GaNデバイス製造用8インチウェーハ対応のMOCVD装置を大陽日酸が発売へ
LEDのチップ面積増大や個数増加に対応したり、あるいはチップ面積の大きなパワー半導体にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入手できるようになる。大陽日酸が8インチSiウェーハ上にGaN膜を形成できるMOCVD装置、モデルUR26Kを開発、セミコンジャパンで展示した。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
半導体製造装置市場、B/Bレシオは1に近づくものの警戒注意
2011年11月における日本製半導体製造装置の受注額と販売額が日本半導体製造装置協会（SEAJ）から発表された。833億5300万円の販売額に対して、808億5000万円の受注額だった。景気の先行指標であるB/Bレシオに直すと、0.97である。先月が0.83だったから市場が良くなったように見えるが、決してそうではない。警戒を要する。なぜか。 [→続きを読む]
米国のベンチャーキャピタリストが教えてくれた資金提供の極意
半導体産業はまだ魅力的か。ベンチャー企業に投資するベンチャーキャピタル（VC）APEX Venture Partners社に疑問をぶつけてみた。シカゴをベースに全米のベンチャーを対象とするこのVCは今、どのような考えでどのような企業に投資するのかを同社ジェネラルパートナーのArmando Pauker氏が明かしてくれた。 [→続きを読む]
ユーザーの使いやすさを求めて企業・製品の統合が相次ぐEDAの世界
EDAの動向が統合化に向かっている。LSI検証ツールを扱っている米Calypto社は、LSIを馴染みやすいC言語で設計するツールであるCatapult C Synthesisを米Mentor Graphics社から買収、C言語設計と検証工程をつなげるようにした。Mentor GraphicsはリアルタイムOSに消費電力削減機能を搭載しながらもコード効率を高めた新OSのNucleusを発表した。米National Instrumentsに買収されたRFシミュレータ米AWRはLabVIEWとのリンクをスムースに進めている。いずれもユーザーにとって使いやすくする。 [→続きを読む]
アプライドマテリアルズ、22/20nmノードに合わせた製造・検査装置を発表
米アプライドマテリアルズ社は、22nm/20nmノード以降の微細化プロセスに対応した新しい製造装置OptivaおよびOnyxと検査装置1機種を発表した。Optivaはチップ同士を重ねる3次元IC向けのTSV技術の側壁酸化膜の堆積にも使える装置。ウェーハプロセスメーカー、アセンブリメーカー、どちらにも供給できる。 [→続きを読む]
日本発デジタルグリッドコンソーシアムが始動、電力の安定供給を目指す
一般社団法人のデジタルグリッドコンソーシアムが技術開発と標準化に向けて活動を開始した。この非営利団体のコンソーシアムは、設立メンバーにはじめから米国企業を含め、グローバルな普及活動に重点を置いている点がこれまでのコンソーシアムとは大きく違う。設立は今年の9月7日で、活動を始めながら会員企業も募っていく。 [→続きを読む]
アイサプライの世界半導体トップ20社分析では企業買収が伸びを加速
米国市場調査会社のアイサプライ（IHS iSuppli）が2011年のトップテンを発表した。これによると、トップ20社の年成長率は合計で+3.5%と世界中の半導体合計の+1.9%（WSTSの調べでは+1.3%）よりも大きい。ICインサイツの発表（参考資料1）との違いは、企業買収が成長を加速したと分析している点である。 [→続きを読む]
2011年世界半導体市場は+1.3%の3023億ドルに留まるものの、初の3000億超え
WSTS（世界半導体市場統計）が11月15〜18日間スペインで開催された秋季市場予測会議において、2011年の半導体は前年をわずかに上回る1.3%増の3023億ドルになると予測した。この会議では今年も含めた3年間の市場を予測しており、2012年は+2.6%の3102億ドル、2013年は＋5.8%の3281億ドルになるとした。 [→続きを読む]
MEMSでなければ性能出せない製品が登場、センサネットワークへの応用も進展
MEMS製品の性能が上がっている。振動子では水晶の性能を超えた製品も出てきた。ドイツのボッシュ（Bosch）からスピンアウトした米サイタイム（SiTime）社は水晶の置き換えを狙い、-40〜+85℃に渡り周波数安定性がわずか±10ppmで、1〜220MHzでプログラム可能なMEMS発振器製品を発売し、米MEMSICは慣性センサをコアにスマホからセンサネットワークまでの応用を可能にするシステムまで製品を広げている。 [→続きを読む]
TSMCが20nmのプロセスを来年第3四半期にリリース、14nmにも開発着手
最先端のIC開発では28nmの量産が始まったが、早くも20nmプロセスを2012年の第3四半期にリリースする、と台湾TSMC社のCTOであるJack Sun氏(図1)は語った。Sun氏は次の14nm以降についてもその見通しを語り、ここからはリソグラフィもデバイス構造も大きく変わることを示唆している。しかし、自信に充ち溢れている。なぜか。 [→続きを読む]
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