SICASの第1四半期データ分析から見えてくる、半導体産業の大きな流れ(2)

2011年第1四半期におけるシリコンICの生産能力・実投入枚数のデータにおいて、MOS ICのμm別のデータが面白い傾向を示していることに気が付いた。それは、MOS ICの生産能力も投入数も0.12μm以上だとほぼ横ばいで推移しているのに対して、0.06μmから0.12μm未満までのウェーハは減衰、0.06μm未満のウェーハは増加傾向を示していることだ。 [→続きを読む]
2011年第1四半期におけるシリコンICの生産能力・実投入枚数のデータにおいて、MOS ICのμm別のデータが面白い傾向を示していることに気が付いた。それは、MOS ICの生産能力も投入数も0.12μm以上だとほぼ横ばいで推移しているのに対して、0.06μmから0.12μm未満までのウェーハは減衰、0.06μm未満のウェーハは増加傾向を示していることだ。 [→続きを読む]
2011年第1四半期におけるシリコンICの生産能力は前四半期比0.9%増、実投入ウェーハ枚数も2.0%増と今年に入って半導体IC生産は好調であることを裏付けているデータを世界半導体生産キャパシティ統計(SICAS)が発表した(図1)。IC生産の稼働率はここ2四半期やや下がり93.1%まで落ちたため供給能力が満たされつつあるような様相を示したが、今期94.2%と再び供給タイトな状況を示すに至った。 [→続きを読む]
プリンテッドエレクトロニクスの市場は、2010年から2016年にかけて年平均成長率CAGRが58%という伸びを示すことをフランスの市場調査会社のYole Developpementが発表した。この期間の主力分野は照明であり、さらなるキラーアプリと製造しやすい試作品が求められるとしている。 [→続きを読む]
LTE時代には、3GやHSPA(high speed packet access)、などさまざまな通信方式が共存することがはっきりしてきた。7月5日〜6日、パシフィコ横浜で開かれたWTP(Wireless Technology Park)では、KDDI研究所が方式の異なる無線通信の中から最適な方式を選ぶコグニティブ無線をさらに発展させ、データレートを改善する試みをはじめ、さまざまな通信方式や周波数帯が共存する環境での無線技術が新しいトレンドとなってきた。 [→続きを読む]
SEAJ(日本半導体製造装置協会)が発表した、2011年の日本製の半導体製造装置とFPD製造装置の合計販売額は、1兆7032億円と、2011年1月予想の1兆6682億円から350億円を上方修正した。このうち、半導体製造装置は550億円の上方修正だが、FPD製造装置は200億円の下方修正となった。 [→続きを読む]
「NECもレノボも共にブランドは残す」。NECとレノボが合弁でパソコンビジネスを展開することになり、7月1日に両社の持ち株会社、「NECレノボ・ジャパン グループ」が発足した。同社エグゼクティブ会長のRoderick Lappin氏は上のように語った。 [→続きを読む]
世界のスマートフォン用アプリケーションプロセッサのランキングが発表された。それによると、トップにはクアルコム、2位にはテキサスインスツルメンツ(TI)が続いている。クアルコムは売り上げ、チップ数量ともトップだとしている。 [→続きを読む]
結晶シリコンをベースとする太陽光発電パネルの価格(売価)が2012年の第2四半期には1ドル/Wになりそうだという見通しを、米市場調査会社のアイサプライ(IHS iSuppli)が発表した。これまで、ソーラーパネル市場は来年には落ち込むと懸念されていたが、これを払しょくする勢いだとしている。 [→続きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、Siウェーハ上にGaN薄膜を成長させたRF(高周波)パワートランジスタを開発、市場へ送りこんだ。GaNのFETは従来RFで使われてきたGaAsFETと比べ、送信出力を倍増できる(参考資料1)。 [→続きを読む]
台湾のファウンドリTSMCが28nmプロセス向けのデザインツールキットを発表、その詳細を明らかにした。28nm設計というArFレーザー波長のおよそ1/7しかないような微細な寸法で半導体ICを作るとなると、設計図をいかに実物のレジストパターンに近づけられるか、が大問題となる。それを解決するDFM(design for manufacturing)は、初期のパターンや電気特性だけではなく、信頼性予測までも行う。 [→続きを読む]
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