ローム、SiCトレンチMOSFETで250℃動作、モータへの内蔵ボードを実現
半導体デバイスの電気的特性を測る測定器は、その半導体の持つ特性よりもより高速、より高周波、より低ノイズ、より大電流、より高電圧、といった性能が要求される。大電力のパワーデバイスの測定器も同様だ。計測器メーカー大手の米テクトロニクス社が主催したセミナーでSiC MOSFETパワーデバイスの現状をロームが明らかにした。 [→続きを読む]
半導体デバイスの電気的特性を測る測定器は、その半導体の持つ特性よりもより高速、より高周波、より低ノイズ、より大電流、より高電圧、といった性能が要求される。大電力のパワーデバイスの測定器も同様だ。計測器メーカー大手の米テクトロニクス社が主催したセミナーでSiC MOSFETパワーデバイスの現状をロームが明らかにした。 [→続きを読む]
米テクトロニクス社は、周波数を横軸とするスペクトルアナライザ機能と、時間を横軸とするオシロスコープの機能を持たせた新型のオシロスコープMDO4000シリーズを発売する。最近の流行語であるコネクティビティとワイヤレスインターネットという言葉で代表されるモバイル機器にはRF回路は欠かせない。このオシロはRFからデジタルまで使える。 [→続きを読む]
SEMIは、SEAJ(日本半導体製造装置協会)の協力を得て、2011年第2四半期における半導体製造装置の販売額が前年同期比31%増の119億2000万ドルになったと発表した。前四半期と比べると1%減であり、3期連続ほぼ横ばい状態が続いている。 [→続きを読む]
米国の3M社とIBM社は、3次元実装用の接着剤を共同で開発することで合意したと発表した。半導体チップを100枚でも1000枚でも高層ビルのように積んでいくようにすることが狙いである。IBMはこれによって超高性能のプロセッサを開発する。3次元実装を低コストで実現するための手段となりうる。 [→続きを読む]
オランダのNXP SemiconductorはNFC(near field communication)やRFID用半導体を100種類以上も展開しているが、自動認識展2011においても非接触のRFIDカードから、10m程度までの通信を可能にするUHF帯通信RFIDカード、そしてNFCなど新しい市場を狙ったIC製品群を発表した。 [→続きを読む]
英国の電子部品・機械部品のディストリビュータであるRS Components社の日本法人アールエスコンポーネンツがモバイル環境からも部品を注文できるシステムを強化している。エンジニアがよく使う電子部品ディストリビュータが3社あるが、RSはその内の1社であり、電子部品と機械部品の豊富さを売り物にしている。 [→続きを読む]
半導体ビジネスにソフトウエアの比率が高まってくるにつれ、ソフトウエアプログラムにつきもののバグが頭痛の種になる。これまでバグを退治するツールは見つけて除去するだけで、他にも潜んでいる可能性はあった。もし、バグがないことを証明してくれたら、SoCの設計時間がぐんと短くなる。この夢を実現してくれるソフトウエアツールが普及の兆しを見せている。 [→続きを読む]
SEAJが発表した、7月における日本製半導体およびFPD製造装置のB/Bレシオ(販売額に対する受注額の比)がそれぞれ、0.84と1.38になった。共に受注額が落ちてきており、要注意である。 [→続きを読む]
Siウェーハ上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaNパワーデバイスや白色LEDを実用化させるベンチャー企業が米国を中心に続出している。このGaN-on-Si技術はもはや研究フェーズではない。実用化開発に焦点が移っている。限定ユーザー向けにサンプル出荷をしている所もある。 [→続きを読む]
熱をよく逃がすが、電気は通さない、という放熱用の絶縁材料を、エポキシにフィラー粒子として混ぜることで熱伝導の優れた樹脂が使えるようになる日が近い。AlNのフィラーを開発しているトクヤマ、熱伝導率の高いエポキシ樹脂を研究している関西大学の原田研究室が、マイクロ・ナノファブリケーション研究会で顔を合わせた。 [→続きを読む]
<<前のページ 277 | 278 | 279 | 280 | 281 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 次のページ »