シリコンウェーハの出荷面積が史上2番目のレベルまで回復
シリコンウェーハの消費量が回復してきた。2012年第2四半期(4〜6月)におけるシリコンウェーハ面積が前月比20.4%増の24億4700万平方インチになった。これは、過去最高だった2010年第3四半期における24億8900万平方インチに次ぐ数字である。 [→続きを読む]
シリコンウェーハの消費量が回復してきた。2012年第2四半期(4〜6月)におけるシリコンウェーハ面積が前月比20.4%増の24億4700万平方インチになった。これは、過去最高だった2010年第3四半期における24億8900万平方インチに次ぐ数字である。 [→続きを読む]
2012年6月19日のブログ「大和田敦之の視点:隠れたチャンピオン企業」(参考資料1)で語られたように、旭化成エレクトロニクスが2011年の磁気センサ市場で売上トップであることが米IHS アイサプライ(iSuppli)の調べでわかった(参考資料2、3)。15億ドルの磁気センサ市場において、旭化成エレの売り上げはおよそ1/4に相当する3億7200万ドルと見られている。 [→続きを読む]
ナショナルインスツルメンツ(NI)社は、ワイヤレス通信で欠かせないRF信号を使った回路や半導体チップをテストするための簡便なツールを発表した。これは次世代の高速Wi-Fi規格である802.11acやLTEに対応する信号発生器と信号解析器をPXIモジュール内に搭載した、超小型のVST(ベクトル信号トランシーバ)である。 [→続きを読む]
ソフトウエアベースの計測器メーカー、米ナショナルインスツルメンツ(National Instruments)社は、NIWeek初日の8月7日(米国時間)に基調講演を行い、測定器も小型・高集積でムーアの法則に合うものにしようと述べた。ムーアの法則は電子機器を高機能・高性能+低コスト・小型にしたが、計測器はまだ小さくなっていなかった。今回、測定器2台分を一つの小型PXIモジュールに収めた。 [→続きを読む]
SiCのパワーモジュールが相次いで市場に出てきた。三菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールを市場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発に取り組みショットキダイオード(SBD)を13年後半には生産する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→続きを読む]
ルネサスエレクトロニクスにやっと明るさが戻ってきた。2012年度第1四半期の決算発表が行われ、前年同期比、前期比とも10%程度の売上減少であった。しかし、その要因は明確で、情報システム統合のために出荷を4月に8日間停止したためだった。さらに、2011年10〜12月期を底として、四半期ごとに1桁台ながら着実に受注を増やしてきた(図1)。 [→続きを読む]
世界半導体企業の最新のランキングが米市場調査会社のICインサイツから発表された。2012年の上半期のランキングの大きな特徴は、ファウンドリが成長してきたことだった。中でもグローバルファウンドリーズが初めてトップ20位ランキングの第16位に顔を出し、ファウンドリメーカーとして第2位になった(表)。 [→続きを読む]
アプライドマテリアルズ(Applied Materials)社は、3D IDや20nm以下の装置をいくつかSEMICON Westで発表したが、半導体市場のメガトレンドを見据えたビジネス戦略を改めて確認した。同社日本法人代表取締役社長の渡辺徹氏は、モビリティが市場をけん引しているため、それに合わせた装置開発を続ける姿勢を崩さない、と断言する。 [→続きを読む]
今年の半導体産業をけん引する市場は、ワイヤレス通信市場であり、前年比10.4%で成長することが市場調査会社のアイサプライ(IHS iSuppli)社の調査でわかった。今年の世界半導体全体の市場は、WSTSの予測では0.4%増であり(参考資料1)、アイサプライは3%増と成長率は低い。 [→続きを読む]
東芝が、関連会社の加賀東芝エレクトロニクスにおいて10月から白色LEDの量産を始める、と発表した(参考資料1)。東芝はこの1月から、GaN-on-Siウェーハを使った白色LEDの米ベンチャーBridgelux社(参考資料2)と共同開発を進めてきた。 [→続きを読む]
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