デンソー、SiCのパワーMOSFETを自社製のSiC結晶で作る方法をタネ明かし
10月24日から一般公開されたモーターショーにおいて、カーエレクトロニクスの専門メーカーであるデンソーはSiCのMOSFETを展示した。ドレイン耐圧1200V、ドレイン電流は放熱フィンを付けて100A程度流せる。同社が作製するSiC結晶の品質は群を抜いていると言われている。なぜ、どうやって高品質なSiC結晶を作っているのか、デンソーに取材した。 [→続きを読む]
技術分析
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ルネサス、SH-Naviシリーズのパートナー増強により市場拡大を図る
SoCビジネスは、1社で何もかも開発すべきデバイスではない。カスタマやサプライヤーとの協力は欠かせない。このほど、ルネサステクノロジは、同社の持つ32ビットプロセッサコアSHシリーズを使った自動車用SoCを開発するため協力パートナー組織であるSH-Naviコンソシアムの会員が2008年度の54社から2009年度には71社と増えた、と発表した。 [→続きを読む]
テクトロニクス、アナログ最大20GHzのミクストシグナルオシロを発売
日本テクトロニクスは、アナログの周波数帯域が最大20GHz、サンプリングレート50Gサンプル/秒で、デジタルのタイミング分解能80psと高速のミクストシグナルオシロスコープMSO70000シリーズを発売した。 [→続きを読む]
25周年を迎えたIMEC、ずっと右肩上がりでやってきたその成長の謎を探る
IMECが創立25周年を迎えた。これまでの売り上げはずっと右肩上がりでやってきた。2009年7月に新たにCEOに就任したリュック・バンデンホッフ氏にインタビューすると、最初からグローバルにやってきたわけではないという。何が成功した要因なのか、インタビューを通してその謎に迫ってみた。 [→続きを読む]
SiCのMOSFET、GaNのHEMTをサンケン、ローム、富士通研がCEATECに出展
サンケン電気、ローム、富士通研究所などがGaNやSiCなどの高温動作可能なパワーFETをCEATECで展示した。特に、サンケン電気はGaNのノーマリオフ型2次元電子ガスFET（いわゆるHEMT構造）とSiCのMOSFETの両方を展示した。ロームもSiCのMOSFETを展示し、従来よりもいっそう低いオン抵抗を実現するためトレンチ構造を使った。 [→続きを読む]
ASML、次世代液浸リソHolistic Lithography の全貌を明らかに
世界トップのリソグラフィメーカーであるオランダのASMLがいよいよ狭まってくるプロセスウィンドウを最適化し、歩留まりを確保できる統合的なリソグラフィ技術（Holistic Lithographyと呼ぶ）についてSEMICON Westで発表していたが、このほど日本の9メディアにも公開した。これは45nm、38nm、32nm、22nmと微細化が進むにつれ狭くなるプロセスウィンドウに対処し歩留まりを確保するための総合リソグラフィ技術である。 [→続きを読む]
IDT、ファブレスで身軽になり画像改善IC・低電力タッチスクリーンICを発表
通信用ICや高速RAMなどに注力してきた米IDT（Integrated Device Technology）社が民生分野の強化に乗り出した。このほどテレビ映像を鮮明にするビデオICとタッチパネルコントローラを製品化した。 [→続きを読む]
ウォルフソン、Cortex-A9アプリプロセッサ狙いのパワーマネジメントICを製品化
英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOと制御回路を集積したパワーマネジメント（PM）IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出力するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か？ [→続きを読む]
ニューモニクス、満を持してPCメモリーをまもなく量産、90nmで128M品から
スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー（PCメモリー）を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]
MEMSとCMOSとの最適な集積化によりICの性能向上が明確に
さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
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