セミコンポータル: セミコンポータルによる分析

NANDフラッシュ市場で首位サムスンをじわじわ追い詰める東芝

2011年2月 9日｜市場分析

NANDフラッシュ市場では東芝がサムスンをじわじわと差を詰めてきている。DRAMエクスチェンジが発表した2010年第4四半期におけるNANDフラッシュメーカーのランキング（表1）によると、首位サムスンが18億4000万ドルだったのに対して、東芝は17億4300万ドルと肉薄してきた。 [→続きを読む]

2010年におけるシリコンのウェーハ出荷面積は過去最高の40%増に

2011年2月 9日｜市場分析

2010年のシリコンウェーハの出荷面積は対前年比40%増の93億7000万平方インチ、と過去最高に達したことをSEMIが発表した。ウェーハの販売額は同45%増の97億ドルになった。 [→続きを読む]

アナデバ、民生市場の中から成長分野を選択、今後も成長を持続

2011年2月 8日｜経営者に聞く

アナログ・デバイセズ社は民生の強い日本市場においても、民生から産業用へあるいは民生の中の成長分野へ比重を移すことにより成長を持続していく戦略をとる。先週、同社は今年度の製品戦略説明会を開き、世界市場、日本市場について同社日本法人代表取締役社長兼会長の馬渡修氏が語ったが、その方針をじっくりかみしめてみると、上のことが言えそうだ。 [→続きを読む]

NANDフラッシュの大容量化と高速化が進む背景にデジカメの動画化がある

2011年2月 7日｜産業分析

米フラッシュカード大手のサンディスク社は書き込み・読み取り速度が最大45MB/秒で、SD ver3.0仕様に準拠したUHS-Iインターフェースを持つ8GB、16GB、32GBのSDカードを一般向けに発売した。UHS（Ultra High Speed）-Iインターフェースは最大104MB/秒の転送速度まで対応する規格。 [→続きを読む]

タブレット向けDRAMの需要急増の予測をエルピーダ、アイサプライ共に期待

2011年2月 4日｜産業分析

エルピーダメモリは同社の決算発表会において、タブレットやスマートフォン向けの「モバイルDRAM」がコンピュータ向けのDRAMの市場規模と同じ程度になることを期待している、と述べた。アイサプライは、メディアタブレット向けのDRAM需要が9倍に増えると発表した。 [→続きを読む]

グローバルファウンドリーズ、28nmのゲートファーストを20nmでラストに転換

2011年1月25日｜経営者に聞く

Douglas A. Grose氏、Global Foundries社CEO 米グローバルファウンドリーズ社がシンガポールのチャータードセミコンダクターを傘下に収めてほぼ1年。いまや世界第2位のファウンドリ企業になった。このほど来日したCEOのダグラス・グロース氏は今年の方針を語った。 [→続きを読む]

アルテラ、ハイエンドからローエンドまで全て同時に28nmプロセスを採用

2011年1月25日｜技術分析（半導体製品）

アルテラは、ローエンドからミッドレンジ、ハイエンドに渡る広いアプリケーションに向けたFPGAを28nmプロセスで一気に作ると発表した。これまでは、微細化プロセスはハイエンドから始まり、ミッドレンジ、ローエンドへとマイグレーションしてくるのが普通だった。今回は全てのクラスを一気に28nmへと持ってくる。 [→続きを読む]

ナショナルセミ、プログラム可能なセンサー信号処理ICを開発ツールと共に提供

2011年1月25日｜技術分析（半導体製品）

アナログ分野に注力してきた米ナショナルセミコンダクター社は、ICチップの設計製造からソリューション提供ベンダーへと脱皮し始めている。温度センサーとそのコントローラで定評のある同社は、異なるセンサーにも対応し、設定をユーザーがプログラムできる1チップ信号処理ICを開発、その開発ツールも遅れずに提供する。 [→続きを読む]

三菱電機がSiC MOSFETのDC-ACコンバータで98%強の効率を達成

2011年1月21日｜技術分析（半導体応用）

三菱電機の先端技術総合研究所は、SiCのパワーMOSFETとショットキーバリヤダイオードを用いた直流-交流変換器を試作、その入出力の変換効率を測定したところ、98%強という値を得た。これまでのシリコンIGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせによる変換器と比べ、2ポイント以上向上しているという。 [→続きを読む]