» セミコンポータルによる分析 » 技術分析
コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]
メモリメーカーのMicron TechnologyがDRAMを3次元的にTSVで積層するHMC（Hybrid Memory Cube）について、SPIフォーラム「3次元実装への道」で紹介したが、AMDはコンピュータシステムを高速動作させるためのTSVによる、新しい2.5D IC技術を明らかにした。 [→続きを読む]
XilinxがプログラマブルSoC（CPUコアやメモリなどのコンピューティング回路と、FPGAを集積したシステムLSI）のロードマップを示した。FPGAメーカーのXilinxがあえて、SoCと呼ぶのは、FPGAだけで独自回路を構成するのには大きすぎ、かといってCPUソフトウエアだけで動作させるのは遅すぎる、といった新しい市場が見えてきたからだ。 [→続きを読む]
Analog Deviceは、久々に新しいデュアルコアDSPベースのSoC、「ADSP-SC58x」(図1)を開発、サンプル出荷をしている。これまでの「SHARC」プロセッサと比べ、動作時の消費電力が2W未満で、電力効率、すなわち消費電力に対する性能を5倍以上と大幅に上げた。これまではオーディオプロセッサ用途を主としていたが、今回の開発により多軸モータ制御も可能になった。 [→続きを読む]
日本ナショナルインスツルメンツ（NI）が、PXIベースのワイヤレス機器のテスターWTS（Wireless Test System）を発表した(図1)。この汎用測定器を使えば、スマートフォンやIoT、無線チップなどの無線デバイスなどの性能・機能のテストが簡単になる。 [→続きを読む]
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放熱設計を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学品メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが全く異なるアプローチから新しい放熱フィルムを開発した。 [→続きを読む]
シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]
Alteraの最新FPGA/SoCである、Stratix 10の技術と実性能が明らかになった。AlteraはStratix 10を2013年10月にリリースしていたが、このほどその性能の実力値とその裏付けとなる技術について発表した。 [→続きを読む]
GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]
Infineon TechnologiesがIGBTパワーモジュールビジネスに力を入れている。産業機械や鉄道車両、風力発電など大電力向けのモジュール(図1)を開発したことに加え、ハイブリッドカー（HEV）や電気自動車（EV）向けのHybridPACK Drive(図2)を開発中である。いずれも従来よりも大きな電力を扱え、寄生インダクタンスを下げたことで安定なスイッチングをサポートする。 [→続きを読む]
<<前のページ 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 次のページ »
