LTEは、NTTドコモの「Xi（クロッシィ）」の名称などで実用化されており、データレートが数十Mビット/秒と速いことが特長である。が、どうやらこれだけではなさそうだ。VoLTE（ボルテと発音；Voice over LTE）技術を導入することで、LTEは音声回線スイッチを使わない初めての通信ネットワークになる可能性を秘めている。半導体仕様への影響も大きい。通信機器のエリクソンがVoLTEを進めている。 [→続きを読む]
半導体企業やその関連企業はすべてテクノロジー企業である。テクノロジー企業を成長させるためには製品や技術に発展性あるいは拡張性を持たせることが必要だろう。拡張性があれば既存の回路やシステムは、再利用し低コストで次の世代のテクノロジーにつなげることができる。半導体メーカーではないが、測定器メーカーから出発したNational Instruments社は、拡張性あるテクノロジーを開発し続け成長している(図1)。 [→続きを読む]
JEITA半導体部会（JSIA）の齋藤昇三部会長は、就任後初めてJSIAとして今後推進するテーマについて語った。現在、日本の半導体産業が世界と比べて伸びていないことに対して、政府への要望と産業界が果たすべき役割を明確に分けて述べた。 [→続きを読む]
米市場調査会社のICインサイツ（Insights）は、2012年における世界のファウンドリ企業のトップ12社ランキング（見込み）を発表した。最も顕著な動きはサムスンの大躍進だ。アップルのアプリケーションプロセッサを製造するファウンドリの売り上げが大幅に伸びるとの予測に基づいている。 [→続きを読む]
日本半導体製造装置協会（SEAJ）が発表した7月における半導体製造装置のB/B（book-to-bill：販売額に対する受注額の比）レシオは0.89になり、景気の先行きが怪しくなった。一方、FPD製造装置はようやく受注が上向き、B/Bレシオが1.0を上回り1.12をマークした。 [→続きを読む]
シリコンウェーハの消費量が回復してきた。2012年第2四半期（4〜6月）におけるシリコンウェーハ面積が前月比20.4%増の24億4700万平方インチになった。これは、過去最高だった2010年第3四半期における24億8900万平方インチに次ぐ数字である。 [→続きを読む]
2012年6月19日のブログ「大和田敦之の視点：隠れたチャンピオン企業」（参考資料1）で語られたように、旭化成エレクトロニクスが2011年の磁気センサ市場で売上トップであることが米IHS アイサプライ（iSuppli）の調べでわかった（参考資料2、3）。15億ドルの磁気センサ市場において、旭化成エレの売り上げはおよそ1/4に相当する3億7200万ドルと見られている。 [→続きを読む]
ナショナルインスツルメンツ（NI）社は、ワイヤレス通信で欠かせないRF信号を使った回路や半導体チップをテストするための簡便なツールを発表した。これは次世代の高速Wi-Fi規格である802.11acやLTEに対応する信号発生器と信号解析器をPXIモジュール内に搭載した、超小型のVST（ベクトル信号トランシーバ）である。 [→続きを読む]
ソフトウエアベースの計測器メーカー、米ナショナルインスツルメンツ（National Instruments）社は、NIWeek初日の8月7日(米国時間)に基調講演を行い、測定器も小型・高集積でムーアの法則に合うものにしようと述べた。ムーアの法則は電子機器を高機能・高性能＋低コスト・小型にしたが、計測器はまだ小さくなっていなかった。今回、測定器2台分を一つの小型PXIモジュールに収めた。 [→続きを読む]
SiCのパワーモジュールが相次いで市場に出てきた。三菱電機が8月からサンプル出荷を開始、ロームは3月にSiCパワーMOSFETを2個組にしたモジュールを市場に出している。サンケン電気もSiCやGaNのパワートランジス開発に取り組みショットキダイオード（SBD）を13年後半には生産する予定だ。パワーモジュールはSiC MOSFETやSiCショットキバリヤダイオードなどをハイブリッドICのように集積したもの。 [→続きを読む]
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