GaNの歩留まり90%や、耐圧1200Vの縦型構造など新GaNパワーFET
GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]
材料・薬品・部材
ウェーハ出荷面積は半導体売上の先行指標
2015年第1四半期(1〜3月)に出荷されたシリコンウェーハの面積は過去最高の26億3700万平方インチになった。これはSEMIが発表したもので、前四半期（2014年10〜12月）に比べて3.4%増加した。 [→続きを読む]
曲面フレキシブル技術が相次ぎ、海外とのコラボも盛んに
先週、プリンテッドエレクトロニクス展/ファインテックジャパン/フォトニクスジャパンなどの材料関係の総合展示会があったせいか、フレキシブルパネルの発表が相次いだ。Samsung製の曲面の有機ELを使ったスマートフォンや、凸版印刷の曲面タッチパネルなどが発表された。海外企業との共同開発の発表も相次いだ。 [→続きを読む]
2014年のシリコンウェーハ面積は過去最高
2014年のシリコンウェーハの出荷面積が前年比11%増の100億9800万平方インチになった。2013年は90億6700万平方インチだった。これはSEMIが発表したものだが、14年の出荷面積は過去最高の値である(図1)。 [→続きを読む]
半導体、絶縁体、蛍光の三つのナノ材料で有機エレクトロニクスを容易に
英国Manchester大学をスピンオフして設立したChromition（クロミションと発音）がナノパーティクルのポリマー材料で有機エレクトロニクスビジネスを始めた。3年前に設立させたが、資金がなく活動できなかった。このほど一般市場から資金を調達、パーティクルのサンプルを試作、このほどナノテク展で日本のパートナー探しにやってきた。 [→続きを読む]
シリコンウェーハ面積、2014年は過去最高になりそう
SEMIは2014年から2016年にかけてのシリコンウェーハの出荷量予測を発表した。これによると、2014年のシリコンウェーハ面積は前年比7%増の94億1000万平方インチになる見込みである。 [→続きを読む]
シリコンウェーハ面積の拡大に勢い
2014年第2四半期におけるシリコンウェーハの出荷面積は、前期から9.5%増加し、25億8700平方インチになったと、SEMIは発表した。これは前年同期比でも8.2%増である。3ヵ月前の記事で、波打ちながら緩やかに成長していることを分析した(参考資料1)が、その傾向を裏付ける結果になった。 [→続きを読む]
Element Six社、GaN on Diamondウェーハで熱抵抗を4割削減
電気的には絶縁体ながら熱伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発熱の大きな高周波パワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今夏に販売するという。 [→続きを読む]
ノリタケ、熱膨張率を下げたCuペーストをNEDOプロジェクトで開発
ノリタケカンパニーリミテドは、NEDOの支援を受けた「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」において、ファインセラミックス技術研究組合の一員として、温度サイクル試験に強いCuペーストを開発した。-40〜+250℃を1000回クリアしている。 [→続きを読む]
Rambus、解像度は低いがレンズなしの超小型カメラ技術を提供
テクノロジー開発会社のRambusが、1mm角以下の超小型カメラ技術を開発した。レンズを全く使わないため解像度はイマイチだが、多数並べて使うような応用に向く。IoTやセンサネットワークなどを狙ったセンサといえよう。 [→続きを読む]
