Siウェーハの出荷面積は過去最高、第3四半期の半導体売上も同様に
2015年第2四半期(4〜6月)におけるシリコン（Si）ウェーハの出荷面積が過去最高の27億200万平方インチに達した、とSEMIが発表した。前期比(2015年第1四半期)で2.5%増、前年同期比4.4%増加した。 [→続きを読む]
材料・薬品・部材
新材料を短時間で開発できるコンビナトリアル手法で大きな前進
コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]
熱設計者に福音、加工しやすい放熱フィルムが相次いで入手可能に
ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放熱設計を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学品メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが全く異なるアプローチから新しい放熱フィルムを開発した。 [→続きを読む]
短チャンネル効果のないIGZO利用のMOSトランジスタ
シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]
GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET
GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]
ウェーハ出荷面積は半導体売上の先行指標
2015年第1四半期(1〜3月)に出荷されたシリコンウェーハの面積は過去最高の26億3700万平方インチになった。これはSEMIが発表したもので、前四半期（2014年10〜12月）に比べて3.4%増加した。 [→続きを読む]
曲面フレキシブル技術が相次ぎ、海外とのコラボも盛んに
先週、プリンテッドエレクトロニクス展/ファインテックジャパン/フォトニクスジャパンなどの材料関係の総合展示会があったせいか、フレキシブルパネルの発表が相次いだ。Samsung製の曲面の有機ELを使ったスマートフォンや、凸版印刷の曲面タッチパネルなどが発表された。海外企業との共同開発の発表も相次いだ。 [→続きを読む]
2014年のシリコンウェーハ面積は過去最高
2014年のシリコンウェーハの出荷面積が前年比11%増の100億9800万平方インチになった。2013年は90億6700万平方インチだった。これはSEMIが発表したものだが、14年の出荷面積は過去最高の値である(図1)。 [→続きを読む]
半導体、絶縁体、蛍光の三つのナノ材料で有機エレクトロニクスを容易に
英国Manchester大学をスピンオフして設立したChromition（クロミションと発音）がナノパーティクルのポリマー材料で有機エレクトロニクスビジネスを始めた。3年前に設立させたが、資金がなく活動できなかった。このほど一般市場から資金を調達、パーティクルのサンプルを試作、このほどナノテク展で日本のパートナー探しにやってきた。 [→続きを読む]
シリコンウェーハ面積、2014年は過去最高になりそう
SEMIは2014年から2016年にかけてのシリコンウェーハの出荷量予測を発表した。これによると、2014年のシリコンウェーハ面積は前年比7%増の94億1000万平方インチになる見込みである。 [→続きを読む]
