Infineon TechnologiesとロームがSiCパワー半導体のパッケージを共通にするための合意に達し、MoU（Memorandum of Understanding）を結んだ。Infineonはさまざまな形の表面実装パッケージを持っており（参考資料1）、ロームはハーフブリッジ構成のSiCモジュールDOT-247（挿入型）を持つ。互いにパッケージのポートフォリオが拡大すると共にセカンドソースを顧客に訴求できる。

図1　Infineonグリーンインダストリアルパワー事業部プレジデントのPeter Wawer氏（左）とローム取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏（右）　出典：Infineon Technologies、ローム

今回の提携によって、顧客はセカンドソースを広げることになり、ユーザーメリットは大きい。しかもInfineonの強いパワー半導体は、熱抵抗が低いパッケージを持ちユーザーの使い勝手の良さも売りにしている。例えば、放熱フィンをプリント基板表面側に取り付けられる表面実装パッケージ（TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK Dual, H-DPAKなど）をロームも顧客に提供できる。これらのパッケージは高さを2.3mmに統一しており、ユーザーの設計しやすさ、冷却システムのコスト削減にも役立つ。

また、ロームのDOT-247は2個のSiCトランジスタを縦続接続したハーフブリッジ構成なので実装面積を減らし、さらにパッケージ構造の最適化したことによって、標準パッケージであるTO-247に比べ、熱抵抗を15%減らし寄生インダクタンスも50%削減できた。これによりハーフブリッジ構成の電力密度は2.3倍に上がった。

この1〜2年SiCパワー半導体のスローダウンが続き、少しずつ次の好況期に備える動きが見えているが、SiCで日本のトップとパワー半導体の世界のトップとの提携はその一つの例でもある。SiCパワーデバイスはEVのOBC（On Board Charger）、再生可能エネルギーシステム（ソーラー、風力、電力貯蔵蓄電池など）、AIデータセンターの低エネルギー化などにも期待されている。

参考資料
1. 「パッケージング技術でパワーMOSFETの熱抵抗を大きく改善したInfineon」、セミコンポータル、(2020/04/22)