B/Bレシオ、1.33への増加が好ましくない理由
2014年11月における日本製半導体製造装置のB/Bレシオは、1.33となった。これはSEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表したもの。3ヵ月の移動平均値だが、11月の受注額は、前月比7.3%増の1157億2600万円、販売額は同10.0%減の871億2600万円となった。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
東芝、SK Hynixと2億7800万ドルで和解
東芝は、NANDフラッシュメモリ技術の機密情報を不正に取得したとして、韓国のSK Hynixを訴えていた問題で、和解したことを発表した。これは、今年の3月13日にHynixの元従業員が、2008年当時、東芝四日市工場内でサンディスクの従業員として共同開発していた東芝の機密情報を不正に持ち出し、その情報をHynixが使用していた、として提訴していたもの。 [→続きを読む]
300mmウェーハ工場の生産能力、韓国・米国企業に集中、6割以上
300mmウェーハ工場を持つ企業の地域別生産能力のシェアを米調査会社のIC Insightsが発表した。これによると最もシェアが高いのは韓国企業で35%、次が北米の28%、3番目が台湾企業21%、日本企業は14%という結果になった（図1の右）。 [→続きを読む]
TowerJazz、パナソニックとの合弁事業を公開
イスラエルを本社とするTowerJazzグループがパナソニックとの合弁によるファウンドリ会社TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd.（TPSCo：パナソニック・タワージャズセミコンダクター）を4月に設立、このほどそのビジネス内容を明らかにした。同社CEOのRussell Ellwanger氏(図1)がTPSCoによる製品ポートフォリオの拡大、さらなるビジネス拡大について明らかにした。 [→続きを読む]
National Instruments/AWRが5G、IoTの通信設計容易化ツールを発表
ソフトウエアベースの測定器メーカーNational Instrumentsが、マイクロ波のCAD/CAEベンダーのAWRを買収して3年。通信技術が4Gから5Gへ向かうにつれ、両者のシナジー効果(参考資料1)が明確に表れてきた。複雑な5G技術をソフトウエア無線（Software defined radio）で対応し、マイクロ波･ミリ波回路をAWRのAnalyst/AXIEMシミュレータで設計する。 [→続きを読む]
LEAP、不揮発性メモリTRAMの設計指針を確立
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は、Te（テルル）を使うカルコゲナイド材料を超格子に積層させた抵抗型メモリであるTRAMの理論モデルを構築、性能や消費電力向上のための設計指針を確立した。これをIEDM（International Electron Device Meeting）でレポートした。 [→続きを読む]
Appleが日本に研究開発拠点を作る
先週、Apple社が日本に研究開発拠点を作るというニュースを12月10日の日本経済新聞や日刊工業新聞が報じた。これは安倍晋三首相が衆議院選挙の遊説中に「アジアで最大級の研究開発拠点を作る」、と述べたもの。Apple社の製品には日本製の部品が多数使われており、部品調達拠点が最大の狙いとみられる。 [→続きを読む]
旧三洋半導体部門、ON Semiに買収され海外売り上げを急増
かつてMotorolaの半導体部門から独立したON Semiconductorが2011年に旧三洋半導体を買収し、SSG（System Solutions Group）とした。旧三洋半導体の海外売り上げの比率は10%程度だったが、SSGとなって海外比率は50%を超えた、とON SemiのSSG担当シニアVP兼ゼネラルマネージャーのMamoon Rashid氏(図1)は言う。 [→続きを読む]
アドバンテスト、次世代ドライバ･アナログ･メモリのテスターを顔見せ
アドバンテストが、セミコンジャパンでテスター新製品を発表した。タッチセンサを集積したLCDドライバIC向けのテスター「T6391」(図1)や、モジュール方式でさまざまなアナログIC/ミクストシグナルICに対応した「EVA100」(図2)、512個のメモリの温度特性を測るハンドラ「M6245」(図3)などだ。 [→続きを読む]
finFETを全面リニューアルに
16/14nm以降のFinFETは、形状、サイズ、ピッチ、材料、製造プロセスから見直すことになりそうだ。このトランジスタはIntelの22nmノードのプロセッサHaswellから使われたが、その延長では済まないようだ。Semiconductor Engineeringがレポートする。 [→続きを読む]
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