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セミコンポータルによる分析

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NvidiaがタブレットXoomに使えるほどの低消費電力化を達成させた技術とは?

NvidiaがタブレットXoomに使えるほどの低消費電力化を達成させた技術とは?

欧州通信産業・半導体産業のプロフェッショナルがモトローラのタブレットXoomを絶賛したことはすでに伝えた(参考資料1)が、iPad2が3月2日に米国で発表されるとXoomと同レベルかそれ以上の仕様であることがわかった(参考資料2)。iPad2にはデュアルコアCPUが使われている点もサクサク動くという点も裏表にカメラ2台を載せている点も全く同じ。アップルはプロセッサA5の中身を明らかにしないが、Xoomに搭載されたNvidiaのプロセッサTegra2の消費電力削減技術を紹介する。 [→続きを読む]

フリースケールがARMアーキテクチャもマイコンシリーズに追加

フリースケールがARMアーキテクチャもマイコンシリーズに追加

米フリースケール・セミコンダクタはARMのプロセッサコアの一つ、Cortex-M4をコアとするマイクロコントローラ(マイコン)を製品シリーズに加えると発表した。これまで同社独自のColdFireコアとPowerコアに加え、業界標準のコアを追加することでマイコンの製品ポートフォリオを広げ、巻き返しを狙っている。 [→続きを読む]

自動車用半導体ICは2011年に12%成長、とICインサイツが発表

自動車用半導体ICは2011年に12%成長、とICインサイツが発表

米調査会社のICインサイツ(IC Insights)は、2011年の自動車用半導体は12%も成長するという見方を発表した。半導体全体では6%前後の例年(1999年以来)の伸び率に変わり、2010年の32%という驚異的な回復力を見せた年とは違う。だからといって景気後退という訳ではない。健全な伸びを示すだろうというのが一致した見方である。 [→続きを読む]

65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまで攻めに転じるスパンション

65nmNORフラッシュから4G NAND、省ピンSPIまで攻めに転じるスパンション

業績回復から攻めに転じ始めたスパンション社が従来の90nmおよび110nmのGLシリーズから65nmプロセスのGL-Sシリーズへと製品を転換していく。このほど都内で記者会見を開き、NANDと比べて高速動作が可能なNOR型フラッシュメモリーの製品をすべて65nmラインに替えていく旨を発表した。 [→続きを読む]

理系離れを食い止めるための方策をIBMフェローが提案−Siシーベルト会議にて

理系離れを食い止めるための方策をIBMフェローが提案−Siシーベルト会議にて

福岡県および福岡先端システムLSI開発拠点推進会議、九州半導体・エレクトロニクスイノベーション協議会が主催するシリコンシーベルトサミット福岡2011において、IBMフェローでありIBMシステム&テクノロジーグループのJohn Cohn博士は、その特別講演の中で、理系離れを食い止めるためのソリューションを提案した。 [→続きを読む]

FD-SOI CMOSは20nm以降ではバルクよりも断然有利とSOIコンソーシアムが発表

FD-SOI CMOSは20nm以降ではバルクよりも断然有利とSOIコンソーシアムが発表

完全空乏型(fully depleted)SOI CMOS技術は20nm以降のCMOS技術として性能、消費電力、コストの点でバルクCMOSと比べ有利になることをSOIインダストリコンソーシアムが発表した。このため携帯機器に使うべきSoCには向いていると同コンソーシアムの上級ディレクタを務めるHoracio Mendez氏は主張する。 [→続きを読む]

MWC2011〜LTE-Advancedチップや LTEの利用環境、M2Mのエコシステムが焦点

MWC2011〜LTE-Advancedチップや LTEの利用環境、M2Mのエコシステムが焦点

3GからHSPA(high speed packet access)、HSPA+へと進みLTE(long term evolution)の世界が開かれることは疑いのない事実になってきた。逆に、このMWC2011でLTEだけの発表はもはやニュース価値はなくなってきた。一方、端末はどうか。アップルがiPhone5をリリースするかと思われたものの発表はなかった。新しい端末の方向がアンドロイドであることは誰も疑わなくなってきた。新しい端末はもはやニュース価値はない。 [→続きを読む]

NANDフラッシュ市場で首位サムスンをじわじわ追い詰める東芝

NANDフラッシュ市場で首位サムスンをじわじわ追い詰める東芝

NANDフラッシュ市場では東芝がサムスンをじわじわと差を詰めてきている。DRAMエクスチェンジが発表した2010年第4四半期におけるNANDフラッシュメーカーのランキング(表1)によると、首位サムスンが18億4000万ドルだったのに対して、東芝は17億4300万ドルと肉薄してきた。 [→続きを読む]

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