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ソフトウエアベースの測定器メーカーNational Instruments社が毎年夏に開催するNIWeek(図1)では、必ず大きな技術のトレンドについてディスカッションされている。昨年は、IoTを工業用IoT (IIoT) に集中することを表明すると共に、もう一つの流れである、Software-Defined xxx、あるいはSoftware-Designed xxxに関しても述べていた。今年はどうか。 [→続きを読む]
IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint（スリーディークロスポントと呼ぶ）技術と名付けたこの不揮発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ速く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換え回数が1000倍多いという。 [→続きを読む]
Bluetooth LE (Low Energy)を使ったIoTやウェアラブル、スマートホームなどの市場が拡大すると期待されているが、ビーコンの活用でその市場は一段と広がりそうだ。Bluetooth LEを使った電波の発信機ビーコンは、屋内や地下街などの位置検出に威力を発揮するようになる。 [→続きを読む]
Texas Instrumentsは世界トップのアナログICメーカーであるが(参考資料1)、IoT時代には自社の得意なアナログとプログラマブルデジタルをますます活かせる、と強気の姿勢を見せる。このほど来日した同社アナログ部門シニアバイスプレジデントのStephen Anderson氏(図1)は、ワンストップショップの強さを主張した。 [→続きを読む]
ルネサスSPドライバを買収したSynapticsがタッチセンサコントロールとディスプレイドライバを1チップに集積したコンビ製品ClearPad 4300をサンプル出荷し始めた。これまでタッチセンサコントロールが得意だったSynapticsが、ディスプレイドライバが得意だったRSP社を買収した成果の第一弾となった。 [→続きを読む]
GlobalFoundriesが16/14nm Fin FET技術と同等な性能を持つ22nm FD (Fully-Depleted)-SOI (Silicon on Insulator)技術をファウンドリとして提供することを発表した。これまでSamsungと一緒に14nm Fin FET技術を開発してきただけに、なぜ今この技術なのか、同社CMOS Platforms Business部門長でシニアVPのGregg Bartlett氏(図1)が電話インタビューで答えた。 [→続きを読む]
パワーマネジメントIC（PMIC）に力を入れてきたアナログ・ミクストシグナル半導体のIntersil社と、元々パワーマネジメント専門メーカーの日本のファブレス半導体であるトレックスセミコンダクター社。偶然にもほぼ同時に日本の新社長が生まれた。共にパワーマネジメントをさらに強化する。 [→続きを読む]
パワー半導体のテストコストを下げる提案をケースレー・インスツルメンツが行った。これは、テクトロニクス・ケースレーイノベーション・フォーラムで明らかにしたもの。並列のパラメータテストやTDDB試験、高温バイアス試験、データ解析での時間短縮事例を紹介した。 [→続きを読む]
コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]
メモリメーカーのMicron TechnologyがDRAMを3次元的にTSVで積層するHMC（Hybrid Memory Cube）について、SPIフォーラム「3次元実装への道」で紹介したが、AMDはコンピュータシステムを高速動作させるためのTSVによる、新しい2.5D IC技術を明らかにした。 [→続きを読む]
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