Element Six社、GaN on Diamondウェーハで熱抵抗を4割削減
電気的には絶縁体ながら熱伝導率がCuの5倍と高いダイヤモンドウェーハを、英国のElement Six Technologies社が開発しているが、このほど直径4インチのGaN-on-Diamondウェーハを開発、発熱の大きな高周波パワーデバイスに向くことを実証した。このウェーハは今夏に販売するという。 [→続きを読む]
材料・薬品・部材
ノリタケ、熱膨張率を下げたCuペーストをNEDOプロジェクトで開発
ノリタケカンパニーリミテドは、NEDOの支援を受けた「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」において、ファインセラミックス技術研究組合の一員として、温度サイクル試験に強いCuペーストを開発した。-40〜+250℃を1000回クリアしている。 [→続きを読む]
Rambus、解像度は低いがレンズなしの超小型カメラ技術を提供
テクノロジー開発会社のRambusが、1mm角以下の超小型カメラ技術を開発した。レンズを全く使わないため解像度はイマイチだが、多数並べて使うような応用に向く。IoTやセンサネットワークなどを狙ったセンサといえよう。 [→続きを読む]
シリコン面積の推移、リップルを描きながら緩やかに成長
2014年第1四半期におけるシリコンウェーハの出荷面積は、前期比で7%増の23億6400平方インチになったと、SEMIは発表した。これは前年同期比でも11%増である。ここ1年程度、足踏み状態にあったシリコンの面積は、ようやく上向きに転じた。 [→続きを読む]
2013年のSiウェーハ、面積は変わらず金額は14%も減少
2013年シリコンウェーハの出荷面積は、前年比でほぼ横ばいといえる0.4%増の90億6700万平方インチとなったが、販売額は-14%の75億ドルと大きく減少した。これはSEMIのSMG（Silicon Manufacturing Group）がこのほど発表したもの。 [→続きを読む]
理研の快挙、半導体技術者はそれをどう生かすか
1月29日、理化学研究所が発表した万能細胞作製の新手法は、日本中を勇気づけた。この研究のユニットリーダーである小保方晴子氏の写真が理研のトップページをすでに飾っている。半導体エンジニア・マネジャーにとって、今回の発表から学ぶことは何か、自社に活かせることは何か、を考える良い機会になる。 [→続きを読む]
東大グループ、プラスチックICで13.56MHzのRF ID動作に成功
東京大学のグループは、プラスチックで作製した集積回路で、13.56MHzのRF ID送受信動作に成功した。これは、移動度が10cm2/Vsと有機トランジスタとしては極めて大きいトランジスタを作製したことで得られたとしている。 [→続きを読む]
三菱マテリアルの爆発事故、半導体産業への影響はどうか
年明け早々、半導体関係の工場で大きな爆発事故が起きた。現在までに伝えられている事実関係を整理したい。また、先週はInternational CESが米ネバダ州ラスベガスで開催され、未来を見据えた技術がいろいろ出てきた。 [→続きを読む]
半導体生産能力の世界ランキング、Samsung、TSMCの次はMicron
世界の半導体ファブ生産能力のトップテンランキングを米市場調査会社のIC Insightsが発表した。これによると、1位はSamsung、2位TSMC、3位Micronという順である。トップ10社の生産能力は全世界の半導体メーカーの67%にも達し、2009年の54%から増加し、寡占化が進んでいることが判明した。 [→続きを読む]
次世代TFET、共鳴TFET、finFET対FDSOIなど新デバイスが集まったIEDM2013
IEEE IEDM（International Electron Device Meeting）では、トンネルFET（TFET）をはじめとする次世代半導体の発表がさまざまな研究所、大学、企業からあった。TFETにはサブスレッショルド電流の傾斜を急峻にできるというメリットがあるため、各社はこれを生かし、5nmノードを狙い、0.5V以下の電源電圧を狙う。 [→続きを読む]
