今日はこの2本を選択しました。SamsungがHBM4を最初にNvidiaに出荷、米EPCはeGaN技術をルネサスにライセンス提供、です。HBMはAIデータセンター向けのDRAMで、この1年Samsungが頑張って次世代版で巻き返しました。かつてTransphormを買収したルネサスは、高電圧を中心にビジネスしていましたが、低電圧から高電圧まで製品ポートフォリオの広いEPCのセカンドソースにもなります。

HBMでSK hynix、Micronに出遅れていたSamsungが新規格HBM4でライバル2社を出し抜き最初に出荷しました。この1年、SamsungがHBMを軽視していた戦略を見直し、研究開発投資に力を入れ、次世代版HBMであるHBM4でトップに立ちました。それまでリードしていたSK HynixはHBM4を昨年10月に出す予定が今年にずれ込みました。

Samsung、HBM4を最初にNvidiaに出荷
全文：Samsung Claims Lead in Race to Ship AI Chips to Nvidia, Bloomberg/Yahoo

もう1本のEPC（Energy Efficient Conversion）社が持っているeGaN（エンハンスモードのGaNトランジスタ）技術のセカンドソースとしてルネサスにライセンス供与しました。GaNはシリコンと比べ電力効率が高いため、低電圧品でも市場が大きくなると見たのでしょう。例えばヒューマノイドなどのロボットアームの肘や膝などの狭い所にモータとインバータシステムを組み込むために効率の高い低電圧GaNが適しているとInfineonが語っています。

米EPC、eGaN技術をルネサスにライセンス提供
全文：EPC licenses eGaN technology to Renesas, Electronics Weekly