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Cadence、全半導体設計工程の自動化を狙いエージェントAIを活用へ

Cadence、全半導体設計工程の自動化を狙いエージェントAIを活用へ

Cadence Design Systemsが半導体からプリント回路基板(PCB)の設計まで、完全な自動化を狙うため、エージェントAIを各工程に導入するという考え方を示した。エージェントAIを使って、EDAツールを自律化させ、設計効率を上げるためだ。AIは基本的にカスタム製品であり、それらを自律化するエージェントAIもカスタム製品である。Cadenceの考え方は、それらの全工程をつなぎ完全自動化を図ろうという壮大な計画である。 [→続きを読む]

Infineon、SDVには過去を引きずらないRISC-Vコアを選択

Infineon、SDVには過去を引きずらないRISC-Vコアを選択

Infineon Technologiesがこれからのクルマつくりに欠かせなくなるSDV(ソフトウエア定義のクルマ)に向け、RISC-VオープンスタンダードのCPUコアを中心に推進するという戦略を明確にした。従来の独自CPUコアを使ったマイコンのAurixシリーズ、ArmベースのTraveoとPSOC各シリーズも車載マイコン開発ツールやミドルウェアなどソフトウエアをバンドルしたDRIVECOREがあるが、RISC-Vにも用意する。 [→続きを読む]

STMicro、2段階アプローチで800VDCのデータセンター電源に対応

STMicro、2段階アプローチで800VDCのデータセンター電源に対応

AIデータセンターの消費電力の無駄を少しでも減らすため、コンピュータラックに供給している電源電圧を現在の50V前後から400V、あるいは800Vへと上げる動きが出ている。Infineon Technologiesが800V電源を提案しているが、STMicroelectronicsは、東京ビッグサイトで開催されたテクノフロンティアにおいて2段階の800V 電源システムへのアプローチを示した。 [→続きを読む]

富士フイルム、デジタルツイン手法で新材料開発期間を半減

富士フイルム、デジタルツイン手法で新材料開発期間を半減

EUVリソグラフィ向けフォトレジストや先端パッケージのインターポーザ上の再配線の層間絶縁膜用ポリイミド、チップと放熱フィンとの間に塗るTIM(Thermal Interface Material)膜、CVD(chemical vapor deposition)プリカーサなど半導体プロセス向けの材料に力を入れている(参考資料12)。富士フイルムは、さらなる半導体プロセス用の材料開発にデジタルツインを駆使、問題解決にも使っていることを明らかにした。 [→続きを読む]

TSMC、2nm以降プロセスの設計指針、DTCOは後位互換性でIP再利用を推進

TSMC、2nm以降プロセスの設計指針、DTCOは後位互換性でIP再利用を推進

TSMCは、N2以降のプロセスであるA16(1.6nmプロセス相当)、A14、A13プロセスへとGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタ(TSMCはナノシートトランジスタと呼ぶ)を進化させる設計指針DTCO(Design Technology Co-Optimization)は続く、と見ている。カギとなるのは、ナノシートの幅だけではなく、CMOS構造のセルの長さを含めたサイズのようだ。 [→続きを読む]

Altera、超高速DACやFPGAなどを集積したSiPを開発、宇宙・防衛向け

Altera、超高速DACやFPGAなどを集積したSiPを開発、宇宙・防衛向け

完全独立のFPGAメーカーとなったAlteraは、FPGAやCPUに64Gサンプル/秒のA-D/D-Aコンバータなどを搭載したSiP(System in Package)製品「Agilex 9 Direct RFシリーズ」の最上位機種「AGRW039」(図1)を開発した。Intel 7プロセス(7nm)を使ったSiP製品で、航空宇宙や防衛などミッションクリティカルな応用を狙っている。この応用分野は利益率が高く、高い演算能力のエッジコンピューティング技術が求められる。 [→続きを読む]

STMicro、お手軽なLiDARを構成できるToFセンサを製品化

STMicro、お手軽なLiDARを構成できるToFセンサを製品化

フィジカルAIが賢さを備えるためには自分の周囲を観測するLiDAR(Light Detecting And Ranging)が欠かせないが、自動車向けLiDARはまだ高価だ。数10万円〜100万円もする。このほど手軽に周囲を観察できるLiDARをSTMicroelectronicsが発売した。ロボットや工場、オフィス内、レストランなど自動車ほど速くないフィジカルAIが周囲の距離を測り衝突防止などにつなげられるセンサになる。 [→続きを読む]

IBM、0.7nmプロセスのCFETトランジスタを試作、次世代AIチップへ

IBM、0.7nmプロセスのCFETトランジスタを試作、次世代AIチップへ

IBMはサブナノメートルノードのCMOSトランジスタを開発したと発表した。プロセスは0.7nm(7オングストローム)ノード相当のトランジスタであるが、実際の寸法を表していない。2021年にGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタを発表しており、その時の集積度が500億トランジスタで、今回の集積度が1000億トランジスタであることから0.7nmプロセスとした。 [→続きを読む]

パワーGaN HEMT利用600WのD級アンプをInfineonが開発、THDは0.004%に

パワーGaN HEMT利用600WのD級アンプをInfineonが開発、THDは0.004%に

GaN HEMT(高移動度トランジスタ)がオーディオのD級アンプの効率が極めて高く、600Wという大出力のオーディオでさえ、放熱フィンの要らない97%もの高い効率を示すことが分かった。実験でこれを示したのがInfineon Technologiesの米国法人だ。PWM(パルス幅変調)を利用する、このデジタルアンプの全高調波歪(THD)は0.004%と驚くほど低くなった。 [→続きを読む]

AIモデルとNPUとワイヤレス機能を集積したSoCをNordicがまもなく量産

AIモデルとNPUとワイヤレス機能を集積したSoCをNordicがまもなく量産

エッジAIチップの用途がフィジカルAIの導入によって高性能化へ向かっている一方、低消費電力のIoTのエッジAIではますます低消費電力化を追求している。ノルウェーのファブレス半導体Nordic Semiconductorが、ワイヤレスジャパン2026で示したエッジAIチップは2種類のAI技術を搭載した低消費電力SoCであり、MCUとマルチプロトコルの無線機能も集積したAIoT(AI+IoT)チップといえる。 [→続きを読む]

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