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セミコンポータルによる分析

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Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

Mears社の超格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低減

シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表面に、半導体-非半導体-半導体という繰り返し構造から成る超格子層を形成し、ゲートリーク電流の低減とドレイン電流の増加というメリットを持つ、全く新しい構造のトランジスタを米Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁近く減ることがわかった。 [→続きを読む]

ITRSロードマップでMore Moore、More than Mooreを定義

ITRSロードマップでMore Moore、More than Mooreを定義

セミコンジャパン2008では2005年以来のITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)を見直し、最新状況について報告した。従来のような微細化の年次推移をロードマップとして報告するだけではなく、今年は最近言われている、More MooreとMore than Mooreを定義したことがこれまでとは大きく違う。 [→続きを読む]

ギガビットEthernet向け最新チップが相次いで登場

ギガビットEthernet向け最新チップが相次いで登場

ギガビットEthernetのチップがネットワーク半導体企業から出てきているが、大容量のデータをネットワーク間で転送するためのチップの製品化が活発になっている。このほど10GビットEthernet用のチップセットを米Solarflare Communications社が、ROC(ルーターオンチップ)と呼ぶ1GビットEthernetに必要な機能をほぼ搭載したSoCチップを米Vitesse Semiconductor社が、それぞれ製品化した。 [→続きを読む]

グローバルの力を活用することが成功へのカギ

グローバルの力を活用することが成功へのカギ

John Moor氏、マーケティングディレクター、National Microelectronics Institute 英国のNMI(National Microelectronics Institute)が半導体産業復活を賭けて、グローバルな協力から次の時代への成長を求め動き出した。NMIは日本のJEITAに似た非営利団体であるが、日本のエレクトロニクスメーカーとのコラボレーションを求めてこのほど来日した。マーケティングディレクターのJohn Moor氏にその実態を聞いた。 [→続きを読む]

EB直描のeASICがTensilicaのプロセッサコアでSoCへ進出

EB直描のeASICがTensilicaのプロセッサコアでSoCへ進出

1層のビア配線のマスクパターンだけを電子ビームの直接描画によりマスクレスでパターンを描くことを特長としてきた米国ファブレスeASIC社の短納期性と、Tensilica社Diamondファミリのコアの小さな面積を特長とする32ビットプロセッサを組み合わせることで、組み込みシステム設計者はDiamondベースのSoCをわずか4週間で製造できるようになる。 [→続きを読む]

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