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Analog Devices、デュアルDSPコア、専用FFTなど集積したSoCを開発

Analog Devices、デュアルDSPコア、専用FFTなど集積したSoCを開発

Analog Deviceは、久々に新しいデュアルコアDSPベースのSoC、「ADSP-SC58x」(図1)を開発、サンプル出荷をしている。これまでの「SHARC」プロセッサと比べ、動作時の消費電力が2W未満で、電力効率、すなわち消費電力に対する性能を5倍以上と大幅に上げた。これまではオーディオプロセッサ用途を主としていたが、今回の開発により多軸モータ制御も可能になった。 [→続きを読む]

日本NI、さまざまな無線規格を1台でテストできる万能テスターを開発

日本NI、さまざまな無線規格を1台でテストできる万能テスターを開発

日本ナショナルインスツルメンツ(NI)が、PXIベースのワイヤレス機器のテスターWTS(Wireless Test System)を発表した(図1)。この汎用測定器を使えば、スマートフォンやIoT、無線チップなどの無線デバイスなどの性能・機能のテストが簡単になる。 [→続きを読む]

短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ

短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ

シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO(In、Ga、Znの酸化物)半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]

GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET

GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET

GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]

Infineon、使いやすさ重視でIGBTモジュール事業を強化

Infineon、使いやすさ重視でIGBTモジュール事業を強化

Infineon TechnologiesがIGBTパワーモジュールビジネスに力を入れている。産業機械や鉄道車両、風力発電など大電力向けのモジュール(図1)を開発したことに加え、ハイブリッドカー(HEV)や電気自動車(EV)向けのHybridPACK Drive(図2)を開発中である。いずれも従来よりも大きな電力を扱え、寄生インダクタンスを下げたことで安定なスイッチングをサポートする。 [→続きを読む]

SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ

SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ

書込みレイテンシが15µs、とストレージ装置としては3ケタ高速のフラッシュストレージ製品(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を埋めることができる上、ストレージそのものの速度を底上げすることになりそうだ。 [→続きを読む]

クルマ用に簡単なグラフィックスなら安価なマイコンで

クルマ用に簡単なグラフィックスなら安価なマイコンで

クルマのダッシュボードの2次元や、簡単な3次元グラフィックスならマイコンで十分。ダッシュボードやセンタースクリーンでも演算を主としない応用には安価なマイコンで行けそうだ。Spansionの日本部門のスパンションイノベイツ(旧富士通セミコンダクターの一部門)はARM Cortex-R5 MPコアをベースにした32ビットマイコンをリリースした。 [→続きを読む]

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