2026年第1四半期（1〜3月）のメモリ単価は、NANDフラッシュ、DRAMとも前四半期比（QoQ）で大きく値上がりしそうだ。NANDは33〜38%増、DRAMは55〜60%増になりそうだ。こう見るのは市場調査会社のTrendForce。需給ギャップが大きく広がり、供給不足で値上がりしても購入せざるを得ない状況になっている。特に米国ではDRAMがQoQで60%以上値上がりしそうだという。 [→続きを読む]
エッジAI市場よりもクラウド向けのAIデータセンターへの投資がすさまじいが、本格的なAIロボットや自動運転、AIドローンなどフィジカルAIが次世代AI技術の一つとして注目が集まってきた。フィジカルAIはエッジで使われることの多いAIであり、エッジAIチップの性能向上やソフトウエア開発にも力が入る。SEMICON JapanではスタートアップのEdgeCortix、Texas InstrumentsがそれぞれエッジAIの応用をサポートし始めた。 [→続きを読む]
先月でもある2025年12月に最もよく読まれた記事は、「フィジカルAI動き出す、ロボット大手のファナック、安川電機が導入」であった。これは、日本の産業用ロボットメーカーであるファナックがNvidiaのメタバースプラットフォームであるOmniverseを利用し新工場の設計に活かすというニュースだが、Nvidiaとの協力を強め、いずれロボットにもAIを導入することは間違いない。 [→続きを読む]
Intelが2nmプロセスの相当するIntel 18A技術を使った、パソコン向けの新しいSoC「Core Ultra シリーズ3（コード名Panther Lake）」の実性能・電力効率をCES 2026で発表した。セミコンポータルでも2025年11月にPanther Lakeの設計値などを公表していた（参考資料1）。Intelはさまざまなパートナーと共に評価・改良を続け、その基本的な実際の性能について発表した。 [→続きを読む]
新年明けましておめでとうございます。2026年はAI発展の年になりそうです。 昨年12月の会員向けフリーウェビナーでは「2025年半導体産業の総括：AI時代の本格幕開け」（参考資料1）と題して、AI時代が始まったことを伝えた。年明け元日の日本経済新聞でも1面トップ記事は、AIネイティブたち（アルファ世代と呼ぶ）への思いを伝えている。CESでの話題もAI時代の幕開けである。しかし、AIブームの失速をリスクと捉える経営者もいるという。これこそ、リスクではないだろうか。 [→続きを読む]
2025年7〜9期の世界半導体メーカーの決算が発表された。これまでの半年間の決算に第3四半期の決算を加え、2025年1〜9月の半導体売上額の上位20社をセミコンポータルが算出した。これによると、トップは1478億ドルのNvidia、2位は887億ドルのTSMC、3位584.9億ドルのSamsung、4位437億ドルのSK Hynix、5位334億ドルのIntel、という順だった。 [→続きを読む]
先週は半導体関係最大のイベントであるSEMICON Japanの記事が相次いだが、日本経済新聞と日刊工業新聞の切り口が全く違った。また、Micron Technologyは最新技術を展示していた一方で、本社から決算発表があり、メモリビジネスの好調さをいち早く見せた。ラピダスへの民間融資の8割を政府が債務保証する方針だと12月19日の日経が報じた。 [→続きを読む]
世界の半導体製造装置市場がこれまでの見通しから強気のプラス成長へと上方修正された。2025年の製造装置売上額は前年比13.7%増の1330億ドルになりそうだという見通しをSEMIが発表した。2025年1月では8%成長、7月には7.4％成長と見ると久々の2桁成長を予想している。この勢いで、26年は1459億ドル、27年に1560億ドルとして成長路線を予測する。上方修正の主な要因はAI需要であり、これがしばらく続くと見ている。 [→続きを読む]
SEMICON Japanにやってきた（図1）。その内容は、大きく変容している。元々、半導体装置及び材料メーカーが出展して、半導体プロセス技術者がバイヤーとなる展示会であったが、2025年のSEMICON Japanでは半導体メーカー、EDAベンダー、産業機械メーカーも出展しており、大きく変化している。OEMとサプライヤ、ユーザーが出展しており、それぞれの関係が崩れている。参加者は極めて多い、という印象だった。 [→続きを読む]
佐賀大学の嘉数誠教授らのグループは、ダイヤモンド結晶を使って半導体としてMOSトランジスタを試作し、その高周波特性を測定したところ、遮断周波数ｆMAXが120GHzを示した。ダイヤモンドはバンドギャップがシリコンの4.9倍もあり耐圧が高いため、パワー半導体への応用が期待されている。とはいえ、実際のトランジスタを形成することは簡単ではない。ゲート絶縁膜、n型/p型の形成などシリコンとは難しさが違う。 [→続きを読む]
