65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまで攻めに転じるスパンション
業績回復から攻めに転じ始めたスパンション社が従来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへと製品を転換していく。このほど都内で記者会見を開き、NANDと比べて高速動作が可能なNOR型フラッシュメモリーの製品をすべて65nmラインに替えていく旨を発表した。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
理系離れを食い止めるための方策をIBMフェローが提案−Siシーベルト会議にて
福岡県および福岡先端システムLSI開発拠点推進会議、九州半導体・エレクトロニクスイノベーション協議会が主催するシリコンシーベルトサミット福岡2011において、IBMフェローでありIBMシステム&テクノロジーグループのJohn Cohn博士は、その特別講演の中で、理系離れを食い止めるためのソリューションを提案した。 [→続きを読む]
FD-SOI CMOSは20nm以降ではバルクよりも断然有利とSOIコンソーシアムが発表
完全空乏型（fully depleted）SOI CMOS技術は20nm以降のCMOS技術として性能、消費電力、コストの点でバルクCMOSと比べ有利になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機器に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの上級ディレクタを務めるHoracio Mendez氏は主張する。 [→続きを読む]
MWC2011〜LTE-Advancedチップや LTEの利用環境、M2Mのエコシステムが焦点
3GからHSPA（high speed packet access）、HSPA+へと進みLTE（long term evolution）の世界が開かれることは疑いのない事実になってきた。逆に、このMWC2011でLTEだけの発表はもはやニュース価値はなくなってきた。一方、端末はどうか。アップルがiPhone5をリリースするかと思われたものの発表はなかった。新しい端末の方向がアンドロイドであることは誰も疑わなくなってきた。新しい端末はもはやニュース価値はない。 [→続きを読む]
NANDフラッシュ市場で首位サムスンをじわじわ追い詰める東芝
NANDフラッシュ市場では東芝がサムスンをじわじわと差を詰めてきている。DRAMエクスチェンジが発表した2010年第4四半期におけるNANDフラッシュメーカーのランキング（表1）によると、首位サムスンが18億4000万ドルだったのに対して、東芝は17億4300万ドルと肉薄してきた。 [→続きを読む]
2010年におけるシリコンのウェーハ出荷面積は過去最高の40%増に
2010年のシリコンウェーハの出荷面積は対前年比40%増の93億7000万平方インチ、と過去最高に達したことをSEMIが発表した。ウェーハの販売額は同45%増の97億ドルになった。 [→続きを読む]
アナデバ、民生市場の中から成長分野を選択、今後も成長を持続
アナログ・デバイセズ社は民生の強い日本市場においても、民生から産業用へあるいは民生の中の成長分野へ比重を移すことにより成長を持続していく戦略をとる。先週、同社は今年度の製品戦略説明会を開き、世界市場、日本市場について同社日本法人代表取締役社長兼会長の馬渡修氏が語ったが、その方針をじっくりかみしめてみると、上のことが言えそうだ。 [→続きを読む]
NANDフラッシュの大容量化と高速化が進む背景にデジカメの動画化がある
米フラッシュカード大手のサンディスク社は書き込み・読み取り速度が最大45MB/秒で、SD ver3.0仕様に準拠したUHS-Iインターフェースを持つ8GB、16GB、32GBのSDカードを一般向けに発売した。UHS（Ultra High Speed）-Iインターフェースは最大104MB/秒の転送速度まで対応する規格。 [→続きを読む]
タブレット向けDRAMの需要急増の予測をエルピーダ、アイサプライ共に期待
エルピーダメモリは同社の決算発表会において、タブレットやスマートフォン向けの「モバイルDRAM」がコンピュータ向けのDRAMの市場規模と同じ程度になることを期待している、と述べた。アイサプライは、メディアタブレット向けのDRAM需要が9倍に増えると発表した。 [→続きを読む]
グローバルファウンドリーズ、28nmのゲートファーストを20nmでラストに転換
Douglas A. Grose氏、Global Foundries社CEO 米グローバルファウンドリーズ社がシンガポールのチャータードセミコンダクターを傘下に収めてほぼ1年。いまや世界第2位のファウンドリ企業になった。このほど来日したCEOのダグラス・グロース氏は今年の方針を語った。 [→続きを読む]
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