Qualcommの次世代APU Snapdragon 820が次第に明らかに
Qualcommが次世代スマートフォン向けのアプリケーションプロセッサ（APU） Snapdragon 820の内部回路をこれまで小出しに発表してきたが、このほどCPUに関しても発表した。SnapdragonはCPUだけに負荷を負わせず、ジョブに応じてGPUやDSPなどに振り分けるヘテロジーナスコンピューティングを進めてきた。これもその一環である。 [→続きを読む]
技術分析
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Rambus、IPライセンス事業からメモリ製品事業へ拡大
メモリのIPライセンスビジネスを展開してきたRambusが、ファブレスとしてDRAMチップ販売ビジネスも手掛けることになった。最先端高速DRAMとしてのDDR4規格に準じたDRAMおよびそれを搭載したメモリモジュールDIMM用メモリインターフェースチップをチップセットとして販売する。 [→続きを読む]
Mentor、ICパッケージ/PCB設計段階でノイズ解析するシミュレータを発売
クルマ用のECU（電子制御ユニット）をはじめ、全ての電子機器を正常に動かすためにはノイズ対策は欠かせない。ICチップや部品をパッケージ基板やプリント回路基板に載せてから動作を確認するのではなく、載せる前にEMIを確認できる、というツールをMentor Graphicsが明らかにした。 [→続きを読む]
IIoTアーキテクチャが鮮明になってきたNIWeek 2015 (2)
米National Instrumentsが主催するNIWeek 2015（参考資料1）では、工業用IoT（IIoT）を使い、さまざまなシステムを開発した例が発表された。心臓移植の支援、Cirrus LogicのオーディオコーデックICのテストデータを解析する企業、航空機の翼や機体の異常を超音波で検出する例などを紹介する。いずれもデータ解析機能を設けており、「IIoT Ready」になったとしている。 [→続きを読む]
IIoTアーキテクチャが鮮明になってきたNIWeek 2015 (1)
ソフトウエアベースの測定器メーカーNational Instruments社が毎年夏に開催するNIWeek(図1)では、必ず大きな技術のトレンドについてディスカッションされている。昨年は、IoTを工業用IoT (IIoT) に集中することを表明すると共に、もう一つの流れである、Software-Defined xxx、あるいはSoftware-Designed xxxに関しても述べていた。今年はどうか。 [→続きを読む]
IntelとMicron、クロスポイント型不揮発性メモリをサンプル出荷へ
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと呼ぶ）技術と名付けたこの不揮発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ速く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え回数が1000倍多いという。 [→続きを読む]
日本IBMと清水建設の視覚障がい者支援、ビーコンでBluetooth市場拡大へ
Bluetooth LE (Low Energy)を使ったIoTやウェアラブル、スマートホームなどの市場が拡大すると期待されているが、ビーコンの活用でその市場は一段と広がりそうだ。Bluetooth LEを使った電波の発信機ビーコンは、屋内や地下街などの位置検出に威力を発揮するようになる。 [→続きを読む]
IoT時代は得意なアナログを活かす、TIに追い風
Texas Instrumentsは世界トップのアナログICメーカーであるが(参考資料1)、IoT時代には自社の得意なアナログとプログラマブルデジタルをますます活かせる、と強気の姿勢を見せる。このほど来日した同社アナログ部門シニアバイスプレジデントのStephen Anderson氏(図1)は、ワンストップショップの強さを主張した。 [→続きを読む]
Synapticsの新製品、ルネサス子会社買収の成果
ルネサスSPドライバを買収したSynapticsがタッチセンサコントロールとディスプレイドライバを1チップに集積したコンビ製品ClearPad 4300をサンプル出荷し始めた。これまでタッチセンサコントロールが得意だったSynapticsが、ディスプレイドライバが得意だったRSP社を買収した成果の第一弾となった。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesが22nm FD-SOI技術を発表した理由
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET技術と同等な性能を持つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)技術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと一緒に14nm Fin FET技術を開発してきただけに、なぜ今この技術なのか、同社CMOS Platforms Business部門長でシニアVPのGregg Bartlett氏(図1)が電話インタビューで答えた。 [→続きを読む]
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