絶縁体や半導体pn接合の微小なリーク電流測定器で定評のあるKeithley Instrumentsが、使い勝手を格段に向上させ、計測時間を大幅に短縮した測定器SMU（Source Measurement Unit）を61万円で発売した。SMUは電圧源、電流源を内蔵しカーブトレーサやデジタルマルチメータの機能を持つDC測定器。同社がTektronixと経営統合し、シナジー効果を発揮した製品だ。 [→続きを読む]
日本半導体製造装置協会（SEAJ）が発表した、7月の日本製半導体製造装置のB/Bレシオは1.19と健全なレベルに来ている。6月は、B/Bレシオ1.40を記録したが、受注額が変わらないのに販売額が前月より22%も下落したためであり、この月が特に良かった訳ではない。7月は販売が15％増と持ち直した。FPD装置は受注が縮小している。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesの日本法人、グローバルファウンドリーズ・ジャパン（GFジャパン）が国内市場に向けて攻勢をかけている。特に、MEMS-ASICとカーエレクトロニクスは日本のメーカーが得意とするところ。これらの市場を攻めていく。 [→続きを読む]
8月6日にサムスン電子が3次元NANDフラッシュメモリの量産を開始するというニュースを発表したが(参考資料1)、その完成度は実はかなり高いことがわかった。13日にはこの同じ3次元NANDフラッシュを用いたSSD（ソリッドステートドライブ）を生産開始したと発表したのである。 [→続きを読む]
欧州が半導体産業（最近ではナノエレクトロニクス産業と表現することが多い）に100億ユーロ(約1兆3000億円)を投資するという計画（参考資料1）が明らかになった。この計画は、Future Horizon社のCEOのMalcolm Penn氏が450mmウェーハの実情を調査、そのレポートをベースに持ち上がった。来日したMalcolm Penn氏(図1)に、欧州計画について聞いた。 [→続きを読む]
2013年上半期の世界の半導体メーカートップ20社ランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると1位Intel、2位Samsung、3位TSMC、4位Qualcommは前年同期と変わらないが、5位にメモリメーカーのSK Hynixが入った。 [→続きを読む]
イスラエルに本社を置くファウンドリメーカーのTowerJazzがこのほど、日本国内にもデザインセンターを充実させることを明らかにした。これは、同社CEOのRussel Ellwanger氏が7月下旬に開かれたTowerJazz Technical Global Symposiumで述べたもの。 [→続きを読む]
光/近接センサが急成長している。2012年に5億5510万ドルの売り上げが2013年は41%増の7億8220万ドルに達するだろうとIHSグローバル（旧アイサプライ）は見る(図1)。2017年までにCAGR（年平均成長率）19%という見通しで、この年には13億ドルに到達すると予測する。 [→続きを読む]
Si IGBTやパワーMOSFETの性能を超える、SiCやGaNといった高温半導体トランジスタが期待されながら大きく成長していけない最大の問題はコスト。SiCはSiよりも10倍も高い。Siのパワートランジスタは製造プロセスがSiCやGaNに比べて完成しており、従来の設備が使え、低コストである。化合物半導体はどうやってコストの壁を突破するか、その一つのアイデアをTransphorm（トランスフォーム）社が提案した。 [→続きを読む]
中国におけるIC生産をけん引するのは外国企業で、トップはIntel、2位はSK Hynixという結果が米市場調査会社IC Insightsから発表された(表1)。これは2012年におけるIC生産額について調べたもの。中国におけるIC生産は2012年に89億ドルにとどまり、ICを使う市場の810億ドルに比べてまだ小さい。 [→続きを読む]
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