次世代TFET、共鳴TFET、finFET対FDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013
IEEE IEDM（International Electron Device Meeting）では、トンネルFET（TFET）をはじめとする次世代半導体の発表がさまざまな研究所、大学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流の傾斜を急峻にできるというメリットがあるため、各社はこれを生かし、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→続きを読む]
材料・薬品・部材
SEMICONジャパン、規模縮小の一方で期待大きい機械部品メーカー
先週、SEMICONジャパン2013が開催された。展示は、幕張メッセのホール1〜6で行われ、国際会議場でセミナーが開かれた。業界で注目された東京エレクトロン（TEL）とApplied Materialsとの事業統合についての作業に入っているという発表があった。 [→続きを読む]
SEMIのウェーハ出荷面積の推移から見える半導体産業の新しいトレンド
2013年第3四半期におけるシリコンウェーハの出荷面積は、前期比で2%減の23億4100平方インチになったと、SEMIは発表した。これは前年同期比でも2%減である。長期的に見て、このところシリコンの面積は、やや足踏み状態にある。 [→続きを読む]
スマホ用電子材料で強い日本の化学・材料メーカー
NECがスマートフォンの設計製造から撤退を表明し、パナソニックも同様の動きを見せる中、8月31日の日本経済新聞が「日本のスマホ復活への条件」と題した社説を掲載した。部品技術を見直し、まねのできない製品を作ることだとする。クラレ、京セラがその一環となる材料に力を入れている。アドバンテストのSSD検査装置開発のニュースも目を引く。 [→続きを読む]
半導体製造装置は好調、TSMC積極投資、G450C/SEMATECHへニコン/東レ参加
半導体製造装置が好調だ。SEAJが発表した5月の受注額・販売額・B/Bレシオを見る限り（参考資料1）、今年は上向きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015年度の日本製半導体製造装置の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日付けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け装置開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→続きを読む]
EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（3）〜レジスト
フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]
EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（2）〜マスク検査
EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]
EIDEC、グローバル協力で10nm台の加工にEUV導入目指す（1）〜概要
EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]
パソコンからモバイルへのメガトレンドの加速に対応する電子各社
パソコンからモバイルへの動きが加速している。先週のニュースはこの動きを見事に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基板、モバイル通信インフラ、全てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→続きを読む]
EUV時代が見えてきたか、IntelがASMLと歩調を合わせ10nmに照準
EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]
