半導体製造装置のB/Bレシオが2ヵ月連続1.0を超えた
日本市場における半導体製造装置の受注にも明るさが見えてきた。SEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表した2009年8月における製造装置のB/Bレシオは7月の1.47に続き、1.21と2ヵ月連続で1.0を超えた。B/Bレシオは3ヵ月の移動平均で表す、販売額に対する受注額の比で、1.0を超えると受注額のほうが多いという意味で将来は明るいことを示す。 [→続きを読む]
セミコンポータルによる分析
7、8月の世界半導体製造装置売り上げから、期待される9月の売り上げ
8月における世界の半導体製造装置の売り上げが着実に前年に近づいている。7月が-38.3%、8月も-39.4%となり、最悪の2月における-76.4%からの回復に向けて徐々にではあるが回復基調にある。これは、SEMIおよびSEMIジャパン、SEAJが協力してまとめた「World SEMS Report」による8月の売り上げ数字である。 [→続きを読む]
家庭内の直流電源、新エネと3Dディスプレイが注目を浴びた今年のCEATEC
CEATEC 2009が開幕した。今年は出展者数590社・団体、そのうち海外からは22カ国、263社・団体。2123小間。昨年は出展社が804社・団体、3121小間であったので、昨年の2/3近い規模に縮小している。今年はNECやパイオニアも出展しておらず、また一旦出展を決めても、直前で取り消しをした企業もあり、いまだ多くの日本企業は構造改革途上でコスト削減の圧力にあえいでいる。 [→続きを読む]
三洋電機、フルHD仕様のネットワークカメラを開発、ソリューション販売へ
監視カメラ市場にもフルHD（1920×1080の高精細）仕様がやってくる時代になってきた。三洋電機は4品種、6機種のフルHDカメラを発表した。これまではVGAやせいぜいSD（標準解像度）レベルの解像度しなかった。フルHD仕様のネットワーク監視カメラの狙いは単なる防犯や犯人探し、という目的だけではない。 [→続きを読む]
IDT、ファブレスで身軽になり画像改善IC・低電力タッチスクリーンICを発表
通信用ICや高速RAMなどに注力してきた米IDT（Integrated Device Technology）社が民生分野の強化に乗り出した。このほどテレビ映像を鮮明にするビデオICとタッチパネルコントローラを製品化した。 [→続きを読む]
ウォルフソン、Cortex-A9アプリプロセッサ狙いのパワーマネジメントICを製品化
英国スコットランドのウォルフソン・マイクロエレクトロニクスは、定格電流1.2AのDC-DCコンバータ2個と1.0Aを2個、さらに10個のLDO、1個の常時オンのLDOと制御回路を集積したパワーマネジメント（PM）IC、WM8320をサンプル出荷した。1.0Aの2個のコンバータを合わせると1.6Aを出力するDC-DCコンバータができる。しかもフレキシブルに構成を変えられる。この狙いは何か？ [→続きを読む]
8月の日本製半導体製造装置の受注額は前年同月比8%減まで戻りつつある
ようやく半導体製造装置の受注額が戻ってきた。8月における日本製半導体製造装置の受注額は664億4200万円と、前年同月の723億9000万円に近付きつつある。前年同期比で8.2%減まで回復させてきた。これまでの50%減、80%減からみると夢のような数字である。特に2月は93.1%減と1/10にも満たない数字を記録していた。 [→続きを読む]
ニューモニクス、満を持してPCメモリーをまもなく量産、90nmで128M品から
スイスに本社を構え、伊仏合弁のSTマイクロエレクトロニクスと米インテルとの合弁会社であるニューモニクスが、128Mビットの相変化メモリー（PCメモリー）を量産する。現在、特定ユーザーにエンジニアリングサンプルを配布中であるが、まもなく一般ユーザーにも配布できるようになる。90nmルールという実績のあるプロセスで設計している。年明けには1Gビット品も出したいと意気込んでいる。 [→続きを読む]
親会社からの完全独立が功を奏し、創立10年を迎えたインフィニオン
ドイツのインフィニオン･テクノロジーズ（Infineon Technologies）社が1999年にシーメンス(Siemens)社から独立して10年経った。日本の半導体企業とは大きく違うことは、親会社が株式を支配することはないということだ。独立した理由は、シーメンス以外にも製品を売りたかったからだという。日本の大手半導体メーカーとは全く違う仕組みで動いている。簡単に紹介しよう。 [→続きを読む]
MEMSとCMOSとの最適な集積化によりICの性能向上が明確に
さる9月中旬、新潟大学で開催された電子情報通信学会のエレクトロニクスソサイエティ主催の企画「More than Mooreを実現するMEMS融合LSI技術」では、MEMSデバイスをCMOSLSIに融合する場合の技術の向かうべき方向が見え始めてきた。MEMSとCMOSを融合するならMEMSラストにすべき、65nm・45nmと微細化の先端をゆくCMOSとの融合なら1チップ化せずSiPを使うべき、との共通合意が得られた。 [→続きを読む]
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