半導体MEMSセンサ市場は2016年まで18%で成長、109億ドル市場に拡大

半導体センサの市場が急速に伸びている。今年が対前年比18%の伸びだが、2016年までの年平均成長率CAGRも同じ18%と2桁成長で109億ドルに拡大すると予想されている。これは米市場調査会社のICインサイツ(IC Insights)が発表したもの。半導体センサとは、MEMS技術を使ったセンサのことであり、加速度センサやジャイロセンサ、磁気センサ(ホール効果素子)、圧力センサなどを含む。 [→続きを読む]
半導体センサの市場が急速に伸びている。今年が対前年比18%の伸びだが、2016年までの年平均成長率CAGRも同じ18%と2桁成長で109億ドルに拡大すると予想されている。これは米市場調査会社のICインサイツ(IC Insights)が発表したもの。半導体センサとは、MEMS技術を使ったセンサのことであり、加速度センサやジャイロセンサ、磁気センサ(ホール効果素子)、圧力センサなどを含む。 [→続きを読む]
「クルマメーカーには、標準品ではなくカスタムASICで対応する」、と欧州でミクストシグナル半導体を手掛けるAMS(旧Austria Microsystems)社の自動車部門シニアバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャのBernd Gessener氏は述べる。同社は米国テキサスにあった光センサのTAOS社を昨年買収、このほど社名を変え、ロゴも変えた。 [→続きを読む]
アナログ・デバイセズ(Analog Devices, Inc.)は、動作時2μA、静止時10nAと消費電流が極めて小さな3軸MEMSセンサICを8月から量産する。消費電流が小さいため電池駆動のワイヤレスセンサネットワークや、ヘルスケアモニタリング、動物のモニタリングなどの応用(図1)において、電池交換を不要にできる。 [→続きを読む]
WSTS(世界半導体市場統計)は、先月下旬、カナダのバンクーバーで予測会議を開き、2012年における半導体市場と2014年までの予測を発表した。これによると、2012年の世界の半導体市場は0.4%増になる、と前回(2011年11月)の見通しの2.6%増から下方修正している。だからと言って今年の後半にブレーキがかかる訳ではない。 [→続きを読む]
ファブレスメモリー企業の台湾イートロン(Etron)社の会長兼CEOのニッキー・ルー(Nicky Lu)氏は1970年代から2020年代までの10年単位の時代を定義し、それに合うメモリシステムを2012 GSA/SEMATECH Memory+ Conferenceにおいて提案した。異種チップの集積化の時代に備えたイノベーションこそ、3次元ICの時代になると見る。 [→続きを読む]
Jan Signell氏、エリクソン・ジャパン 代表取締役社長 携帯電話の基地局や、通信の基幹系など通信インフラのネットワーク機器を通信オペレータに納めているエリクソン。その日本法人社長のヤン・シグネル(Jan Signell)氏は日本市場と日本人の革新性を高く評価する。日本人は自国を必要以上に悲観的に見たり自虐的になったりしていないだろうか。半導体を使うセットメーカーが見る日本について聞いた。 [→続きを読む]
タブレット端末が2012年には前年比75%増の1億1100万台に成長、ノートPCも同11%増の2億500万台に増加する、と米市場調査会社のICインサイツ(IC Insights)が発表した。これによれば、デスクトップは横ばいでしか推移せず、モバイルとデスクトップPCとの差は今後ますます開いていきそうだ。 [→続きを読む]
オーディオ技術はもはや枯れた技術、と思っていないだろうか。昔のアナログオーディオは確かに枯れた技術。真空管を懐かしむマニアはいる。しかし、デジタルオーディオはスマートフォンが登場してから大きく変わろうとしている。オーディオコーデックとその周りに知恵を入れ込むことでユーザエクスペリエンスを豊かにできる。スマホを差別化するためのオーディオ向けIPベンダーを2社紹介する。 [→続きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、40nmプロセスのフラッシュマイコンをTSMCと共同開発することで合意した。ルネサスは5月26日の日本経済新聞や4月21日号の週刊東洋経済で報じられたリストラや工場売却のような話は、同社から出たものではないと否定した。今回の提携はむしろ、ルネサスが成長するためのマイコンのグローバル戦略である。 [→続きを読む]
多ビット/セル方式(MLC)のNANDフラッシュメモリは書き換え回数や保持特性(リテンション)が微細化と共に低下していく(図1)。NANDの将来は大丈夫か、といった心配を払拭するようなSSD(ソリッドステートドライブ)が登場した。SSDビジネスに特化してきた米STEC社はMLC NANDフラッシュをSSDに実装した製品レベルで30nm台の製品なら6万回、20nm台の製品でも4万回という耐久性を確保した。 [→続きを読む]
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