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セミコンポータルによる分析

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TSMC、2nm以降プロセスの設計指針、DTCOは後位互換性でIP再利用を推進

TSMC、2nm以降プロセスの設計指針、DTCOは後位互換性でIP再利用を推進

TSMCは、N2以降のプロセスであるA16(1.6nmプロセス相当)、A14、A13プロセスへとGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタ(TSMCはナノシートトランジスタと呼ぶ)を進化させる設計指針DTCO(Design Technology Co-Optimization)は続く、と見ている。カギとなるのは、ナノシートの幅だけではなく、CMOS構造のセルの長さを含めたサイズのようだ。 [→続きを読む]

Micron、広島工場の拡張に1.5兆円以上を投資

Micron、広島工場の拡張に1.5兆円以上を投資

米Micron Technologyは東広島工場に1.5兆円以上を投資、新工場を設立する計画を明らかにした。かつてのエルピーダを買収した東広島で、このほど起工式を行った。AIデータセンター市場の拡大によって、メモリ(DRAM)が大量に使われることからメモリの工場を拡張するためだ。すでに隣接する敷地の基礎工事に入っている。 [→続きを読む]

半導体市況好調により、メモリ新工場設立発表、新工場の稼働発表も続々

半導体市況好調により、メモリ新工場設立発表、新工場の稼働発表も続々

半導体の新工場が稼働し始め、メモリは新工場を建設する動きが相次いでいる。メモリメーカーではMicron Technologyの広島工場の拡張工事が始まり、韓国ではSK hynixが約8兆円を投じて韓国中部の清州市内にNANDフラッシュの新工場を設立する。キオクシアとSanDiskは、北上工場第2製造棟を披露、新製品の出荷を開始、欧州ではInfineon Technologiesのドレスデン新工場がオープンした。 [→続きを読む]

Altera、超高速DACやFPGAなどを集積したSiPを開発、宇宙・防衛向け

Altera、超高速DACやFPGAなどを集積したSiPを開発、宇宙・防衛向け

完全独立のFPGAメーカーとなったAlteraは、FPGAやCPUに64Gサンプル/秒のA-D/D-Aコンバータなどを搭載したSiP(System in Package)製品「Agilex 9 Direct RFシリーズ」の最上位機種「AGRW039」(図1)を開発した。Intel 7プロセス(7nm)を使ったSiP製品で、航空宇宙や防衛などミッションクリティカルな応用を狙っている。この応用分野は利益率が高く、高い演算能力のエッジコンピューティング技術が求められる。 [→続きを読む]

2026年6月に最もよく読まれた記事は、半導体製造装置企業のランキング

2026年6月に最もよく読まれた記事は、半導体製造装置企業のランキング

2026年6月に最もよく読まれた記事は、「半導体製造装置メーカー売上高トップ15ランキング、日本勢が過半の8社、半導体企業ランキングと対照的」であった。これは、TechInsightsが発表した世界の半導体製造装置企業トップ15社のランキングについて、ブロガーの服部毅氏が報じた記事である。 [→続きを読む]

STMicro、お手軽なLiDARを構成できるToFセンサを製品化

STMicro、お手軽なLiDARを構成できるToFセンサを製品化

フィジカルAIが賢さを備えるためには自分の周囲を観測するLiDAR(Light Detecting And Ranging)が欠かせないが、自動車向けLiDARはまだ高価だ。数10万円〜100万円もする。このほど手軽に周囲を観察できるLiDARをSTMicroelectronicsが発売した。ロボットや工場、オフィス内、レストランなど自動車ほど速くないフィジカルAIが周囲の距離を測り衝突防止などにつなげられるセンサになる。 [→続きを読む]

Micronの好決算を受け、評価の目が変わったキオクシアなどメモリメーカー

Micronの好決算を受け、評価の目が変わったキオクシアなどメモリメーカー

メモリメーカー、Micron Technologyの最新の四半期決算が6月24日(米国時間)発表された。2026年度第3四半期(2026年3〜5月期)における同社の売上額は前年同期比(YoY)4.46倍の414.56億ドルとなった。粗利益率は84.6%、営業利益率は80.4%ととてつもない数字であった。これを機にすべてのメモリメーカーの評価が変わり、日本でもキオクシアが全世界の時価総額ランキングの49位に上がった。もちろん日本企業のトップである。 [→続きを読む]

IBM、0.7nmプロセスのCFETトランジスタを試作、次世代AIチップへ

IBM、0.7nmプロセスのCFETトランジスタを試作、次世代AIチップへ

IBMはサブナノメートルノードのCMOSトランジスタを開発したと発表した。プロセスは0.7nm(7オングストローム)ノード相当のトランジスタであるが、実際の寸法を表していない。2021年にGAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタを発表しており、その時の集積度が500億トランジスタで、今回の集積度が1000億トランジスタであることから0.7nmプロセスとした。 [→続きを読む]

パワーGaN HEMT利用600WのD級アンプをInfineonが開発、THDは0.004%に

パワーGaN HEMT利用600WのD級アンプをInfineonが開発、THDは0.004%に

GaN HEMT(高移動度トランジスタ)がオーディオのD級アンプの効率が極めて高く、600Wという大出力のオーディオでさえ、放熱フィンの要らない97%もの高い効率を示すことが分かった。実験でこれを示したのがInfineon Technologiesの米国法人だ。PWM(パルス幅変調)を利用する、このデジタルアンプの全高調波歪(THD)は0.004%と驚くほど低くなった。 [→続きを読む]

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