熱設計者に福音、加工しやすい放熱フィルムが相次いで入手可能に
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放熱設計を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学品メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが全く異なるアプローチから新しい放熱フィルムを開発した。 [→続きを読む]
技術分析
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短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ
シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]
Altera、14nm FinFETプロセスのStratix 10技術を明らかに
Alteraの最新FPGA/SoCである、Stratix 10の技術と実性能が明らかになった。AlteraはStratix 10を2013年10月にリリースしていたが、このほどその性能の実力値とその裏付けとなる技術について発表した。 [→続きを読む]
GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET
GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]
Infineon、使いやすさ重視でIGBTモジュール事業を強化
Infineon TechnologiesがIGBTパワーモジュールビジネスに力を入れている。産業機械や鉄道車両、風力発電など大電力向けのモジュール(図1)を開発したことに加え、ハイブリッドカー（HEV）や電気自動車（EV）向けのHybridPACK Drive(図2)を開発中である。いずれも従来よりも大きな電力を扱え、寄生インダクタンスを下げたことで安定なスイッチングをサポートする。 [→続きを読む]
SanDisk、書込みレイテンシ15µsと高速のフラッシュストレージを出荷へ
書込みレイテンシが15µs、とストレージ装置としては3ケタ高速のフラッシュストレージ製品(図1)をSanDiskが6月1日から出荷する。これまでの10〜20msというSSDと100nsというDRAMメモリとの間(メモリギャップ)を埋めることができる上、ストレージそのものの速度を底上げすることになりそうだ。 [→続きを読む]
BoschのCMOSセンサハブ、自社設計によりIoT競争力を上げる
Bosch Sensortecは、センサビジネスが単体からスマートシステムへ移行している、と4月下旬に東京･両国で開かれたMEMS Engineer Forum 2015で述べた。スマートシステムはセンサ情報がインターネットとつながり、新しい競争力を生む。これがIoTの本質である。 [→続きを読む]
クルマ用に簡単なグラフィックスなら安価なマイコンで
クルマのダッシュボードの2次元や、簡単な3次元グラフィックスならマイコンで十分。ダッシュボードやセンタースクリーンでも演算を主としない応用には安価なマイコンで行けそうだ。Spansionの日本部門のスパンションイノベイツ（旧富士通セミコンダクターの一部門）はARM Cortex-R5 MPコアをベースにした32ビットマイコンをリリースした。 [→続きを読む]
Infineon、パワーモジュールのパッケージ新工場を公開
Infineon Technologiesがドイツのバールシュタイン（Warstein）にパワー半導体パッケージング工程の新工場を稼働させ、このほど公開した。パワー半導体といえども、LSI同様、小型化・低消費電力(高効率)化・使いやすさを求められている。このため、単体のトランジスタから、複数のベアチップを実装したモジュールへとパッケージは進化している。 [→続きを読む]
ロームのモジュールビジネス強化が示すシステム指向
ローム傘下のラピスセミコンダクタが、Bluetooth Smart用のモジュール（図1）を発表した日、メディアとアナリスト向けの製品戦略についても発表した。アナログとパワーマネジメントに強いロームと、通信技術と低電力マイコンやメモリなどのデジタル技術に強いラピスがいかに相補関係にあり、これからのIoT時代に対応できる強みを訴求した。 [→続きを読む]
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