EUV時代が見えてきたか、IntelがASMLと歩調を合わせ10nmに照準
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
EUV(Extreme Ultra Violet)リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
アベノミクス第3本目の矢に相当する、成長戦略の概要が安倍首相から発表された。2012年度の年間63兆円の設備投資額に対して、今後3年の間に70兆円を目指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジー展」が開かれることでカーエレ技術の半導体の発表が富士通、東芝からあった。半導体材料メーカーも相次いで成長戦略を発表した。 [→続きを読む]
銀(Ag)ナノワイヤーを利用する新しい透明導電性材料のメーカーである、カンブリオス社CEOのJohn LeMoncheck氏(図1)がその技術について語った。印刷技術を利用して電極を形成するため、従来のITO(インジウムすず酸化物)よりもコストを下げられる可能性が高く、大面積のフラットパネルディスプレイや照明に向く。ファインテックジャパンで発表した。 [→続きを読む]
2012年における半導体材料の出荷額は、前年比2%減の471億1000万ドルであったとSEMIが発表した。地域別では、台湾が2%増に対して、日本の7%減となり、日本の減少が大きく響いた。ただし、日本の材料出荷額は台湾に次ぎ依然として第2位である。 [→続きを読む]