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材料・薬品・部材

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有機ELがらみのフレキシブルエレに動き

有機ELがらみのフレキシブルエレに動き

半導体そのものに大きなニュースはなかったが、半導体の応用に向けた記事は多かった。先週のトレンドは二つある。一つは、フラットパネルディスプレイの展示会である、ファインテックジャパンが開かれ、フレキシブルエレクトロニクスが注目された。もう一つは自律運転が可能にするロボットやロケットのトレンドである。 [→続きを読む]

新材料を短時間で開発できるコンビナトリアル手法で大きな前進

新材料を短時間で開発できるコンビナトリアル手法で大きな前進

コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う(図1)。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika(イリカと発音)社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]

短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ

短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ

シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO(In、Ga、Znの酸化物)半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]

GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET

GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET

GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]

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