セミコンポータルによる分析

半導体製造装置が一服、という視点で7月末に記事(参考資料1)を執筆したが、8月11日の日本経済新聞は敏感に反応、「半導体関連、宴の終わり？」というタイトルを付けた。先週も、というべきだがAIがあらゆる産業に浸透し始めたことが報道されている。AIが定着するようになるとAIチップも浸透するようになる。巨大な市場になりそうだ。 [→続きを読む]

DRAMは今年も大幅な成長を遂げそうだ。市場調査会社のIC Insightsは（参考資料1）、2018年のDRAM販売額は、前年比39%増の1016億ドル（11兆円）になるという予測を発表した。昨年のDRAMは75%程度の成長だったが、その勢いは収まらないため、当初は24%成長とみていたが、上方修正したことになる。 [→続きを読む]

データセンターのストレージシステムが変わりそうだ。巨大なCPUを集め、巨大なストレージをつなぐことのできるデータセンター向け大規模ストレージシステムを新インターフェース規格NVMe（Non-Volatile Memory Express）でつなぐようなシステムに向け、共有型の高速ストレージへと向かうという。米Pure Storage社が大規模システムに向けた高速ストレージ装置FlashArray IIXファミリを発売する。 [→続きを読む]

半導体の学会として日本で出発、発展してきた国際固体素子材料コンファレンス（SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials）が今年50周年を迎える。現在の半導体産業が隆盛を迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研究者の努力がある。今回は9月9日から13日まで東京大学本郷校舎(図1)で開催する。通常の講演やショートコースに加え、特別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。 [→続きを読む]

米国時間7月31日、Appleを巡る二つのニュースが発表された。市場調査会社のIDCから世界の出荷台数でAppleが2位から3位に落ちた、という負のニュースが出た一方、Appleが時価総額1兆円を突破した、という正のニュースも発表された。どちらも正しい。なぜ評価が分かれるように見えるのか。その大本の原因はメモリバブルにある。 [→続きを読む]

7月に最もよく読まれた記事は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東芝メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを持ち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル方式を採用したもの。平面上で1ビットに相当する領域でありながら、96セル×4ビット/セルの384ビット（48バイト）分の高いメモリ密度を持つ。 [→続きを読む]

SEMIが発表した2018年第2四半期における世界シリコンウェーハ出荷面積は、過去最高の31億6000万平方インチだった。これはこれまでの過去最高だった前四半期を2.5%上回っている。前年同期比では6.1%増に相当する。 [→続きを読む]

日米とも半導体製造装置の販売額が久しぶりに一服状態になった。日本製半導体製造装置の販売額は前年同月比16.9%増の1788億9800万円、北米製半導体製造装置のそれは8.1%増の24億8670万ドルとなった。これまで上昇一辺倒でやってきた半導体製造装置は一服となる。 [→続きを読む]

NANDフラッシュが順調に値下がりし、市場を拡大してきているのに対し、DRAMは3社の寡占化が続き、DRAM単価は上げ止まったままの状況が続いている。DRAMメーカーのSK Hynixが発表した4〜6月期の営業利益率は実に53.7%という売上額の過半数を占めた。半導体製造装置メーカーの東京エレクトロンとテスタのアドバンテストの業績も絶好調。 [→続きを読む]

ベルギーIMECが効率27.1%のペロブスカイト構造太陽電池を開発した。ペロブスカイト構造の太陽電池とは何か。なぜIMECはペロブスカイト太陽電池を開発したのか。代表的なペロブスカイト構造は、PbTiO3やBaTiO3のような強誘電体結晶で見られる。立方晶系の単位格子の各頂点に金属（PbやBa）原子、体心にもう一つの金属原子Tiを配置し、立方晶系の面心中央にOを配置した結晶構造の一種。なぜこれが安く高い効率のセルを作れるのか、探る。 [→続きを読む]