半導体製造装置は好調、TSMC積極投資、G450C/SEMATECHへニコン/東レ参加
半導体製造装置が好調だ。SEAJが発表した5月の受注額・販売額・B/Bレシオを見る限り（参考資料1）、今年は上向きになりそうだ。SEAJは先週、2013〜2015年度の日本製半導体製造装置の見通しを発表、日本経済新聞も7月5日付けでそのニュースを掲載した。先週はニコンが450mm向け装置開発のG450Cに参加するというニュースもあった。 [→続きを読む]
プロセス
ミニマルファブ、LED光源のリソ装置でMEMSカンチレバーを作製
ミニマルファブのプロジェクトが組織化され、昨年12月のセミコンジャパンにおいて初めて装置のモックアップが展示された。今どこまで進展したのか。その第1回の報告会とも言うべき「ミニマルファブ・シンポジウム2013」が東京品川で開催された。 [→続きを読む]
欧州は100億ユーロ計画、米国は450mmを本格化、先端半導体開発を推進
欧州が100億ユーロの半導体開発プロジェクトを発表、米国VLSI Researchは450mmウェーハの装置開発が300mmの時よりもずっと少ない金額で開発できるというレポートを発表した。英国からも電子産業を主力産業に育てようというレポートが出た。先端半導体の開発計画が欧米で活発になっている。 [→続きを読む]
1チップMEMS CMOS ICのクロック発生器をSiLabsが製品化
Silicon Laboratories社は、CMOS ICとMEMS振動子をモノリシックに集積したオシレータを製品化した。MEMSラストのプロセスで製造、振動子としてSiGe薄膜を用いたことでSiよりも機械的強度が強く、急冷･急熱や衝撃にも強いため、±20ppmの周波数安定性を10年間保証する。 [→続きを読む]
モバイル端末にけん引され、半導体・FPDとも日本製製造装置は好調
SEAJ（日本半導体製造装置協会）が発表した、2013年5月における日本製半導体製造装置の1.17というB/Bレシオ（販売額に対する受注額の比）は、受注額が増え続けている好調さをよく表している。昨年10月を底として、受注額は伸び続け、5月には1年ぶりに1000億円の大台に乗った。 [→続きを読む]
28nmの次のプロセスノードは、14nm FINFETか20nmプレーナか
Mooreの法則のテクノロジーノードをスキップする動きが顕著になってきた。Alteraは、ハイエンドのFPGA SoC製品Stratix、ミッドレンジのArria製品を現在最先端の28nmプロセスで生産しているが、この次のプロセスノードをそれぞれ14nm FINFET、20nmプレーナCMOSと、変更する方針を発表した。製品名はいずれも10シリーズと命名している(図1)。 [→続きを読む]
日本の半導体製造装置メーカー、世界でも顧客満足度依然として高い
日本の半導体製造装置メーカーは世界市場で依然、健闘している。VLSI Researchが行った半導体製造・検査装置大手の顧客満足度調査では、日本企業が上位10社中6社を占めている、と6月17日の日経産業新聞が伝えた。先週は、設備関係のニュースが比較的集まっていた。また、NANDフラッシュの新市場SSDは爆発しそうな勢いだ。 [→続きを読む]
10nmプロセスでIBMと協業するUMC、微細化で製造競争力を強化
UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの技術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス技術を開発する。 [→続きを読む]
2013年の世界の半導体設備投資は2%増だが、14年は23%増以上、SEMI予測
2013年の半導体設備投資総額は対前年比2%増の325億ドルになりそうだ、という予測をSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導体LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も対象としている。 [→続きを読む]
LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、全ビット動作確認
NEDO（新エネルギー･産業技術総合開発機構）とLEAP（超低電圧デバイス技術研究組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から京都で開催されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→続きを読む]
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