2009年11月16日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
英国のアーム社が将来に渡ってIPを維持し拡張していくロードマップを示すとともに新しい応用分野についても触れ、着実に成長していくさまをARM Forum2009において見せつけた。11月10日に開かれたARM Forumでは700名近いエンジニアを集めた。この不況期を通過したのにもかかわらず、アームのプロセッサコアを搭載した半導体チップは累計150億個を超えていると同社上級バイスプレジデントのイアン・ドリュー氏は述べた。
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2009年11月 4日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
アマゾンの電子ブックである「キンドル」が米国で好調を続けていることを反映して、FPD International 2009では、電子ペーパーが注目を集めた。キンドルのディスプレイを提供している米Eインク社は、フリースケール・セミコンダクタ、セイコーエプソンなどのチップメーカーと提携しているだけではなく、ポーランドのMpicosys社のようなスマートカードのベンチャーなど、続々とパートナーシップを結び、ビジネス拡大を図っている。
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2009年10月26日
|技術分析(プロセス)
10月24日から一般公開されたモーターショーにおいて、カーエレクトロニクスの専門メーカーであるデンソーはSiCのMOSFETを展示した。ドレイン耐圧1200V、ドレイン電流は放熱フィンを付けて100A程度流せる。同社が作製するSiC結晶の品質は群を抜いていると言われている。なぜ、どうやって高品質なSiC結晶を作っているのか、デンソーに取材した。
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2009年10月23日
|技術分析(半導体製品)
SoCビジネスは、1社で何もかも開発すべきデバイスではない。カスタマやサプライヤーとの協力は欠かせない。このほど、ルネサステクノロジは、同社の持つ32ビットプロセッサコアSHシリーズを使った自動車用SoCを開発するため協力パートナー組織であるSH-Naviコンソシアムの会員が2008年度の54社から2009年度には71社と増えた、と発表した。
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2009年10月20日
|技術分析(製造・検査装置)
日本テクトロニクスは、アナログの周波数帯域が最大20GHz、サンプリングレート50Gサンプル/秒で、デジタルのタイミング分解能80psと高速のミクストシグナルオシロスコープMSO70000シリーズを発売した。
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2009年10月19日
|技術分析(プロセス)
IMECが創立25周年を迎えた。これまでの売り上げはずっと右肩上がりでやってきた。2009年7月に新たにCEOに就任したリュック・バンデンホッフ氏にインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎に迫ってみた。
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2009年10月16日
|技術分析(デバイス設計& FPD)
サンケン電気、ローム、富士通研究所などがGaNやSiCなどの高温動作可能なパワーFETをCEATECで展示した。特に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET(いわゆるHEMT構造)とSiCのMOSFETの両方を展示した。ロームもSiCのMOSFETを展示し、従来よりもいっそう低いオン抵抗を実現するためトレンチ構造を使った。
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2009年10月16日
|技術分析(製造・検査装置)
世界トップのリソグラフィメーカーであるオランダのASMLがいよいよ狭まってくるプロセスウィンドウを最適化し、歩留まりを確保できる統合的なリソグラフィ技術(Holistic Lithographyと呼ぶ)についてSEMICON Westで発表していたが、このほど日本の9メディアにも公開した。これは45nm、38nm、32nm、22nmと微細化が進むにつれ狭くなるプロセスウィンドウに対処し歩留まりを確保するための総合リソグラフィ技術である。
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2009年10月 5日
|技術分析(半導体製品)
通信用ICや高速RAMなどに注力してきた米IDT(Integrated Device Technology)社が民生分野の強化に乗り出した。このほどテレビ映像を鮮明にするビデオICとタッチパネルコントローラを製品化した。
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2009年10月 1日
|技術分析(半導体製品)
英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOと制御回路を集積したパワーマネジメント(PM)IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出力するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か?
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