材料・薬品・部材

フォトレジストでは、昨年まではポジ型レジストを使い、解像度16nm以下、LWR（線幅の粗さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を得ていた。解像度とLWR、感度の三つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、三つのパラメータを最適化させる必要がある(図8)。今年は、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実験である。 [→続きを読む]

EUVは物質を透過しやすいX線の一種であるため、光学系にはレンズではなく反射板を利用する。反射光学系のマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構造を採っている。ここに欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無欠陥にしたい。マスク検査は不可欠である。 [→続きを読む]

EUVのマスク、レジスト技術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最近の活動報告を行った(図1)。波長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光装置を開発しているが、EIDECは露光装置以外のEUV基本技術を受け持つ。出資は国内13社で、海外5社も共同研究で参加、荏原製作所とレーザーテックは装置開発パートナーとして参加、3大学と産業技術総合研究所も参加する一大コンソーシアムだ(図2)。 [→続きを読む]

パソコンからモバイルへの動きが加速している。先週のニュースはこの動きを見事に反映している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント基板、モバイル通信インフラ、全てが、スマホ・タブレットへのメガトレンドに乗っている。 [→続きを読む]

EUV（Extreme Ultra Violet）リソグラフィ技術の現状が明らかになった。Intelは2013年に14nmのトライゲートFETプロセスを導入するが、次の10nmノードでは193iとEUVのミックスになるだろうと予測する。これはEIDEC Symposium 2013で明らかにしたもの。 [→続きを読む]

アベノミクス第3本目の矢に相当する、成長戦略の概要が安倍首相から発表された。2012年度の年間63兆円の設備投資額に対して、今後3年の間に70兆円を目指すことが含まれた。他に、今週、「人とくるまのテクノロジー展」が開かれることでカーエレ技術の半導体の発表が富士通、東芝からあった。半導体材料メーカーも相次いで成長戦略を発表した。 [→続きを読む]

銀（Ag）ナノワイヤーを利用する新しい透明導電性材料のメーカーである、カンブリオス社CEOのJohn LeMoncheck氏（図1）がその技術について語った。印刷技術を利用して電極を形成するため、従来のITO（インジウムすず酸化物）よりもコストを下げられる可能性が高く、大面積のフラットパネルディスプレイや照明に向く。ファインテックジャパンで発表した。 [→続きを読む]

2012年における半導体材料の出荷額は、前年比2%減の471億1000万ドルであったとSEMIが発表した。地域別では、台湾が2%増に対して、日本の7%減となり、日本の減少が大きく響いた。ただし、日本の材料出荷額は台湾に次ぎ依然として第2位である。 [→続きを読む]