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DRAMのデータレート（バンド幅）を1ピン当たりDDR4の8.5倍速いHMC（Hybrid Memory Cube）の概略が明らかになった。HMCは、TSV（Through Silicon Via）を使ってDRAMチップを縦に積み上げる3D-ICの一種で、基地局やデータセンターなどに向け消費電力を上げずに高速性を得るRAMメモリである。詳細は3月25日に開催されるSPIフォーラム「3次元実装への道」で明らかになる。 [→続きを読む]
「1/fノイズを測りたい」と思うエンジニアに福音。Agilent Technologiesから測定器部門が独立したKeysight Technologiesの日本法人、キーサイト・テクノロジーは、低周波雑音が極めて低い1/f測定器を開発した。1/fノイズの観測できる周波数が20Hz以下と低く、ホワイトノイズが占めるノイズフロアも従来の-177dB2/Hzから-183dB2/Hzと下がった。 [→続きを読む]
電磁界結合、磁界共鳴、キャパシタンス結合などでチップ同士やワイヤレス給電などの技術がこれまであったが、まさかと思えるクロストーク結合によるワイヤレス技術が登場した(図1)。慶應大学の黒田忠広教授が提案、ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）2015でその有効性を明らかにした。 [→続きを読む]
16nm FinFETプロセスがいよいよFPGAを手始めに量産が始まる。昨年出荷されたIntelの新しいプロセッサ「Broadwell」にも14nm FinFETプロセスが使われたが、生産工場がパイロット生産工場であり、量産工場ではなかった。このほどXilinxが出荷する16nm FinFETプロセスのUltraScale+ファミリ(図1)が量産チップといえそうだ。 [→続きを読む]
「FPGAをもっと身近に使ってほしい」。こんな気持ちで高級なFPGAをもっと使いやすい開発ツールの提供にAlteraとマクニカが共同で取り組んでいる。最大5万LUT（ルックアップテーブル）を持つAlteraのFPGAであるMAX10シリーズのユーザを拡大するため、Alteraは使いやすさを念頭に置いた開発ツールDK-DEV-10M50-Aを3月から出荷する。 [→続きを読む]
小さくても回路の追加が簡単にできて、しかも実装面積が1.4mm角しかない。アプリケーションプロセッサやASICなど中核半導体のコンパニオンチップとして使えば、スマホやタブレットなどにおいて、実装基板面積を増やさずに携帯デバイスの機能を追加できる。Lattice SemiconductorのiCE40 UltraLite(図1)は「ネジ釘」的に使えるロジックだ。 [→続きを読む]
衛星からの電波が届かない屋内や地下にいても歩行者の位置を検出する技術が開発されつつあるが、国土交通省が東京駅周辺でその実証実験を行った。間もなく、その結果が公表される計画である。 [→続きを読む]
USBの新規格であるUSB Type-Cコネクタを使えるようにするコントローラが早くも登場した。Cypress Semiconductorが3月から量産する。この新規格を利用するコネクタは、従来のUSBコネクタジャックの厚みを半減させ、ウルトラブックやタブレットなどに威力を発揮する。しかも、小型ながら最大100Wの電力を扱えるため、急速充電が可能。 [→続きを読む]
クルマの48V化が現実味を帯びてきた。2014年カーエレクトロニクス展では、Boschが48Vの回生システムをひそかに出展しており、Infineonからは自動車用MOSFETの製品マーケティングと応用技術の部門長であるCarlos Castro氏(図1)がその狙いを語った。 [→続きを読む]
英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。ダイアモンドの魅力は何といっても絶縁体ながら熱抵抗が極めて低いこと。このため、高周波パワートランジスタにはうってつけ(参考資料1)。熱伝導率が1600W/mKと高く、放熱性が優れているため、従来のSiCを基板とするGaNよりも性能が高い。 [→続きを読む]
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