ルネサスがSiウェーハ上に形成したGaNのRFパワーアンプをサンプル出荷

ルネサスエレクトロニクスは、Siウェーハ上にGaN薄膜を成長させたRF(高周波)パワートランジスタを開発、市場へ送りこんだ。GaNのFETは従来RFで使われてきたGaAsFETと比べ、送信出力を倍増できる(参考資料1)。 [→続きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、Siウェーハ上にGaN薄膜を成長させたRF(高周波)パワートランジスタを開発、市場へ送りこんだ。GaNのFETは従来RFで使われてきたGaAsFETと比べ、送信出力を倍増できる(参考資料1)。 [→続きを読む]
台湾のファウンドリTSMCが28nmプロセス向けのデザインツールキットを発表、その詳細を明らかにした。28nm設計というArFレーザー波長のおよそ1/7しかないような微細な寸法で半導体ICを作るとなると、設計図をいかに実物のレジストパターンに近づけられるか、が大問題となる。それを解決するDFM(design for manufacturing)は、初期のパターンや電気特性だけではなく、信頼性予測までも行う。 [→続きを読む]
6月21日にASET(超先端電子技術開発機構)、22日には米SEMATECHがそれぞれ主催するシンポジウムが東京で開かれた。いずれも3D(次元)ICに関するプロジェクトを持っているが、研究テーマが全く違うことが明確になった。ASETがTSVを使った技術開発に注力しているのに対して、SEMATECHはビジネスとして成功させるための問題解決に重点を置いている。 [→続きを読む]
Xilinx(ザイリンクス)のFPGA、Vertexシリーズを指揮、3次元メモリーのMatrix Semiconductor(San Diskが2005年に買収)のCEOを務め、革新的なデザインで名をはせたメモリーメーカーのMostek社でスマート(賢い)エンジニアと呼ばれた、Dennis Segers氏率いる米Tabula社(参考資料1)が日本オフィスを開設した。 [→続きを読む]
日本製の半導体製造装置およびFPD(フラットパネルディスプレイ)製造装置の5月における販売高、受注高、B/Bレシオ(販売高に対する受注高の比)が発表された。それによると半導体製造装置のB/Bレシオは0.94、FPDのそれは1.32という結果だった。受注高・販売高とも3ヵ月の移動平均の数字である。 [→続きを読む]
電気自動車(EV)の車輪ごとにモータを取り付け、そのモータで駆動する「インホイールモータ方式」がEVの泣き所であった航続距離を長くできることを、クルマを試作したシムドライブ社が実証した。同社は慶應義塾大学教授の清水浩氏がこの方式のEVの早期実現のために、ベネッセホールディングス会長の福武總一郎氏らと共に設立した研究開発会社。 [→続きを読む]
SEMIは、2011年の第1四半期における、世界半導体製造装置の総売上高は前年同期比61%増の120億ドルになったと発表した。対前期比では1%増とほぼ横ばいである。このデータは日本半導体製造装置協会(SEAJ)と協力して世界各地の100社を超える企業から集計したもの。 [→続きを読む]
オランダのNXP Semiconductor社は、カーラジオやカーステレオなどのカーエンターテインメントや車載ネットワークなど高周波無線技術でカーエレクトロニクス分野を伸ばしてきた。これまでの自動車の無線技術をさらに生かし、クルマ同士の通信や、クルマと支柱の無線機器との間の通信などを強化するコネクテッドモビリティと呼ぶ通信に力を入れ始めた。 [→続きを読む]
世界のスマートフォンは台数ベースで2011年に前年比55%増の4億7200万台に成長するという予測を米市場調査会社のIDCが発表した。さらに今から4年後の2015年には9億8200万台に倍増すると予測する。 [→続きを読む]
世界のLED照明市場は、2020年には134億ドルになるというが発表があった。これはパッケージに封止されたLEDチップを使った照明応用の市場規模である。2010年におけるLEDの市場規模は5億ドルにすぎなかったが、2015年までは年率平均33.2%で成長し、2015年から2020年は44.9%とさらに急伸するという。 [→続きを読む]
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