効率のセルを狙ったもの。 [→続きを読む]
「Androidの登場でアプリケーションソフト開発が楽になるはずだ」。こう見るのは米メンター・グラフィックス(Mentor Graphics)社Embedded Software Divisionのワールドワイドディレクタ、Daniel McGillivray氏。パソコンがMS-DOSからWindowsへ変わった時のようにLinux上にAndroidが載った今、Androidは携帯電話やスマートフォンだけではなく組み込み機器に載せるソフト開発の主役プラットフォームになるとみている。 [→続きを読む]
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