材料・薬品・部材

SEMIは、シリコンウェーハの出荷面積は、2016~2018年まで継続的に成長していく、と発表した。2016年は前年比2%増で成長し、2017年、2018年も2%増で着実に成長していくと予測している。 [→続きを読む]

2016年の第2四半期に出荷したシリコンウェーハの総面積は、27億600万平方インチとなり、四半期における出荷面積としては過去最高を記録した、とSEMIが発表した。前期比、前年同期比ともプラスである。 [→続きを読む]

シリコンウェーハの面積が、2015年第2四半期をピークに、第3、第4四半期と低下してきたが、2016年第1四半期になり、ようやく下げ止まった感が出てきた。第1四半期におけるウェーハ面積は前四半期比1.3%増の25億3800万平方インチとなった。 [→続きを読む]

半導体そのものに大きなニュースはなかったが、半導体の応用に向けた記事は多かった。先週のトレンドは二つある。一つは、フラットパネルディスプレイの展示会である、ファインテックジャパンが開かれ、フレキシブルエレクトロニクスが注目された。もう一つは自律運転が可能にするロボットやロケットのトレンドである。 [→続きを読む]

第7回二次電池展では、リチウムイオン電池だけではなく、超薄型や固体電解質、電力貯蔵のためのパワー、災害時に水を電解液に用いる電池など、さまざまな電池が展示された。この中からいくつか紹介する。 [→続きを読む]

2015年第2四半期(4〜6月)におけるシリコン（Si）ウェーハの出荷面積が過去最高の27億200万平方インチに達した、とSEMIが発表した。前期比(2015年第1四半期)で2.5%増、前年同期比4.4%増加した。 [→続きを読む]

コンビナトリアルと呼ばれる手法を使って新材料を開発するビジネスが活発になってきた。多元系材料の薄膜を形成するのに組成を連続的に変え、最適な組成を見出すのに使う（図1）。2007年にSEMICON Westで展示した米Intermolecular社の材料組成やプロセス条件を変える方式とは違い、薄膜の組成を連続的に変えられる。真空装置やスパッタリング装置を使う。英国のIlika（イリカと発音）社、日本のコメット社を紹介する。 [→続きを読む]

ハイパワーLEDやパワートランジスタなどパワーデバイスの放熱設計を楽にしてくれるフィルム材料が相次いで登場した。化学品メーカーのADEKA（旧旭電化工業）とパナソニックが全く異なるアプローチから新しい放熱フィルムを開発した。 [→続きを読む]

シャープの液晶ディスプレイの各画素にスイッチングトランジスタとして形成されているIGZO（In、Ga、Znの酸化物）半導体を改良し、リジッドな完全結晶ではなく、アモーファスでもない「柔らかい」結晶を半導体エネルギー研究所が開発、半導体LSIに応用するため、台湾ファウンドリのUMCと提携した。 [→続きを読む]

GaNの歩留まりを90%に上げられる可能性のある設計手法、GaNの耐圧を1200Vまで上げてもオン抵抗が1.8mΩcm2とSiC並みに近づけることのできるMOSFETなどが試作され、GaNデバイスの常識が変わりつつある。千葉県幕張メッセで開催されたテクノフロンティア2015では、新しいパワー半導体GaNに大きな進歩がみられた。 [→続きを読む]